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工艺
工艺（Craft）是劳动者利用生产工具对各种原材料、半成品进行增值加工或处理，最终使之成为製成品的方法与过程。 制定工艺的原则是：技术上的先进和经济上的合理。由于不同的工厂的设备生产能力、精度以及工人熟练程度等因素都大不相同，所以对于同一种产品而言，不同的工厂制定的工艺可能是不同的；甚至同一个工厂在不同的时期做的工艺也可能不同。可见，就某一产品而言，工艺并不是唯一的，而且没有好坏之分。这种不确定性和不唯一性，和现代工业的其他元素有较大的不同，反而类似艺术。所以，有人将工艺解释为“做工的艺术”。.
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化学气相沉积
化學氣相沉積（chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。 微制程大都使用CVD技术来沉积不同形式的材料，包括单晶、多晶、非晶及磊晶材料。这些材料有硅、碳纤维、碳奈米纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的等材料。CVD制程也常用来生成合成钻石。.
蒸鍍
蒸鍍（Deposition）是指將金屬和氧化物等蒸發，使其於素材的表面附著形成一層薄膜的一種方法。蒸鍍可大略分為物理蒸鍍（PVD）與 化學蒸鍍(CVD)兩種。 接下來以PVD的一種真空蒸鍍來說明。.
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脉冲激光沉积
脈衝雷射沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為脈衝雷射燒蝕（pulsed laser abalation，PLA）為物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的一種, 是一種利用聚焦後的高功率脈衝雷射於真空腔體中對靶材進行轟擊，由於雷射能量極強，會將靶材汽化形成電漿蕈狀團(plasma plume)，並沉澱於基板上形成薄膜。 於鍍膜可於高真空、超高真空或通入工作氣體(如欲沉積氧化物薄膜，通常會通入氧氣作為其工作氣體)的環境下進行。 於脈衝雷射沉積的過程中，雷射的能量被靶材吸收之後，能量首先激發靶材內部的電子躍遷，之後再轉成熱能等使靶材汽化形成電漿態，於電漿雲中，包含分子、原子、電子、離子、微粒、融球體等物質。 Category:半導體物理學 Category:薄膜沉積 Category:雷射机械加工 Category:雷射應用.
金屬射出成型
金屬射出成型（Metal Injection Molding，縮寫MIM）或稱「粉末射出成型」（Powder Injection Molding）、「陶瓷射出成型」（Ceramic Injection Molding），乃結合塑膠射出成型、高分子聚合物化學、粉末冶金技術及金屬材料科學的革命性技術，由美國加州於1973年發表。其技術利用超微金屬粉末與結合劑， 經過混合、混煉、加熱及造粒等工程製成射出成型原料，具流動性，透過高精密特製模具（射出機）成型為生胚，再經脫臘脂、燒結等程序，或自動化快速製造高密度、高精度且形狀複雜的金屬零件，具減少傳統金屬加工的程序與成本之優點。最後依照產品功能及規格需求，必要時進行第2加工，例如熱處理、表面處理等。，台中精機1973年發表後，只看到成果，如何做出成品，仍待研究，俟1990年代紐約-zh-cn:伦斯勒理工学院; zh-hant:壬色列理工學院;-（RPI）粉末射出學教授蘭德爾·M·吉門（Randall M.
另见
半導體元件製程
- C-V特性曲线
- SOI
- SOS (半导体)
- 三維晶片
- 净室
- 刻蚀
- 前開式晶圓傳送盒
- 化学机械平坦化
- 化学气相沉积
- 半导体器件制造
- 半导体器件可靠性
- 卓以和
- 原子层沉积
- 反应离子刻蚀
- 外延 (晶体)
- 套刻精度控制
- 微技术
- 打線接合
- 掺杂 (半导体)
- 旋转涂覆
- 晶圓
- 晶圓代工
- 有机金属化学气相沉积法
- 歐姆接觸
- 氮化钛
- 無廠半導體公司
- 物理气相沉积
- 硅穿孔
- 离子注入
- 等离子体浸没离子注入
- 脉冲激光沉积
- 被测器件
- 负偏置温度不稳定性
- 超純水
- 酚醛树脂
- 钝化
- 集成电路封装