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5 关系: 介電質，随机存取存储器，非揮發性記憶體，铁电性，SDRAM。
介電質
介電質（dielectric）是一種可被電極化的絕緣體。假設將介電質置入外電場，則束縛於其原子或分子的束縛電荷不會流過介電質，只會從原本位置移動微小距離，即正電荷朝著電場方向稍微遷移位置，而負電荷朝著反方向稍微遷移位置。這會造成介電質電極化，從而在介電質內部產生反抗電場，減弱整個介電質內部的電場。假若介電質是由弱鍵結的分子構成，則這些分子不但會被電極化，也會改變取向，試著將自己的對稱軸與電場對齊。 介電質通常指的是可被高度電極化的物質。在原子與分子層次，極化性可以用來衡量微觀的電極化性質，從極化性可以理論計算出介電質的電極化率和電容率，兩個巨觀的電極化性質。或者，可以直接從實驗測量出介電質的電極化率和電容率。假若置入了具有高電容率的介電質，則平行板電容器的電容會大幅增加，儲存於兩塊金屬平行板的正負電荷也會增加 。 介電質的用途相當廣泛。介電質的電傳導能力很低，再加上具備有很好的（dielectric strength）性質，就可以用來製造電絕緣體。另外介電質可被高度電極化，是優良的電容器材料。對於介電性質的研究，涉及了物質內部電能和磁能的儲存與耗散。用於解釋電子學、光學和固態物理的各種各樣現象，這研究極端重要。 回應麥可·法拉第的請求，英國科學家威廉·暉巍（William Whewell）命名所有可被電極化的絕緣體為介電質。.
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随机存取存储器
随机存取存储器（Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以隨時读写（重新整理時除外，見下文），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式的临时資料存储媒介。 主記憶體（Main memory）即電腦內部最主要的記憶體，用來載入各式各樣的程式與資料以供CPU直接執行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主記憶體的最主要部分。2014年生產電腦所用的主記憶體主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4記憶體取代DDR3L。.
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非揮發性記憶體
非揮發性記憶體（non-volatile memory，缩写为NVM）是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失者的電腦記憶體。非揮發性記憶體中，依記憶體內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。.
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铁电性
铁电性（Ferroelectricity）是某些材料存在自发的电极化，并在外加电场的作用下可以被反转的特性。该术语被用于类比铁磁性，其中，材料表现出永久磁矩。当铁电性于1920年被Valasek在酒石酸钾钠中发现时，铁磁性就已经被知道See and 。其英文术语的前缀ferro，意思是铁，只是被用来描述属性，事實上大多数铁电材料不含有铁。.
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SDRAM
同步動態隨機存取記憶體（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一個同步接口的動態隨機存取記憶體（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管線(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。 管線意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。在一个写入的管線中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入--的时间。在一个读取的流水线中，需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达，而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延迟被称为等待时间(Latency)，在为计算机购买記憶體时是一个很重要的参数。 SDRAM在计算机中被广泛使用，从起初的SDRAM到之后一代的DDR（或称DDR1），然后是DDR2和DDR3进入大众市场，2015年開始DDR4進入消費市场。.
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