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44 关系: 加法，双极性晶体管，增益，差分放大器，带宽，乘法器，二極體，仙童半導體，开环增益，微分，快捷半導體，场效应管，哥伦比亚大学，儀表放大器，共基極，共模抑制比，噪声，短路，环路增益，积分，積分器，美國國家半導體，美元，真空管，達靈頓電晶體，鮑伯·韋勒，貝爾實驗室，负反馈，開迴路增益，金屬氧化物半導體場效電晶體，離散，電壓，電源電壓抑制比，雜訊，集成电路，耦合，虚拟接地，接地，模拟计算机，欧姆定律，正回饋，有源负载，施密特触发器，晶体管。
加法
加法是基本的算术運算。加法即是將二個以上的數，合成一個數，其結果称為和。加法與減、乘、除合稱「四則運算」。 表達加法的符號為加號（+）。進行加法時以加號將各項連接起來。把和放在等號（.
双极性晶体管
双极性電晶體（bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 通斷（傳遞訊號）時的雙極晶體管表現出一些延遲特性。大多數晶體管，尤其是功率晶體管，具有長的儲存時間，限制操作處理器的最高頻率。一種方法用於減少該存儲時間是使用Baker clamp。.
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增益
增益在電子學上，通常為一個系統的訊號輸出與訊號輸入的比率。如5倍的增益，即是指系統令電壓或功率增加了5倍。增益主要應用於放大電路中。.
差分放大器
差分放大器（differential amplifier、difference amplifier，也称：差动放大器、差放），是一种将两个输入端电压的差以一固定增益放大的电子放大器。 差分放大器是一种常用的电子放大器（也称“功率放大器”，简称“功放”）和发射极耦合逻辑电路 （Emitter Coupled Logic, ECL）的输入级。若差放的两个输入为V_\mathrm^和V_\mathrm^，则它的输出V_\mathrm为： 其中A_\mathrm是差模(動)增益（differential-mode gain），A_\mathrm是共模增益（common-mode gain）。 通常以差模增益和共模增益的比值共模抑制比（common-mode rejection ratio, CMRR）衡量差分放大器消除共模信号的能力： 由上式可知，当共模增益A_\mathrm \to 0时，CMRR \to \infty。R_\mathrm越大，A_\mathrm就越低，因此共模抑制比也就越大。因此对于完全对称的差分放大器来说，其A_\mathrm.
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带宽
带宽（Bandwidth）指信号所占据的频带--宽度；在被用来描述信道时，带宽是指能够有效通过该信道的信号的最大频带--宽度。对于模拟信号而言，带寬又称为频寬，以赫兹（Hz）为单位。例如模拟语音电话的信号带宽为3400Hz，一个PAL-D电视频道的带宽为8MHz（含保护带宽）。对于数字信号而言，带宽是指单位时间内链路能够通过的数据量。例如ISDN的B信道带宽为64Kbps。由于数字信号的传输是通过模拟信号的调制完成的，为了与模拟带宽进行区分，数字信道的带宽一般直接用波特率或符号率来描述。 带宽在信息论、无线电、通信、信号处理和波谱学等领域都是一个核心概念。.
乘法器
二进制的乘法器（multiplier）是数字电路的一种元件，它可以将两个二进制数相乘。乘法器是由更基本的加法器组成的。 可以使用一系列计算机算数技术来实现数字乘法器。大多数的技术涉及了对部分积（partial product）的计算（其过程和我们使用竖式手工计算多位十进制数乘法十分类似），然后将这些部分积相加起来。这一过程与小学生进行多位十进制数乘法的过程类似，不过在这里根据二进制的情况进行了修改。.
二極體
#重定向 二極管.
仙童半導體
#重定向 快捷半导体.
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开环增益
开环增益（open-loop gain）是運算放大器的參數，一般以A_表示，是在沒有反馈電路時的增益。 A_.
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微分
在数学中，微分是对函数的局部变化率的一种线性描述。微分可以近似地描述当函数自变量的取值作足够小的改变时，函数的值是怎样改变的。当某些函数\textstyle f的自变量\textstyle x有一个微小的改变\textstyle h时，函数的变化可以分解为两个部分。一个部分是线性部分：在一维情况下，它正比于自变量的变化量\textstyle h，可以表示成\textstyle h和一个与\textstyle h无关，只与函数\textstyle f及\textstyle x有关的量的乘积；在更广泛的情况下，它是一个线性映射作用在\textstyle h上的值。另一部分是比\textstyle h更高阶的无穷小，也就是说除以\textstyle h后仍然会趋于零。当改变量\textstyle h很小时，第二部分可以忽略不计，函数的变化量约等于第一部分，也就是函数在\textstyle x处的微分，记作\displaystyle f'(x)h或\displaystyle \textrmf_x(h)。如果一个函数在某处具有以上的性质，就称此函数在该点可微。 不是所有的函数的变化量都可以分为以上提到的两个部分。若函数在某一点无法做到可微，便称函数在该点不可微。 在古典的微积分学中，微分被定义为变化量的线性部分，在现代的定义中，微分被定义为将自变量的改变量\textstyle h映射到变化量的线性部分的线性映射\displaystyle \textrmf_x。这个映射也被称为切映射。.
快捷半導體
#重定向 快捷半导体.
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场效应管
-- 场效应管（field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。.
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哥伦比亚大学
纽约市哥伦比亚大学（英文：Columbia University in the City of New York；通称：哥伦比亚大学），是一所坐落于纽约市曼哈顿上城晨边高地的私立研究型大学，常春藤联盟成员。她被视作世界上最具声望的大学之一。 哥伦比亚大学最初名为国王学院（King's College），于1754年根据英国国王乔治二世颁布的王室特许状成立。她是全美历史第五悠久及纽约州最古老的高等教育机构，也是九所美国独立宣言签署前成立的殖民地学院之一。美国独立战争之后，国王学院于1784年被重新命名为哥伦比亚学院（Columbia College）。一份1787年起草的章程将学校置于一个私人董事会的管理之下。1896年，她从麦迪逊大道搬迁至她现在位于晨边高地，占地32英亩的校址，并同时被赋予了一个新名称，即“哥伦比亚大学”。哥伦比亚大学是美国大学协会的十四个创立成员之一，并且是美国第一所授予医学博士学位的大学。 大学直辖二十所学院，包括哥伦比亚学院、傅氏基金工程和应用科学学院和通识教育学院 三所本科生院。同时，许多临近的机构也附属于哥伦比亚大学，包括教师学院、巴纳德学院、协和神学院。另外，学校还与美洲犹太教神学院、巴黎政治学院和朱利亚学院拥有本科联合教育项目 。大学同时在安曼、北京、伊斯坦布尔、巴黎、孟买、里约热内卢、圣地亚哥、亚松森和内罗毕建立了哥伦比亚大学全球中心。 哥伦比亚大学是每年一度的普利策奖的颁发机构，哥伦比亚大学——包括其前身国王学院——的著名校友包括五位美国开国元勋；九位美国最高法院法官；二十位在世的亿万富翁；二十九位奥斯卡奖获得者；以及二十九位各国元首，包括三位美国总统。九十五位校友、教职工或研究人员是诺贝尔奖获得者，数量在全球所有大学中名列第五。.
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儀表放大器
儀表放大器（instrumentation amplifier或稱精密放大器簡稱INA），差動放大器的一種改良，具有輸入緩衝器，不需要輸入阻抗匹配，使放大器適用於測量以及電子儀器上。.
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共基極
在電子學裡，共基極放大器是三個基本單級BJT放大器結構的其中一種，通常被使用於電流緩衝或電壓放大器。在這個電路中，射極作為輸入端，集極作為輸出端，基極為共用端（它可能接地，或是接到電源）。類似在場效電晶體電路的共閘極（common gate）。.
共模抑制比
共模抑制比（common-mode rejection ratio, CMRR）是模拟电路中差分放大器（或者其他电子器件）的一个用于衡量其抑制两端输入信号共模部分的一个参数。在实际应用中，例如，当有用信号为低电压信号且叠加在一个可能较高的电压补偿，或者是相关信息表示为在两个信号的差值时，较高的共模抑制比就十分重要。 理想状态下，一个差分放大器两个输入端分别输入V_+和V_-，输出V_\mathrm.
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噪声
#重定向 噪音.
短路
短路（Short circuit）是指在正常电路中电势不同的两点不正确地直接碰接或被阻抗（或电阻）非常小的導體接通时的情况。短路时电流强度很大，往往会损坏电气设备或引起火灾。 电力系统在运行中，相与相之间或相与地（或中性线）之间发生非正常连接（即短路）时而流过非常大的电流。其电流值远大于额定电流，并取决于短路点距电源的电气距离。例如，在发电机端发生短路时，流过发电机的短路电流最大瞬时值可达额定电流的10～15倍。大容量电力系统中，短路电流可达数万安。这会对电力系统的正常运行造成严重影响和后果。.
环路增益
环路增益（loop gain）為電子學及控制工程的名詞，是指一反馈迴路中的總增益，一般會以比例或是分貝表示。环路增益常用在放大器及电子振荡器的線路中，後來更擴展到控制工廠及設備的工業中。环路增益的概念也用在生物學中。在反馈迴路中，為了控制輸出，會量測設備、程序的輸出，取樣後，再以此影響輸入信號，使輸出控制的更理想。环路增益和环路相位移決定了設備的特性，也決定輸出是否穩定，或是不穩定（振荡）。海因里希·巴克豪森在1921年最早發現环路增益在電子反馈放大器特性分析中的重要性，後來在1930年代由贝尔实验室的亨德里克·韋德·波德及哈里·奈奎斯特繼續發展。 右圖是有负反馈電子放大器的方塊圖。輸入信號和一信號相減，送到开环增益為A的放大器中，進行放大。放大器的輸出送到增益為β的反馈迴路中，再和放大器的輸入信號相減，成為放大器的輸入。环路增益可以先假設反馈迴路先在某一點切斷，再看給予一信號時的總增益。以右圖為例，环路增益是二個增益的乘積−Aβ，負號的原因是因為輸入信號是和反馈信號相減才送到放大器中。在放大器中，环路增益是以分貝表示的开环增益圖及閉环增益圖（1/β圖）之間的差。 增益A和β會隨輸出信號的頻率而改變，因此环路增益也會隨頻率而變化，一般會表示為角頻率ω（單位為弧度每秒）的函數。 在通訊上，环路增益可以指载波終端或是二線中继器上的可用功率增益。最大的可用增益是由閉迴路的總損失決定，可用增益不能大於總損失。.
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积分
积分是微积分学与数学分析裡的一个核心概念。通常分为定积分和不定积分两种。直观地说，对于一个给定的正实值函数 f(x)， f(x)在一个实数区间 上的定积分 可以理解为在 \textstyle Oxy坐标平面上，由曲线 (x,f(x))、直线x.
積分器
積分器是一種元件，其輸出信號為輸入信號對時間的積分，積分器可以視為是計數器的連續版本，可以將輸入累計後再輸出。 積分器是許多工程及科技應用中重要的一部份。像機械積分器可以用來量測水流或是電能，類比電子積分器是類比電腦的基礎。.
美國國家半導體
美國國家半導體（National Semiconductor，簡稱國半）是最大的半導體製造商之一，專於類比元件及子系統，總部位於美國加州聖塔克拉拉，產品包括電力管理電路、顯示器驅動、音頻與運算放大器、通訊接口產品及數據轉換方案。美國國家半導體的主要市場包括無線耳機、顯示器及多個廣泛的電子市場，包括醫學、汽車、工業與試驗與測量應用。 美國國家半導體於1959年5月27日由數名斯派里公司（Sperry Rand Corporation）的工程師創立，多年來收購了數家公司，如在1987年收購仙童半導體公司與在1997年收購Cyrix。但隨著時間的過去美國國家半導體開始分拆該些收購得來的公司，仙童半導體在1997年再次成為獨立公司，Cyrix微處理器部門在1999年出售予威盛電子，資訊設備部門(「互聯網小器具」高度整合式處理器)在2003年出售予超微，先進個人電腦事業處(Advanced PC Division)在2005年出售予華邦電子，其他業務如數位無線晶片組亦於近期關閉，而美國國家半導體已轉型為一家高性能類比半導體公司。 2011年4月4日，德州儀器宣佈以65億美元收購美國國家半導體。2011年9月23日，德州儀器與美國國家半導體正式合併。.
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美元
美元（United States Dollar；ISO 4217代码：USD），又稱美圓、美金，（美國）聯邦儲備票據，是美国作為存款債務的官方货币。它的出现是由于《1792年铸币法案》的通过。它同时也作为储备货币在美国以外的国家广泛使用。目前美元的发行是由美国联邦储备系统控制。美元通常可以使用符号“$”来表示，而用来表示美分的标志则是“¢”。国际标准化组织为美元取的ISO 4217标准代号为USD。.
真空管
-- -- -- -- 真空管（Vacuum Tube）是一種在電路中控制電子流動的電子元件。參與工作的電極被封裝在一個真空的容器內（管壁大多為玻璃），因而得名。在中国大陆，真空管則會被稱為「電子管」。在香港和廣東省，真空管會被稱作「膽」。一般來說真空管內都是真空。但隨著發展也不一定：有充气震盪管、充氣穩壓管及水银整流管。 在二十世紀中期前，因半導體尚未普及，基本上當時所有的電子器材均使用真空管，形成了當時對真空管的需求。但在半導體技術的發展普及和平民化下，真空管因成本高、不耐用、體積大、效能低等原因，最後被半導體取代了。但是可以在音響擴大機、微波爐及人造衛星的高頻發射機看見真空管的身影；許多音響特別使用真空管是因為其特殊音質，在音響界、老舊的真空管常與最新的數位IC共存。另外，像是電視機與電腦陰極射線管顯示器內的阴极射线管以及X光機的X射线管等則是屬於特殊的真空管。 對于大功率放大（如百万瓦电台）及衛星而言（微波大功率）而言，大功率真空管及行波管仍是唯一的選擇。對于高頻電焊機及X射线机，它仍是主流器件。.
達靈頓電晶體
#重定向 达灵顿晶体管.
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鮑伯·韋勒
鮑伯韋勒（Robert John (Bob) Widlar） - ，是一位美国电子工程师，以设计了 集成电路 而知名。.
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貝爾實驗室
#重定向 贝尔实验室.
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负反馈
負回饋（negative feedback），是反馈的一種。是指系统的输出會影響系統的輸入，在輸出變動時，所造成的影響恰和原來變動的趨勢相反；反之，就稱為正回饋。另一種說法是系统在一個條件變化時，系統會作出抵抗該變化的行為。例如人的體溫上昇時會流汗，流汗會散熱使體溫下降，就是負反饋的一個例子；在自然界有許多系統有負反饋的特性，其他例子包括勒沙特列原理和楞次定律。 在特定的條件下，負回饋會使系统趋于稳定，负反馈的研究是控制理论的核心问题。.
開迴路增益
#重定向 开环增益.
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金屬氧化物半導體場效電晶體
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的關注。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。.
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離散
離散（Discrete）与连续相对，离散量是指分散开来的、不存在中间值的量。離散可以是指：.
電壓
電壓（Voltage，electric tension或 electric pressure），也稱作電位差（electrical potential difference），是衡量单位电荷在静电场中由于電勢不同所產生的能量差的物理量。此概念與水位高低所造成的「水壓」相似。需要指出的是，“电压”一词一般只用于电路当中，“電動勢”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。 電壓的國際單位是伏特（V）。1伏特等於對每1庫侖的電荷做了1焦耳的功，即U(V).
電源電壓抑制比
在電子設備中， 電源抑制比(power supply rejection ratio, PSRR)是一個經常在電子放大器（特別是運算放大器 ）或穩壓器的規格書出現的參數，用來描述某一設備對電源雜訊(來自電源的雜訊)的抑制能力。 電源抑制比的定義是電源電壓變化做成設備輸出的電壓相應變化的比例。因為此比值一般較大，為方便使用，常以 分貝（dB）作為單位，理想的設備其PSRR是無限大。PSRR會隨頻率而改變，規格書一般會以圖表展示不同頻率下的PSRR，較簡單的方式會只標示某特定頻率下的PSRR作參考用。 \mathrm.
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雜訊
Unreferenced/auto 自动产生。 --> 雜訊（Noise）在电子学中指，訊號在傳輸過程中會受到一些外在能量所產生訊號（如杂散电磁场）的干擾，這些能量即雜訊。雜訊通常會造成信號的失真。其來源除了來自系統外部，亦有可能由接收系統本身產生。雜訊的強度通常都是與訊號頻寬成正比，所以當訊號頻寬越寬，雜訊的干擾也會越大。所以在評估雜訊強度或是系統抵抗雜訊能力的數據，是以訊號強度對雜訊強度的比例為依據，此即訊雜比。.
集成电路
集成电路（integrated circuit，縮寫：IC；integrierter Schaltkreis）、或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶--片/芯--片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半導體裝置，也包括被动元件等）小型化的方式，並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜（thin-film）積體電路。另有一種（thick-film）（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜積體電路。 從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯，卻早於1990年就過世。.
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耦合
耦合可以指：.
虚拟接地
虚拟接地（Virtual ground），是指电路中保持恒定参考电位的节点，尽管它并未直接连接到“实际接地”（real grounds）参考电位。在有的情况中，参考电位被认为是那个电路的地端，因此上述的这个节点也被称作“虚地”。 在运算放大器和其他一些电路中，虚拟接地的概念常被用来帮助人们进行电路分析。如果使用其他方法来分析，常常会遇到困难。 在电路理论中，某个节点可能具有某个特定的电流或者电压值。虚拟接地在电流处理能力以及阻抗方面可能有一些负面作用。.
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接地
在電機工程學裏，接地這術語，依著不同的應用領域，有幾種意思。接地是電路內部的一個電位參考點。從這參考點，可以測量其它電位。接地也可以被認為是電流的一個共同回歸路徑（稱為地回電路或地回路），或是與大地的一個直接有形的連接。 因為下述幾個理由，電機工程師會將電路連接到接地：.
模拟计算机
模拟计算机，是计算机的一种形式，它使用电子的，机械的或液压的量等物理现象的不断变化的方面来模拟所要解决的问题。 相反，数字计算机象征性地表示不同数量，因为它们的数值发生了变化。 由于模拟计算机不使用离散值，而是使用连续值，所以过程不能像精确等同那样可靠地重复进行，就像它们可以使用图灵机一样。 与数字信号处理不同，模拟计算机不受量化噪声的影响，但受模拟噪声的限制。 模拟计算机广泛用于当时数字计算机缺乏足够性能的科学和工业应用中。 模拟计算机可能具有非常广泛的复杂性。 计算尺和诺谟图是最简单的，而海军枪炮控制计算机和大型混合数字/模拟计算机是最复杂的。过程控制和保护继电器系统使用模拟计算来执行控制和保护功能。 数字计算的出现使得简单的模拟计算机早在1950年代和1960年代就已经过时了，尽管模拟计算机仍然在某些特定应用中使用，例如飞机上的飞行计算机以及大学教学控制系统。 更复杂的应用，如合成孔径雷达，在1980年代仍然是模拟计算的领域，因为数字计算机不足以完成任务。.
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欧姆定律
在電路學裏，欧姆定律（Ohm's law）表明，导电体两端的电压与通过导电体的电流成正比，以方程式表示， 其中，V是電壓（也可以標記為U，方程式表示為U.
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正回饋
正回饋（），是反馈的一種。是指一系統的輸出影響到輸入，使得輸出變動後會影響到輸入，造成輸出變動持續加大的情形；同理，如果輸出變動持續減少，就稱為負回饋。 簡單來說，當A產生了更多的B，B會回過來產生更多的A，這個過程就稱為正回饋。在機械、電機、電子、化學、經濟或是其他系統都會有類似的情形。.
有源负载
有源负载又称主动式负载，是一种表现出稳流非线性电阻特性的元件或电路。有源负载可以是电路设计中的元件，也可以是一类测试设备。.
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施密特触发器
在电子学中，施密特触发器（Schmitt trigger）是包含正反馈的比较器电路。 对於标准施密特触发器，当输入电压高於正向阈值电压，输出为高；当输入电压低於负向阈值电压，输出为低；当输入在正负向阈值电压之间，输出不改变，也就是说输出由高电準位翻转为低电準位，或是由低电準位翻转为高电準位对应的阈值电压是不同的。只有当输入电压发生足够的变化时，输出才会变化，因此将这种元--件命名为触发器。这种双阈值动作被称为遲滯現象，表明施密特触发器有记忆性。从本质上来说，施密特触发器是一种双稳态多谐振荡器。 施密特触发器可作为波形整形电路，能将模拟信号波形整形为数字电路能够处理的方波波形，而且由於施密特触发器具有滞回特性，所以可用於抗干扰，其应用包括在開迴路配置中用於抗扰，以及在閉迴路正回授/負回授配置中用於实现多谐振荡器。.
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晶体管
晶体管（transistor），早期音譯為穿細絲體，是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點（稱為極），(C)集極、(E)射極、(B)基極，其中(B)基極是控制極，另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压，改變輸出端的阻抗 ，從而控制通過輸出端的电流，因此晶體管可以作為電流開關，而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此晶体管可以作為电子放大器。.
