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SONOS

指数 SONOS

SONOS,是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)的英语首字母缩写,是一种和闪存联系较为紧密的非易失性存储器。它与主流的闪存主要区别在于,它使用了氮化硅(Si3N4),而不是多晶硅,来充当存储材料。它的一个分支是SHINOS(硅-高电介质-氮化物-氧化物-硅)。SONOS允许比多晶硅闪存更低的编程电压和更高的编程-擦除循环次数,是一个较为活跃的研究、开发热点。提供基于SONOS产品的公司包括GlobalFoundries、Cypress Semiconductor、Macronix、东芝、联华电子、华虹微电子。.

目录

  1. 9 关系: 多晶硅东芝磁阻式隨機存取記憶體相變化記憶體聯華電子鐵電隨機存取記憶體非揮發性記憶體闪存格羅方德

  2. 金属氧化物半导体场效应晶体管
  3. 非易失性存储器

多晶硅

多晶硅,是由细小的单晶硅构成的材料。它不同于用于电子和太阳能电池的单晶硅,也不同于用于薄膜设备和太阳能电池的非晶硅。.

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东芝

東芝(,Toshiba Corporation)是日本八大旗艦電機製造商之一,目前因業績不佳,財報造假,而面臨倒閉風險,現東芝已無消費性電子產品部門,皆已分拆或售出,半導體部門也預計將出售。東芝於2015年,爆發涉及高達16億美元的會計造假案件,主要為來自晶片及半導體部門的虛假營收及掩蓋來自西屋核電公司的虧損,導致東芝現面臨除牌及破產問題。.

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磁阻式隨機存取記憶體

磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的(Universal memory)。它目前由公司生产,其他公司,包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划。.

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相變化記憶體

變化記憶體(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存储器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的(Chalcogenide glass)製成,目前的主流為GeSbTe系合金。的特性是,經由加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。.

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聯華電子

聯華電子股份有限公司,簡稱聯電,英文全名「United Microelectronics Corporation」,英文缩写「UMC」,創立於1980年,是台灣第一家積體電路公司,為台灣第一家半導體公司,引領了台灣半導體業的發展,為台灣第一家提供晶圓專業代工服務的公司,在1985年成為台灣第一家上市的半導體公司,目前仍是世界上重要的晶圓代工企業之一。總部設於臺灣新竹新竹科學工業園區。 聯華電子曾生產台灣歷史上第一顆自行設計的x86處理器,後由於未取得英特爾的x86技術授權而無疾而終。.

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鐵電隨機存取記憶體

鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM,縮寫為FeRAM或FRAM),類似於SDRAM,是一種随机存取存储器技術。但因為它使用了一層有铁电性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。麻省理工大學達德利·艾倫·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的碩士論文中,首次提出了這個概念。 Category:電腦記憶體 Category:固態電腦儲存媒體 Category:存儲媒體.

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非揮發性記憶體

非揮發性記憶體(non-volatile memory,缩写为NVM)是指當電流關掉後,所儲存的資料不會消失者的電腦記憶體。非揮發性記憶體中,依記憶體內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產品,即ROM和Flash memory。.

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闪存

快闪--(flash memory),是一种--的形式,允许在操作中被多次擦或写的--。這種科技主要用於一般性資料儲存,以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料,如記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除,就會清除掉整顆晶片上的資料。 快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低,也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、手提電腦、數位隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外,快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加,藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。 快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言,它是不需要消耗電力的。與硬碟相比,快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性:當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM,但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢,相較之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型,闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA,在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种:ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。.

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格羅方德

格羅方德半導體股份有限公司(GLOBALFOUNDRIES,舊譯為全球晶圓公司)是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的半導體晶圓代工公司,目前為世界第二大專業晶圓代工廠,僅次於台積電(TSMC)。 公司的首席执行官为Thomas Caulfield。.

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另见

金属氧化物半导体场效应晶体管

非易失性存储器