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9 关系: 卫星电视，化合物半导体，砷化鎵，移动电话，能隙，铟，金屬氧化物半導體場效電晶體，雷达，PN结。
卫星电视
卫星电视（簡稱衛視）即通过接收人造卫星转播过来的电视信号节目的电视广播方式。卫星电视的传输过程一般为：通过卫星将地面基站发射的微波信号远距离传输，最终用户使用定向天线将接收的信号通过解码器解码后输出到电视终端收视的一整套过程。其他常见的广播方式有地面電視和有線電視。 早期的微波信号为模拟信号，常常需要很大的天线来接收。90年代后期起数字信号渐渐成为主流，现在模拟信号大多已经淘汰。而数字信号又分为C,Ku两种波段传输，因为很多原因现在越来越多的运营商更趋于选择Ku段。而加密方式各运营商也有不同选择，华人运营商多选择法国电信、Conax、南瓜Nagra等加密方式。 此外，常常同波束的信号不仅负载视频信号，还会负载音频，数据（远程教育，远程网络传输），还会用作即时视讯传输等多种信号。.
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化合物半导体
化合物半导体或複合半導體（compound semiconductor）是一类由化合物构成的半导体材料。化合物半导体中的化合物通常由两种或更多元素的原子构成。常见的化合物半导体由13至15族元素（三五半导体）构成。可能形成的化合物组合较多，这是因为可以有二元化合物（例如砷化镓）和（例如）甚至（例如AlInGaP合金）。.
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砷化鎵
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。.
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移动电话
行動電話，又稱「手提式電話機」或「手提電話」，簡稱「手--機」，是可以在較廣範圍内使用的可攜式電話，與固定電話（座機）相對。1990年代中期以前價格昂貴，只有極少部分經濟實力較佳的人才買得起，而且體積龐大，因此又有大哥大的俗稱。1990年代後期大幅降價，如今已成為現代人日常不可或缺的電子用品之一。 目前在全球範圍内使用最廣是的第三代行動通訊技術。在台湾和中國大陸以GSM和LTE最為普及。第二代移动通信技术以GSM為主，它是數位制式的，除了可以進行語音通信以外，還可以收發短信、MMS、無線應用協議等。目前整個行業正在向第三代和第四代行動通訊技術遷移。 手機外觀上一般都應該包括至少一個液晶顯示器和一套按鍵，現時採用觸控式螢幕的手機減少了按鍵。現代的手機除了典型的電話功能外，還包含了個人數位助理、遊戲機、MP3、照相機、錄音機、GPS和連接網際網路等更多功能，它們都概括性地統稱作智慧型手機。.
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能隙
能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁带--宽度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或是絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個zh-cn:本征半导体;zh-hk:本徵半導體;zh-tw:本質半導體;-而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階E_0的機率。又假設E_0>>E_F，E_F是所謂的費米能階，電子佔據E_0的機率可以利用波茲曼近似簡化為： 在上式中，E_g是能隙的寬度、k是波茲曼常數，而T則是溫度。 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如-zh-cn:异质结双极性晶体管;zh-tw:異質接面雙載子電晶體;-（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、zh-hans:激光二极管;zh-hk:激光二極管;zh-tw:雷射二極體;-，或是太陽能電池上已經成為主流。.
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铟
铟是化学元素，化学符号是In，原子序数是49，是柔软的银灰色金属，带有光泽。 铟-115是最常见的铟同位素，带有微弱的放射性。 铟可用作低熔点合金、半导体、整流器、热敏电阻、平板顯示器等。含24%铟及76%镓的合金，在室温下是液体。 中国拥有世界上最大的铟储量，也是全球最大的铟生产国和出口国，产量占世界铟总产量的30％以上。2006年，中国精铟产量近300吨，原生铟供应量占全球的60％以上。日本是世界上最大的铟消费国，每年铟需求量占世界铟年产量的70%以上，绝大部分从中国进口。.
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金屬氧化物半導體場效電晶體
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的關注。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。.
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雷达
雷达（RADAR），是英文「Radio Detection and Ranging」（無線電偵測和定距）的縮寫及音譯。將電磁能量以定向方式發射至空間之中，藉由接收空間內存在物體所反射之電波，可以計算出該物體之方向，高度及速度，并且可以探测物体的形状。.
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PN结
一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN结（）。PN结是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。.
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