CMOS和外延 (晶体)

CMOS和外延 (晶体)之间的区别

CMOS vs. 外延 (晶体)

#重定向互補式金屬氧化物半導體. 晶（Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，但在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。.

之间CMOS和外延 (晶体)相似

CMOS和外延 (晶体)有（在联盟百科）0共同点。

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什么CMOS和外延 (晶体)的共同点。
什么是CMOS和外延 (晶体)之间的相似性

CMOS和外延 (晶体)之间的比较

CMOS具有1的关系，而外延 (晶体)有11个。由于它们的共同之处0，杰卡德指数为0.00% = 0 / (1 + 11)。

参考

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