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动态随机存取存储器
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。 與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。.
Atmel
爱特梅尔（Atmel）是一家美國半導體廠，成立于1984年，總部位於美國加州。重要產品有SiGe、CMOS、Logic、Mixed-Singal和BiCMOS。 1993年，爱特梅尔開始第一個8位元Flash 微控制器，並基於8051內核。 1996年，爱特梅尔在挪威成立Trondheim設計中心，開始致力於Atmel AVR系列產品的設計。1997年，爱特梅尔正式發表AVR，AVR是一種精简指令集（RISC）的高速8位元的單晶片。 2016年，微晶片科技以35.6億美元併購爱特梅尔。.
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东芝
東芝（，Toshiba Corporation）是日本八大旗艦電機製造商之一，目前因業績不佳，財報造假，而面臨倒閉風險，現東芝已無消費性電子產品部門，皆已分拆或售出，半導體部門也預計將出售。東芝於2015年，爆發涉及高達16億美元的會計造假案件，主要為來自晶片及半導體部門的虛假營收及掩蓋來自西屋核電公司的虧損，導致東芝現面臨除牌及破產問題。.
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系统芯片
系统芯片（System on Chip，縮寫：SoC）是一个将電腦或其他电子系统集成到单一芯片的集成电路。系统芯片可以处理数字信号、模拟信号、混合信号甚至更高频率的信号。系统芯片常常應用在嵌入式系统中。系统芯片的集成规模很大，一般达到几百万门到几千万门。 尽管微控制器通常只有不到100 kB的随机存取存储器，但是事实上它是一种简易的、功能弱化的单芯片系统，而“系统芯片”这个术语常被用来指功能更加强大的处理器，这些处理器可以运行Windows和Linux的某些版本。系统芯片更强的功能要求它具备外部存储芯片，例如有的系统芯片配备了闪存。系统芯片往往可以连接额外的外部设备。系统芯片对半导体器件的集成规模提出了更高的要求。为了更好地执行更复杂的任务，一些系统芯片采用了多个处理器核心。.
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系統單晶片
#重定向 系统芯片.
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瑞薩電子
薩電子公司（日文：ルネサス エレクトロニクス株式会社，英文：Renesas Electronics Corporation.），為NEC電子以及瑞薩科技合併後所成立的新公司。於2009年9月16日簽定最終協議，以NEC電子為存續公司，與瑞薩科技進行合併。.
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电容器
電容器（Capacitor）是兩金屬板之間存在絕緣介質的一种电路元件。其單位為法拉，符号为F。電容器利用二個導體之間的電場來儲存能量，二導體所帶的電荷大小相等，但符號相反。.
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被動元件
被動元件（Passive components）在不同領域有不太一樣的定義，它是電子元件的類型之一。被定義為在工作時間內，不能供應任何平均值大於零的功率到外界的電子元件。例如電阻，將功率的消耗轉化為熱能。.
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覆晶技術
覆晶技術（Flip Chip），也稱“倒晶封裝”或“倒晶封裝法”，是晶片封裝技術的一種。此一封裝技術主要在於有別於過去晶片封裝的方式，以往是將晶片置放於基板（chip pad）上，再用打線技術（wire bonding）將晶片與基板上之連結點連接。覆晶封裝技術是將晶片連接點長凸塊（bump），然後將晶片翻轉過來使凸塊與基板（substrate）直接連結而得其名。 Flip Chip技术起源於1960年代，是IBM开发出之技术，IBM最早在大型主機上研發出覆晶技術。由於覆晶比其它球柵陣列封裝（BGA; Ball grid array）技術在与基板或衬底的互连形式要方便的多，目前覆晶技術已經被普遍應用在微處理器封裝，而且也成為繪圖、特種應用、和電腦晶片組等的主流封裝技術。借助市場對覆晶技術的推力，封裝業者必需提供8吋與12吋晶圓探針測試、凸塊增長、組裝、至最終測試的完整服務。.
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连接器
連接器可以指以下幾種物件。.
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闪存
快闪--（flash memory），是一种--的形式，允许在操作中被多次擦或写的--。這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料，如記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶片上的資料。 快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、手提電腦、數位隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。 快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言，它是不需要消耗電力的。與硬碟相比，快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性：當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM，但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢，相較之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。.
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電阻器
電阻器（Resistor），泛指所有用以產生電阻的電子或電機配件。電阻器的運作跟隨歐姆定律，其電阻值定義為其電壓與電流相除所得的比值。 其中 電阻器是電子電路中常見的元件，實際的電阻可以由許多不同的材質構成，包括薄膜、水泥或是高電阻系數的鎳鉻合金（）。電阻器也可整合到積體電路中，特別是類比IC，也可以整合到混合式集體電路或印刷電路中。 電阻器的機能可以用其電阻來表示，常用的電阻器阻值範圍超過9個數量級。電阻器阻值有一定的誤差範圍，在電子電路中使用電阻器時，需考慮使用電阻器的允許誤差和應用是否符合，若是一些精密的電路，可能也需要考慮電阻器的溫度係數。電阻器也會標示其最大功率，此數值需大於電阻器在電路中預期的能量消耗，尤其在電力電子應用中更需考慮。大功率的電阻器一般會需要散熱片。在高壓電路中也需考慮電阻器可承受的最大電壓，電阻器的工作電壓一般沒有下限，但電阻器的電壓若超過其最大電壓，可能在電流流過時使電阻器燃燒。 實際的電阻器會有串聯的雜散電感及並聯的雜散電容。在高頻應用時這些規格就相當重要。在低噪音放大器或是的應用中，電阻的雜訊也需要考慮。電阻器的雜散電感、雜訊及溫度係數都和電阻器製造商使用的技術有關。一般廠商生產的一系列電阻器會使用某特定技術，不會針對個別電阻器標示使用的技術。一系列電阻器也可能以其形狀因數來區分，也就是零件的大小，以及引腳或端子的位置，這些在實際電路板佈線時都需考慮到。.
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處理器
處理器可以指：.
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SanDisk
#重定向 闪迪.
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晶片尺寸封裝
晶片尺寸構裝（Chip Scale Package, CSP）是一種半導體構裝技術。 最早CSP只是晶片尺寸封裝的縮寫。根據IPC的標準J-STD-012, "Implementation of Flip Chip and Chip Scale Technology"，以符合晶片規模，封装必須有一個面積不超過1.2倍，更大的模具和它必須一個單晶片，直接表面貼裝封裝。 由於可攜式電子產品的外形尺寸日趨縮小，富士通和日立電線跟Murakami首次提出了這一概念。然而，第一個概念演示來自三菱電機。 晶片尺寸構裝是在TSOP、球柵陣列（ball grid array,BGA）的基础上，可蝕刻或直接印在矽片，導致在一個包，非常接近矽片的大小：這種包裝被稱為晶圓級芯片規模封裝（WL-CSP）或晶圓級封裝（WLP）。.
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亦称为 系統級封裝。