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台灣積體電路製造公司
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外延 (晶体)
晶(Epitaxy),是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長(Epitaxial Growth),或指以外延技術成長出的結晶,有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。 外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件,但在製作化合物半導體例如砷化鎵時,外延尤其重要。.
微波
微波(Microwave,Mikrowellen)是指波长介于红外线和無線電波之间的电磁波。微波的頻率范围大约在 300MHz至300GHz之間。所對應的波長為1公尺至1mm之间。微波频率比无线电波频率高,通常也称为“超高频电磁波”。微波作为一种电磁波也具有波粒二象性。微波的基本性质通常呈现为穿透、反射、吸收三个特性。对于玻璃、塑料和瓷器,微波几乎是穿越而不被吸收。对于水和食物等就会吸收微波而使自身发热。而对金属类东西,则会反射微波。 微波在雷达科技、ADS射线武器、微波炉、等离子发生器、无线网络系统(如手机网络、蓝牙、卫星电视及無線區域網路技术等)、传感器系统上均有广泛的应用。 在技术领域协定使用的四个频率分别为800MHz、2.45GHz、5.8GHz和13GHz。微波炉使用2.45GHz,此频率亦被作为ISM頻段(工業、科學及醫學用波段),使用在航空通讯领域。.
场效应管
-- 场效应管(field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。.
硅
硅(Silicon,台湾、香港及澳門称為--,舊訛稱為釸,中國大陸稱為--)是一种类金属元素,化学符号為Si,原子序數為14,属于元素周期表上的IVA族。 硅原子有4个外圍电子,与同族的碳相比,硅的化学性质相對稳定,活性較低。硅是极为常见的一种元素,然而它极少以單質的形式存在於自然界,而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅等化合物形式广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。在宇宙储量排名中,矽位於第八名。在地壳中,它是第二丰富的元素,佔地壳总质量25.7%,仅次于第一位的氧(49.4%)。.
縮寫
縮寫(abbreviation),在语言学裡嚴格地说是一種詞語的簡易格式,又称缩略语或簡稱。但實際上,它是從詞中提取關鍵字來簡要地代表原來的意思。例如,「欧洲联盟」被省略作為「欧盟」。.
飞思卡尔
飞思卡尔(Freescale Semiconductor)是美国的半导体生产厂商。飞思卡尔于2004年由原摩托罗拉的半导体部门组建。.
英飞凌
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電壓
電壓(Voltage,electric tension或 electric pressure),也稱作電位差(electrical potential difference),是衡量单位电荷在静电场中由于電勢不同所產生的能量差的物理量。此概念與水位高低所造成的「水壓」相似。需要指出的是,“电压”一词一般只用于电路当中,“電動勢”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。 電壓的國際單位是伏特(V)。1伏特等於對每1庫侖的電荷做了1焦耳的功,即U(V).
放大器電路
放大器電路,或稱放大電路,能增加訊號的輸出功率。它透過電源取得能量來源,以控制輸出訊號的波形與輸入訊號一致,但具有較大的振幅。依此來講,放大器電路亦可視為可調節的輸出電源,用来获得比输入信号更强的输出信号。 放大器的四种基本类型是电压放大器、电流放大器、互导放大器和互阻放大器。进一步的区别在于输出是否是输入的线性或非线性表示。放大器也可以通过在信号链中的物理位置来分类。.
另见
晶体管类型
- 单电子晶体管
- 双极性晶体管
- 單接合面電晶體
- 场效应管
- 多閘極電晶體
- 异质结双极性晶体管
- 横向扩散金属氧化物半导体
- 氧化物薄膜晶体管
- 絕緣柵雙極晶體管
- 结型场效应管
- 薄膜電晶體
- 达灵顿晶体管
- 金属半导体场效应管
- 金屬氧化物半導體場效電晶體
- 高电子迁移率晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管
- BiCMOS
- SOI
- SONOS
- SOS (半导体)
- 三維晶片
- 亚阈值电流
- 半导体器件制造
- 图像传感器
- 场效应管放大器
- 多閘極電晶體
- 感光耦合元件
- 摩尔定律
- 晶體管數量
- 栅氧化层
- 横向扩散金属氧化物半导体
- 电子迁移率
- 电流-电压特性曲线
- 短沟道效应
- 絕緣柵雙極晶體管
- 耗尽层
- 薄膜電晶體
- 超大规模集成电路
- 金屬氧化物半導體場效電晶體
- 钝化
- 閘極介電層
- 阈值电压
- 電壓調節模組
- 高电子迁移率晶体管