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半导体
半导体（Semiconductor）是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成N型半導體；如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個電洞（hole），這樣就形成P型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視為多了1個正電荷）。.
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化合物
化合物（Chemical compound）是由兩種以上的元素以固定的質量比通过化學鍵结合在一起的化學物質。化合物可以由化學反應分解為更簡單的化學物質。像甲烷（CH4）、葡萄糖（C6H12O6）、硫酸鉛（PbSO4）及二氧化碳（CO2）都是化合物。 化合物是純物質分类下的一类，与元素和混合物相对。尽管有些情况下化合物的实际情况会与上述定义背离，如组成元素随制备方法而改变，内部结构并不均一，不同核素的分布并不固定等等，但一般仍认为它们属于化合物的范畴。另外，化合物中各元素的摩尔比并不一定是整数，某一元素也可呈不同的价态，例如非整比化合物和混合价态化合物。 化學元素的單質即使由幾個原子形成雙原子分子或多原子分子（如H2, S8），也不是化合物。 除特别不活泼的稀有气体氦和氖外，其他所有稳定元素都已制成了化合物。稀有气体化合物的制备曾费了一些周折。第一個稀有气体化合物六氟合铂酸氙是在1962年才製備而得。.
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國家教育研究院
國家教育研究院（National Academy for Educational Research.），簡稱國教院或教研院，是中華民國有關教育研究工作的最高專責機構，隸屬於教育部，由「國立教育研究院籌備處」（後更名為國家教育研究院籌備處）陸續整併臺灣省國民學校教師研習會、臺灣省中等學校教師研習會，並於2011年3月30日與國立編譯館、國立教育資料館共同整併而正式成立。除進行整體性、系統性、長期性的教育研究，也負有教科書審定、課程研發、測驗評量及辦理中小學行政人員研習等任務。.
分子束外延
分子束外延（Molecular beam epitaxy, MBE）是使单晶材料生长的一种方法，由贝尔实验室的J.
CMOS
#重定向 互補式金屬氧化物半導體.
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砷化鎵
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。.
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硅
硅（Silicon，台湾、香港及澳門称為--，舊訛稱為釸，中國大陸稱為--）是一种类金属元素，化学符号為Si，原子序數為14，属于元素周期表上的IVA族。 硅原子有4个外圍电子，与同族的碳相比，硅的化学性质相對稳定，活性較低。硅是极为常见的一种元素，然而它极少以單質的形式存在於自然界，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅等化合物形式广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。在宇宙储量排名中，矽位於第八名。在地壳中，它是第二丰富的元素，佔地壳总质量25.7%，仅次于第一位的氧（49.4%）。.
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结晶
结晶，是指从饱和溶液中凝結，或從氣體凝華出具有一定的几何形状的固体（晶體）的过程。在自然環境下，氣溫的下降壓力的作用，都會造成結晶。結晶的過程一般可分為兩個階段（包括成核和晶體生長期），时间也有所不同。 結晶亦是一種分離固態和液態物質的技術，其中溶質由溶液中轉移至純淨的晶體裡。不少自然過程都涉及結晶.
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蒸鍍
蒸鍍（Deposition）是指將金屬和氧化物等蒸發，使其於素材的表面附著形成一層薄膜的一種方法。蒸鍍可大略分為物理蒸鍍（PVD）與 化學蒸鍍(CVD)兩種。 接下來以PVD的一種真空蒸鍍來說明。.
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集成电路
集成电路（integrated circuit，縮寫：IC；integrierter Schaltkreis）、或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶--片/芯--片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半導體裝置，也包括被动元件等）小型化的方式，並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜（thin-film）積體電路。另有一種（thick-film）（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜積體電路。 從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯，卻早於1990年就過世。.
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晶体管
晶体管（transistor），早期音譯為穿細絲體，是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點（稱為極），(C)集極、(E)射極、(B)基極，其中(B)基極是控制極，另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压，改變輸出端的阻抗 ，從而控制通過輸出端的电流，因此晶體管可以作為電流開關，而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此晶体管可以作為电子放大器。.
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另见
半導體元件製程
- C-V特性曲线
- SOI
- SOS (半导体)
- 三維晶片
- 净室
- 刻蚀
- 前開式晶圓傳送盒
- 化学机械平坦化
- 化学气相沉积
- 半导体器件制造
- 半导体器件可靠性
- 卓以和
- 原子层沉积
- 反应离子刻蚀
- 外延 (晶体)
- 套刻精度控制
- 微技术
- 打線接合
- 掺杂 (半导体)
- 旋转涂覆
- 晶圓
- 晶圓代工
- 有机金属化学气相沉积法
- 歐姆接觸
- 氮化钛
- 無廠半導體公司
- 物理气相沉积
- 硅穿孔
- 离子注入
- 等离子体浸没离子注入
- 脉冲激光沉积
- 被测器件
- 负偏置温度不稳定性
- 超純水
- 酚醛树脂
- 钝化
- 集成电路封装
晶体学
- X射线晶体学
- 倒易点阵
- 克努森容器
- 共晶体
- 准晶体
- 勞厄方程式
- 卡普斯钦斯基方程
- 原子堆積因子
- 同系列
- 同质异形体
- 埃瓦尔德球
- 外延 (晶体)
- 孪晶
- 密勒指数
- 布拉格定律
- 布拉菲晶格
- 布里渊区
- 德拜-沃勒因子
- 截半六邊形鑲嵌
- 時間晶體
- 晶体化学
- 晶体学
- 晶体学点群
- 晶体学限制定理
- 晶体惯态
- 晶体生长
- 晶体结构
- 晶格能
- 晶粒边界
- 晶系
- 最密堆积
- 热椭球体
- 球極平面投影
- 电子衍射
- 皮尔逊符号
- 空间群
- 織構
- 结晶
- 结晶水
- 结构因子
- 维格纳-赛兹原胞
- 解理
- 赫尔曼–莫甘记号
- 鑽石結構
- 阿夫拉米方程
- 雷射加熱平台成長
- 馬德隆常數
- 點群
薄膜沉积
- SOS (半导体)
- 分子束外延
- 化学气相沉积
- 原子层沉积
- 外延 (晶体)
- 旋转涂覆
- 有机金属化学气相沉积法
- 浸润层
- 溅射
- 溶膠凝膠
- 热障涂层
- 物理气相沉积
- 类金刚石碳
- 脉冲激光沉积
- 蒸发
- 镀层
- 馬口鐵
亦称为 磊晶成長。