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33 关系: 加州大学伯克利分校，介電質，场效应管，国际半导体技术发展蓝图，硅，縮寫，纳米，絕緣體，飞思卡尔，超威半导体，超高頻，胡正明，量子線路，量子閘，金屬氧化物半導體場效電晶體，英特尔，英飞凌，Haswell，IBM，Intel Atom，Ivy Bridge，Ivy Bridge微架構，Ω，SOI，Verilog-A，恩智浦半导体，格羅方德，泊松方程，日立，摩托罗拉，憶阻器，應力，数量级 (时间)。
- 晶体管类型
- 金属氧化物半导体场效应晶体管
加州大学伯克利分校
#重定向 加利福尼亞大學柏克萊分校.
介電質
介電質（dielectric）是一種可被電極化的絕緣體。假設將介電質置入外電場，則束縛於其原子或分子的束縛電荷不會流過介電質，只會從原本位置移動微小距離，即正電荷朝著電場方向稍微遷移位置，而負電荷朝著反方向稍微遷移位置。這會造成介電質電極化，從而在介電質內部產生反抗電場，減弱整個介電質內部的電場。假若介電質是由弱鍵結的分子構成，則這些分子不但會被電極化，也會改變取向，試著將自己的對稱軸與電場對齊。 介電質通常指的是可被高度電極化的物質。在原子與分子層次，極化性可以用來衡量微觀的電極化性質，從極化性可以理論計算出介電質的電極化率和電容率，兩個巨觀的電極化性質。或者，可以直接從實驗測量出介電質的電極化率和電容率。假若置入了具有高電容率的介電質，則平行板電容器的電容會大幅增加，儲存於兩塊金屬平行板的正負電荷也會增加 。 介電質的用途相當廣泛。介電質的電傳導能力很低，再加上具備有很好的（dielectric strength）性質，就可以用來製造電絕緣體。另外介電質可被高度電極化，是優良的電容器材料。對於介電性質的研究，涉及了物質內部電能和磁能的儲存與耗散。用於解釋電子學、光學和固態物理的各種各樣現象，這研究極端重要。 回應麥可·法拉第的請求，英國科學家威廉·暉巍（William Whewell）命名所有可被電極化的絕緣體為介電質。.
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场效应管
-- 场效应管（field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。.
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国际半导体技术发展蓝图
国际半导体技术发展路線图（International Technology Roadmap for Semiconductors，簡寫 ITRS），是由世界上五個主要的半导体製造国家的相關协会所资助的組織，有許多半导体产业专家組成工作小組每年進行數次討論，並提出一些報告與文档，以期積體電路與其應用的相關產業能更有成本效益的健全發展。 该路線图含此声明：路線图仅为技术评估而制作，并不考虑任何的个人产品或仪器的商业应用。.
硅
硅（Silicon，台湾、香港及澳門称為--，舊訛稱為釸，中國大陸稱為--）是一种类金属元素，化学符号為Si，原子序數為14，属于元素周期表上的IVA族。 硅原子有4个外圍电子，与同族的碳相比，硅的化学性质相對稳定，活性較低。硅是极为常见的一种元素，然而它极少以單質的形式存在於自然界，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅等化合物形式广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。在宇宙储量排名中，矽位於第八名。在地壳中，它是第二丰富的元素，佔地壳总质量25.7%，仅次于第一位的氧（49.4%）。.
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縮寫
縮寫（abbreviation），在语言学裡嚴格地说是一種詞語的簡易格式，又称缩略语或簡稱。但實際上，它是從詞中提取關鍵字來簡要地代表原來的意思。例如，「欧洲联盟」被省略作為「欧盟」。.
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纳米
纳米（符號 nm，nanometre、nanometer，字首 nano 在希臘文中的原意是「侏儒」的意思），是一个長度單位，指1米的十億分之一（10-9m）。 有時候也會見到埃米（符號 Å）這個單位，為10-10m。 1納米（nm）.
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絕緣體
绝缘体（Insulator），又称电介质或绝缘子，是一种阻碍电荷流动的材料。在绝缘体中，价带电子被紧密的束缚在其原子周围。这种材料在电气设备中用作绝缘体，或称起绝缘作用。其作用是支撑或分离各个电导体，不让电流流过。 玻璃、纸或聚四氟乙烯等材料都是非常好的电绝缘体。更多的一些材料可能具有很小的电导，但仍然足以作为电缆的绝缘，例如橡胶类高分子和绝大多数塑料。这些材料可以在低压下（几百甚至上千伏特）用作安全的绝缘体。.
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飞思卡尔
飞思卡尔（Freescale Semiconductor）是美国的半导体生产厂商。飞思卡尔于2004年由原摩托罗拉的半导体部门组建。.
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超威半导体
超微半导体公司（Advanced Micro Devices, Inc.；縮寫：AMD、超微，或譯「超威」），創立於1969年，是一家專注於微处理器及相關技術設計的跨国公司，总部位于美國加州舊金山灣區矽谷內的森尼韦尔市。最初，超微擁有晶圓廠來製造其設計的晶片，自2009年超微將自家晶圓廠拆分為現今的GlobalFoundries（格羅方德）以後，成為無廠半導體公司，僅負責硬體積體電路設計及產品銷售業務。現時，超微的主要產品是中央處理器（包括嵌入式平台）、圖形處理器、主機板晶片組以及電腦記憶體， 超微半導體是目前除了英特爾以外，最大的x86架構微處理器供應商，自收購冶天科技以後，則成為除了輝達以外僅有的獨立圖形處理器供應商，自此成为一家同時擁有中央處理器和圖形處理器技術的半導體公司，也是唯一可与英特爾和輝達匹敵的廠商。在2017年第一季全球個人電腦中央處理器的市場佔有率中，英特爾以79.8％排名第一、AMD以20.2％位居第二。於2017年8月，AMD CPU在德國電商Mindfactory的銷售量首次以54.0%超越intel，並於9月增長至55.0%，於10月(同時也是Coffee Lake推出之月份)，銷售份額仍繼續成長至57.7%，於11月，由於增加部分未計算型號，份額下降至57.4%.
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超高頻
超高頻（Super high frequency，簡稱SHF）是指由頻帶3GHz到30GHz的無線電波。.
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胡正明
胡正明（），北京出生的臺灣人，祖籍江蘇金壇，美籍華裔微电子學家，柏克萊加州大學教授，原台積電技術執行長。.
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量子線路
量子線路或沿用古典稱呼而稱作量子電路，是在抽象概念下，對於量子資訊儲存單元（例如量子位元）進行操作的線路。組成包括了於量子資訊儲存單元、線路（時間線），以及各種邏輯閘；最後常需要量子測量將結果讀取出來。 實際上在以物理系統實踐量子計算機時，需要透過轉換，成為實際上的操作方式。例如在核磁共振量子電腦，就需要轉換成射頻，或者射頻搭配梯度磁場的磁振脈衝序列。.
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量子閘
此文章與量子計算相關。 量子邏輯也可以代表另一種基於量子力學.的命題邏輯 在量子計算和特別是量子線路的計算模型裡面，一個量子閘 (或量子邏輯閘)是一個基本的，操作一個小數量量子位元的量子線路 。它是量子線路的基礎，就像傳統邏輯閘跟一般數位線路之間的關係.
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金屬氧化物半導體場效電晶體
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的關注。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。.
英特尔
英特爾公司（Intel Corporation，、）是世界上最大的半導體公司，也是第一家推出x86架構處理器的公司，總部位於美國加利福尼亞州聖克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫，以“集成電子”（Integrated Electronics）之名在1968年7月18日共同創辦公司，將高階晶片設計能力與領導業界的製造能力結合在一起。英特爾也有開發主機板晶片組、網路卡、快閃記憶體、繪圖晶片、嵌入式處理器，與對通訊與運算相關的產品等。“Intel Inside”的廣告標語與Pentium系列處理器在1990年代間非常成功的打響英特爾的品牌名號。 英特爾早期在開發SRAM與DRAM的記憶體晶片，在1990年代之前這些記憶體晶片是英特爾的主要業務。在1990年代時，英特爾做了相當大的投資在新的微處理器設計上與培養快速崛起的PC工業。在這段期間英特爾成為PC微處理器的供應領導者，而且市場定位具有相當大的攻勢與有時令人爭議的行銷策略，就像是微軟公司一樣支配著PC工業的發展方向。而Millward Brown Optimor發表的2007年在世界上最強大的品牌排名顯示出英特爾的品牌價值由第15名掉落了10個名次到第25名。 而主要競爭對手有AMD、NVIDIA及Samsung。.
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英飞凌
#重定向 英飞凌科技.
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Haswell
#重定向 Haswell微架構.
IBM
国际商业机器股份有限公司（International Business Machines Corporation，首字母縮略字：IBM，曾译万国商用机器公司）是美國一家跨國科技公司及諮詢公司，總部位於紐約州阿蒙克市。IBM主要客户是政府和企业。IBM生产并销售计算机硬件及软件，并且为系统架构和网络托管提供咨询服务。截止2013年，IBM已在全球拥有12个研究实验室和大量的软件开发基地。IBM雖然是一家商業公司，但在材料、化学、物理等科学领域卻也有很高的成就，利用這些學術研究為基礎，发明很多产品。比较有名的IBM发明的产品包括硬盘、自動櫃員機、通用产品代码、SQL、关系数据库管理系统、DRAM及沃森。.
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Intel Atom
#重定向 凌動.
Ivy Bridge
#重定向 Ivy Bridge微架構.
Ivy Bridge微架構
Intel Ivy Bridge是Intel所研發的處理器微架構，也是Sandy Bridge微架構以22納米+3D三柵極電晶體製程製造的版本。由於只是製程改進版，因此基於Ivy Bridge微架構的處理器可以向下相容於Intel Sandy Bridge微架構平台的6系列晶片組，但是可能需要主機板廠商提供BIOS/EFI韌體升級才可支援。Intel發布Ivy Bridge微架構的處理器前還推出了7系列晶片組與之搭配，7系列晶片組與6系列晶片組相比，最大的區別在於7系列原生支援USB3.0，而6系列則否，同樣，Intel Sandy Bridge微架構的處理器也可使用於為Intel Ivy Bridge微架構平台搭配的7系列晶片組。 Intel在2011年第三季度已經宣布基於Ivy Bridge微架構的處理器進入量產階段，，2012年4月29日正式推出其四核心型號，而雙核心型號的處理器，由於銷售業績不如預期，Intel為了清理Sandy Bridge微架構處理器的庫存，改在2012年6月份推出，基於Ivy Bridge微架構的Core i3桌面版於2012年第三季度推出。.
Ω
Omega（大寫Ω，小寫ω，中文音译：奧米伽、奧米加、俄梅戛、俄梅格、亞米茄、歐米茄、歐米伽、敖默加），是第二十四個希臘字母，亦是最後一個希臘字母。Omega 字面上的意思是“大 O”（o mega），以便與字母 ο“o micron，小 O”區別。 Omega用作指事情的終結，對應指開始的Alpha，例如：「我是阿爾法、我是俄梅戛、我是首先的、我是末後的、我是初、我是終。（聖經啟示錄 22:13）」 Omega代表着一切的开始与终端看似循环相同。但是最终的结果与最初的状态却又不同。体现了绝对运动(时间)不可逆转的真理。构图技巧取自波浪式前进图形的一段。.
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SOI
SOI全名為Silicon On Insulator，是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思，原理就是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈，並減少電流成為省電的IC，在製程上還可以省略部分光罩以節省成本，因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外，在SOI晶圓（SOI wafer）本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現，因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整，達到射頻元件（Radio frequency component、RF component）特性的提升。原本應通過交換器的電子，有些會鑽入矽中造成浪費；SOI可防止電子流失，與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%，並減低耗電30%。除此之外，還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點，可以說是很多超頻玩家所感興趣的，那就是它的工作溫度可高達300°C，減少過熱的問題。 SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發，最早用於Macintosh電腦（MAC）的PowerPC G4處理器，除了IBM外，還有Motorola、德州儀器（TI）、NEC等公司投入SOI技術的開發工作，但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術，因為其認為SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度，並且SOI上接合點也會減少，也就是一般製程中「」的缺點所煩惱。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術，成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司，例如AMD和NVIDIA，而Intel並未加入該組織。.
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Verilog-A
Verilog-A是一种针对模拟电路的工业标准模型语言，它是 Verilog-AMS的连续时间子集。 Verilog-A被设计用来对Spectre电路仿真器（Spectre Circuit Simulator）的行为级描述进行标准化，以实现与VHDL（另一个IEEE标准支持的硬件描述语言）。它从其他语言（例如MAST）吸收了对模拟电路的支持。国际Verilog开放组织（Open Verilog International, OVI）支持 Verilog的标准化，使得Verilog-A作为整个Verilog-AMS计划的一部分，从而实现对模拟电路和数字电路设计的处理能力。Verilog-A是Verilog-AMS项目的最初阶段发展起来的。 不过，Verilog的开发进展与Verilog-AMS延迟不同，而当时Verilog被纳入了IEEE 1364标准，这就使得Verilog-AMS被遗留给了Accellera公司。因此最初的单一语言标准的目标并没有实现。.
恩智浦半导体
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），前身为飞利浦半导体，由荷蘭企業飞利浦在1953年创立。2006年8月31日，该公司首席执行官万豪敦（Frans van Houten）在柏林向客户和員工宣布公司的新名称。 恩智浦半导体目前可以提供半导体、系统和软件解决方案；使用在汽车、手机、智能识别应用、电视、机上盒以及其他电子设备上。.
格羅方德
格羅方德半導體股份有限公司（GLOBALFOUNDRIES，舊譯為全球晶圓公司）是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的半導體晶圓代工公司，目前為世界第二大專業晶圓代工廠，僅次於台積電（TSMC）。 公司的首席执行官为Thomas Caulfield。.
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泊松方程
泊松方程（Équation de Poisson）是數學中一個常見於靜電學、機械工程和理論物理的偏微分方程式，因法國數學家、幾何學家及物理學家泊松而得名的。.
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日立
日立可以指：.
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摩托罗拉
摩托羅拉（Motorola, Inc.；全稱：摩托羅拉公司）是一間總部位於美國紹姆堡的電信設備製造商。2011年，摩托羅拉拆分成兩家獨立的公司——摩托羅拉移動及摩托羅拉解決方案。 摩托羅拉的業務包括設計和銷售無線網絡設備，如蜂窩傳輸基站和信號放大器。摩托羅拉的家庭和廣播網絡產品包括機頂盒，數位影像錄像機，以及網絡設備，其用途在於影像廣播、電腦、電話和高畫質電視。它的企業和政府客戶主要包括無線語音和寬帶系統，用於構建專用網絡，以及公共安全通信系統，如Astro和Dimetra。 此外，摩托羅拉個人通訊部門推出首部手機（DynaTAC、MicroTAC和StarTAC）。進入智慧型手機的世代後市佔率遲遲無法提升，目前已出售相關業務。.
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憶阻器
憶阻器（memristor ），又名記憶電阻（memory resistors），是一種被動電子元件。如同電阻器，憶阻器能產生並維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在於，憶阻器可以在關掉電源後，仍能「記憶」先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產生與電晶體相同的功能，但更為細小。最初於1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根據電子學理论，預測到在電阻器、電容器及電感元件之外，还存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。 目前正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、。 之後從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並應用到了下一代非揮發性記憶體-阻抗存儲器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公佈了基於TiO2的RRAM器件，並首先將RRAM和憶阻器聯繫起來。但目前仍然有專家認為，這些實作出的電路，並不是真正的憶阻器。.
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應力
在連續介質力學裏，應力定義為單位面積所承受的作用力。以公式標記為 其中，\sigma \,表示應力；\Delta F_j\,表示在j\,方向的施力；\Delta A_i \,表示在i\,方向的受力面積。 假設受力表面與施力方向正交，則稱此應力分量為正向應力（normal stress），如圖1所示的\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,，都是正向應力；假設受力表面與施力方向互相平行，則稱此應力分量為剪應力（shear stress），如圖1所示的\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,，都是剪應力。 「內應力」指組成單一構造的不同材質之間，因材質差異而導致變形方式的不同，繼而產生的各種應力。 採用國際單位制，应力的单位是帕斯卡（Pa），等於1牛頓／平方公尺。應力的單位與壓強的單位相同。兩種物理量都是單位面積的作用力的度量。通常，在工程學裏，使用的單位是megapascals（MPa）或gigapascals（GPa）。採用英制單位，應力的單位是磅力／平方英寸（psi）或千磅力／平方英寸（ksi）。.
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数量级 (时间)
本页按时间长短从小到大列出一些例子，以帮助理解不同时间长度的概念，比较时间单位的数量级区别。.
另见
晶体管类型
- 单电子晶体管
- 双极性晶体管
- 單接合面電晶體
- 场效应管
- 多閘極電晶體
- 异质结双极性晶体管
- 横向扩散金属氧化物半导体
- 氧化物薄膜晶体管
- 絕緣柵雙極晶體管
- 结型场效应管
- 薄膜電晶體
- 达灵顿晶体管
- 金属半导体场效应管
- 金屬氧化物半導體場效電晶體
- 高电子迁移率晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管
- BiCMOS
- SOI
- SONOS
- SOS (半导体)
- 三維晶片
- 亚阈值电流
- 半导体器件制造
- 图像传感器
- 场效应管放大器
- 多閘極電晶體
- 感光耦合元件
- 摩尔定律
- 晶體管數量
- 栅氧化层
- 横向扩散金属氧化物半导体
- 电子迁移率
- 电流-电压特性曲线
- 短沟道效应
- 絕緣柵雙極晶體管
- 耗尽层
- 薄膜電晶體
- 超大规模集成电路
- 金屬氧化物半導體場效電晶體
- 钝化
- 閘極介電層
- 阈值电压
- 電壓調節模組
- 高电子迁移率晶体管