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横向扩散金属氧化物半导体和縮寫

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横向扩散金属氧化物半导体和縮寫之间的区别

横向扩散金属氧化物半导体 vs. 縮寫

横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,缩写:LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs-zh-cn:场效应管; zh-tw:場效電晶體;-)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。 Category:金属氧化物半导体. 縮寫(abbreviation),在语言学裡嚴格地说是一種詞語的簡易格式,又称缩略语或簡稱。但實際上,它是從詞中提取關鍵字來簡要地代表原來的意思。例如,「欧洲联盟」被省略作為「欧盟」。.

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横向扩散金属氧化物半导体和縮寫之间的比较

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参考

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