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13 关系: 可测试性设计，奔腾4，工程改变命令，微机电系统，图像传感器，CMOS，硅穿孔，積體電路封裝，訊號 (資訊理論)，计算机辅助设计，英特尔，IP核，SiP。
可测试性设计
可测试性设计（Design for Testability, DFT）是一种集成电路设计技术，它将一些特殊结构在设计阶段植入电路，以便设计完成后进行测试。电路测试有时并不容易，这是因为电路的许多内部节点信号在外部难以控制和观测。通过添加可测试性设计结构，例如扫描链等，内部信号可以暴露给电路外部。总之，在设计阶段添加这些结构虽然增加了电路的复杂程度，看似增加了成本，但是往往能够在测试阶段节约更多的时间和金钱。.
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奔腾4
奔騰4（Pentium 4，或簡称奔4或P4），Intel生產的第七代x86微處理器，是繼1995年出品的第六代P6架构Pentium Pro之後第一款重新設計過的處理器，這一新的架構稱做NetBurst，（此前的Pentium II、Pentium III及相应各版本的Celeron仍旧属于P6架构）。Pentium 4首款產品工程代号為：Willamette，拥有1.4GHz左右的核心時脈，并使用Socket 423腳位架構，于2000年11月发布。值得注意的是，Pentium 4有著非常快速到400MHz的前端匯流排，之後更有提升到533MHz、800MHz，它其實是一個100MHz时钟频率的四倍数据速率（QDR）前端匯流排，因此数据传输速率为4×100MHz。相应的，Pentium 4前期的竞争对手AMD Athlon处理器采用双倍数据输率（DDR）前端匯流排，拥有266MHz或333MHz的数据传输速率（2×133MHz、2×166MHz）。 令业界观察人士感到意外的是，NetBurst架构的Pentium 4在“每周期整数处理能力”和“每周期浮点处理能力”这两个重要性能上比前一代的P6架构不升反降。它通过牺牲每个周期的性能以实现非常高的--和SSE性能。与英特尔的传统保持一致的是，Pentium 4也有低端Celeron〔通常称为Celeron 4〕及Celeron D版本和用于SMP配置的高端Xeon〔至強〕版本。 Pentium 4的设计目标是适应更快的时钟速度，因为消费者开始依据更高的時脈购买電腦。在这方面Pentium 4是一个经典的市场驱动技术的范例。这很快就推动超微半導體（AMD）的“时钟频率神话运动”。英特尔使用一个特别长的指令流水线来实现这个目标，同Pentium III和Athlon那样的传统x86 CPU相比，Pentium 4降低了每个时钟周期的处理能力，但是它能够以更高的时钟速度工作。AMD則採用所謂的PR值來標示與Pentium 4相對應的Athlon XP處理器。 英特尔在發表Pentium 4時向大眾宣布说，NetBurst架構能夠運行在10GHz。然而，NetBurst架构在3.8GHz便遇到提升制程也无法解决的高功耗问题。这迫使英特尔在2005年年中放弃NetBurst，并转向升温更少的Pentium M，祭出“MoDT ('''M'''obile '''o'''n '''D'''esk'''T'''op)”的旗帜；并由此发展处Intel Core微架构取代NetBurst。.
工程改变命令
工程改变命令（Engineering change orders，缩写ECO；或称工程变更命令）用于改变元--件、组件，或流程、工作指令文档，并也可用于改变规格。 ECO也被称为“工程变更通知单”、工程變更通知（ECN），或简单称“工程变更”（EC）。 在典型的系统开发周期中，规范或实现可能在工程开发期间或系统元件的集成期间改变。这些在最后一分钟的设计变更通常称为工程改变命令（ECO），并影响已完全或部分完成设计的功能。ECO可以弥补在调试期间发现的设计错误，或者对设计规范做出更改以补偿其他方面的系统设计。.
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微机电系统
微机电系统（Microelectromechanical Systems，縮寫為 MEMS）是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术，它的操作范围在微米范围内。比它更小的，在纳米范围的类似技术被称为纳机电系统（nanoelectromechanical systems，NEMS）。微机电系统在日本被称作微机械（micromachines），在欧洲被称作微系统技術（Micro Systems Technology，MST）。 微机电系统与或的超前概念不同。微机电系统由尺寸为1至100微米（0.001至0.1毫米)的部件组成，而且微机电设备的尺寸通常在20微米到一毫米之间。它们内部通常包含一个微处理器和若干获取外界信息的微型传感器。在这种尺寸范围下，经典物理基本定律通常不适用。而且由于微机电系统相当大的表面积/体积比，诸如静电和浸润等表面效应要比惯性和比热等体效应大很多。 微机电系统的加工技术由半导体加工技术改造而来，使其可以应用到实际当中，而后者一般用来制造电子设备。其加工方式包含了molding and plating，湿法刻蚀（氢氧化钾，四甲基氢氧化铵）和乾法刻蚀（RIE和DRIE），电火花加工（EDM），和其他一些能够制造小型设备的加工方式。.
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图像传感器
感光元件，是一种将光学影像转换成电子信号的设备，广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中。早期的图像传感器采用模拟信号，如摄像管（video camera tube）。如今，图像传感器主要分为感光耦合元件（charge-coupled device, CCD）和互补式金属氧化物半导体有源像素传感器（CMOS Active pixel sensor）两种。.
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CMOS
#重定向 互補式金屬氧化物半導體.
硅穿孔
硅穿孔（Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做硅通孔）是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種, Via First, Via Last），從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔（via），再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。 TSV技术在三维封装和三维集成电路中具有重要应用，對於跨入3D IC相當具有優勢。2006年4月，韓國三星表示已成功將TSV技術應用在“晶圓級堆疊封裝”（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash堆疊的技術堆疊八個2Gb NAND Flash晶片，以雷射鑽孔打造出TSV製程，高度是0.56mm。2007年4月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品，共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片。到目前為止，晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限，僅有CMOS（CIS）影像感測器、MEMS等少數幾種。.
積體電路封裝
#重定向 集成电路封装.
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訊號 (資訊理論)
#重定向 信号 (信息论).
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计算机辅助设计
電腦輔助設計（Computer Aided Design, CAD）是指運用電腦軟體製作並模擬實物設計，展現新開發商品的外型、結構、彩色、質感等特色的過程。隨著技術的不斷發展電腦輔助設計不僅僅適用於工業，還被廣泛運用於平面印刷出版等諸多領域。它同時涉及到軟體和專用的硬體。 CAD有时也写作“computer-assisted”、“computer-aided drafting”，或类似的表达方式。相关的缩略语有CADD，表示计算机辅助设计和草图（computer-aided design and drafting），以及CAAD，表示计算机辅助建筑设计（computer-aided architectural design）。所有这些术语基本上同義，都指使用计算机而不是传统的绘图板来进行各种项目的设计和工程制图。通常由CAD创建的建筑和工程项目的范围很广，包括建筑设计制图，机械制图，电路图，和其他各种形式的设计交流方式。现在，它们都成为计算机辅助设计更广泛的定义的一部分。 设计者很早就开始使用计算机进行计算。有人认为Ivan Sutherland在1963年在麻省理工学院开发的Sketchpad是一个转折点。SKETCHPAD的突出特性是它允许设计者用图形方式和计算机交互：设计可以用一枝光笔在阴极射线管屏幕上绘制到计算机裡。实际上，这就是图形化用户界面的原型，而这种界面是现代CAD不可或缺的特性。 CAD最早的应用是在汽车制造、航空航天以及电子工业的大公司中。随着计算机变得更便宜，应用范围也逐渐变广。 CAD的实现技术从那个时候起经过了许多演变。这个领域刚开始的时候主要被用于产生和手绘的图纸相仿的图纸。计算机技术的发展使得计算机在设计活动中有更有技巧的应用。现今，CAD已经不仅仅用于绘图和显示，它开始进入设计者的专业知识中更“智能”的部分。 隨著電腦科技的日益發展，效能的提升和更便宜的價格，許多公司已採用立體的繪圖設計。以往，礙於電腦效能的限制，繪圖軟件只能停留在平面設計，欠了真實感。而立體繪圖則衝破了這限制，令設計藍圖更實體化。 现代CAD系统的功能包括：.
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英特尔
英特爾公司（Intel Corporation，、）是世界上最大的半導體公司，也是第一家推出x86架構處理器的公司，總部位於美國加利福尼亞州聖克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫，以“集成電子”（Integrated Electronics）之名在1968年7月18日共同創辦公司，將高階晶片設計能力與領導業界的製造能力結合在一起。英特爾也有開發主機板晶片組、網路卡、快閃記憶體、繪圖晶片、嵌入式處理器，與對通訊與運算相關的產品等。“Intel Inside”的廣告標語與Pentium系列處理器在1990年代間非常成功的打響英特爾的品牌名號。 英特爾早期在開發SRAM與DRAM的記憶體晶片，在1990年代之前這些記憶體晶片是英特爾的主要業務。在1990年代時，英特爾做了相當大的投資在新的微處理器設計上與培養快速崛起的PC工業。在這段期間英特爾成為PC微處理器的供應領導者，而且市場定位具有相當大的攻勢與有時令人爭議的行銷策略，就像是微軟公司一樣支配著PC工業的發展方向。而Millward Brown Optimor發表的2007年在世界上最強大的品牌排名顯示出英特爾的品牌價值由第15名掉落了10個名次到第25名。 而主要競爭對手有AMD、NVIDIA及Samsung。.
IP核
IP核，全称知识产权核（intellectual property core），是在集成电路的可重用设计方法学中，指某一方提供的、形式为逻辑单元、芯片设计的可重用模組。IP核通常已经通过了设计验证，设计人员以IP核为基础进行设计，可以缩短设计所需的周期。IP核可以通过协议由一方提供给另一方，或由一方独自占有。IP核的概念源于产品设计的专利证书和源代码的版权等。设计人员能够以IP核为基础进行特殊應用積體電路或现场可编程逻辑门阵列的逻辑设计，以减少设计周期。 IP核分为软核、硬核和固核。软核通常是与工艺无关、具有寄存器传输级硬件描述语言描述的设计代码，可以进行后续设计；硬核是前者通过逻辑综合、布局、布线之后的一系列表征文件，具有特定的工艺形式、物理实现方式；固核则通常介于上面两者之间，它已经通过功能验证、时序分析等过程，设计人员可以以逻辑门级网表的形式获取。.
SiP
SiP（System in Package） SiP（系統級封裝）為一種封裝的概念，是將一個系統或子系統的全部或大部份電子功能配置在整合型基板內，而晶片以2D、3D的方式接合到整合型基板的封裝方式。 SIP不僅可以組裝多個晶片，還可以作為一個專門的處理器、DRAM、快閃記憶體與被動元件結合電阻器和電容器、連接器、天線等，全部安裝在同一基板上上。這意味著，一個完整的功能單位可以建在一個多晶片封裝，因此，需要添加少量的外部元件，使其工作。 SiP技術包括：.
