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多晶硅

指数 多晶硅

多晶硅,是由细小的单晶硅构成的材料。它不同于用于电子和太阳能电池的单晶硅,也不同于用于薄膜设备和太阳能电池的非晶硅。.

5 关系: 布里奇曼-史托巴格法保利協鑫能源非晶硅重结晶柴可拉斯基法

布里奇曼-史托巴格法

布里奇曼-史托巴格法晶體成長技術以哈佛物理學家珀西·布里奇曼與麻省理工學院物理學家唐納·史托巴格(Donald C. Stockbarger, 1895-1952)為名。這種技術囊括兩種大同而小異的方法進行人造胚晶(單晶晶錠)的晶體成長,但也可以凝固出多晶晶錠。 布里奇曼-史托巴格法牽涉到加熱多晶材料工件至其熔點以上的溫度,然後再從工件容器有晶種的一端緩慢地開始進行冷卻。今若欲將一塊多晶工件成長成單晶晶錠,則需要先找一顆單晶來擔任晶種,使其與工件之冷凝端相接,俟爐料經熔融凝固後,在冷卻爐段凝固新生的晶體沿坩鍋容器的長邊逐漸生成,且將與晶種有相同之結晶取向。該過程可以在水平或垂直方向上進行,且常涉及旋轉坩堝或安瓿來攪拌熔融液。 布里奇曼法雖然是20世紀初開發出來,算較老式的晶體成長方法,可是在長某些特定半導體晶體的時候還是很好用,尤其是那些柴氏拉晶法很難長的晶體,譬如說發光二極體要用的砷化鎵。用布里奇曼法來長單晶雖然頗為可靠,但是長出來的東西往往有性質、雜質不均勻的問題。 布里奇曼法跟史托巴格法的差異相當細微。兩種方法皆仰賴溫度梯度與移動的坩鍋,不過布里奇曼法利用爐口相對不易控制的溫度梯度;而史托巴格法則在加熱爐段跟冷卻爐段中間還加了一片隔板,把兩爐段不同溫度分開。一般認為史托巴格的改良,對於熔融的固液界面的溫度梯度控制較好。 當上述裝置沒有加晶種時,各種棒狀、塊狀、甚至不規則狀的晶體進料都可以在熔融又凝固後產生多晶晶錠。這些多晶晶錠的顯微組織會出現成列的晶粒,類似金屬或合金在後會有的顯微組織。.

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保利協鑫能源

保利協鑫能源控股有限公司(、),成立於1996年,原本是中國保利集團旗下公司,最初的業務是經營鍋爐、發電廠、電廠管理,其後收購太陽能相關業務。保利協鑫的香港總部設於香港九龍柯士甸道西一號環球貿易廣場17樓1703B-1706室。 保利協鑫能源於2007年在香港交易所上市,當時的招股價介乎3.3至4.1港元,集資最多11.81億元。在2009年,保利協鑫能源以263.5億元收購主席兼創辦人朱共山先生創立多晶硅生產商江蘇中能,相關資產包括:太陽能光伏電力站、多晶硅與硅片生產等。 2014年2月14日保利協鑫能源落實認購森泰集團3.6億股新股,每股作價4元,較停牌前折讓70.37%。現金總代價14.4億元。完成後,協鑫將持有森泰擴大後股本67.99%, 2014年11月,保利協鑫能源計劃以總代價101億元向朱共山及其關連投資者出售貢獻公司盈利約一半的硅片生產業務。朱共山計劃之後再把硅片生產業務注入上海超日,而保利協鑫能源會轉移業務重心至多晶硅上游業務。同年12月19日,保利協鑫能源宣布取消有關交易。.

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非晶硅

非晶硅(Amorphous silicon, a-Si),又名无定形硅,是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列,每一个硅原子位于正四面体的顶点,并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大,从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构,原子间的晶格网络呈无序排列。换言之,并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性,无定形硅中的部分原子含有懸鍵(Dangling_bond)。这些懸鍵对硅作为导体的性质有很大的负面影响。然而,这些悬空键可以被氢所填充,经氢化之后,无定形硅的悬空键密度会显著减小,并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是,在光的照射下,氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退,这种特性被称为SWE效应(Staebler-Wronski_Effect )。 美国科学家Stanford R. Ovshinsky拥有许多关于无定形硅的专利,包括半导体、太阳能电池等。它们的成本较相应的晶体硅制成品要低很多。 此外,无定形硅可用作熱成像照相机(Thermal_camera)中的微辐射探测仪(microbolometer)。.

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重结晶

重结晶(Recrystallization),再结晶,晶种结晶法,也称之為優先結晶法;是一种物理过程,在化学、冶金学和地质学中有很不同的用途。.

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柴可拉斯基法

柴可拉斯基法(简称柴氏法 Czochralski process),又称直拉法,是一种用来获取半导体(如硅、锗和砷化镓等)、金属(如钯、铂、银、金等)、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基(Jan Czochralski),他在1916年研究金属的结晶速率时,发明了这种方法。後來,演變為鋼鐵工廠的標準製程之一。 直拉法最重要的应用是晶、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体,例如砷化镓,也可以利用直拉法进行生长,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以获得更低的晶体缺陷密度。.

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