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16 关系: 半导体，二进制，位元，動態隨機記憶體價格操縱，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM，DDR3 SDRAM，DDR4 SDRAM，随机存取存储器，静态随机存取存储器，電容，電荷，電腦記憶體，SDRAM，揮發性記憶體，晶体管。
半导体
半导体（Semiconductor）是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成N型半導體；如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個電洞（hole），這樣就形成P型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視為多了1個正電荷）。.
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二进制
在數學和數字電路中，二進制（binary）數是指用二進制記數系統，即以2為基數的記數系統表示的數字。這一系統中，通常用兩個不同的符號0（代表零）和1（代表一）來表示。以2為基數代表系統是二進位制的。數字電子電路中，邏輯門的實現直接應用了二進制，因此現代的計算機和依赖計算機的設備裡都用到二進制。每個數字稱為一個位元（二進制位）或比特（Bit，Binary digit的縮寫）。.
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位元
位元（Bit），亦称二進制位，指二进制中的一位，是資訊的最小单位。Bit是Binary digit（二进制数位）的缩写，由数学家John Wilder Tukey提出（可能是1946年提出，但有资料称1943年就提出了）。这个术语第一次被正式使用，是在香农著名的论文《通信的数学理论》（A Mathematical Theory of Communication）第1页中。 假设一事件以A或B的方式发生，且A、B发生的概率相等，都为0.5，则一个二进位可用来代表A或B之一。例如：.
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動態隨機記憶體價格操縱
在2002年，依據休曼法案，美國司法部對於动态随机存取存储器 (DRAM) 製造商的行為展開調查，指控當時DRAM的四大廠：三星電子、海力士、美光和英飛凌，企圖聯手操控價格，並控告其聯合壟斷價格的行為。而其中美光從承認犯罪並轉為，透過協商管道並與美國司法部合作，獲得免起訴的機會。 美國電腦製造商包括戴爾與聲稱DRAM製造商的聯合哄抬DRAM價格行為造成利潤降低與市場競爭力下滑。迄今，五家製造商對參予一場國際性的價格操縱共謀中承認有罪，包括海力士、英飛淩、美光、三星電子與爾必達。 2003年12月，司法部指控美光的區域銷售經理Alfred P. Censullo違反了美國法典18 U.S.C. § 1503。Alfred P. Censullo在2002年6月服務於美光公司時，收到陪審團的傳票要求調查文件時，他對於修改文件隱瞞且觸犯阻礙調查等罪嫌承認有罪。 在2004年10月20日，英飛淩認罪，因其涉案部分被罰款一億六千萬美金，是美國歷史上第三大反托拉斯罰金金額；同时，英飛淩的四名主管被求處4到6個月的徒刑，並罰款25萬美金。在四人被宣告徒刑之後，刑事執法處Scott D. Hammond說：『這四名主管是第一個針對操縱市場價格承認有罪的案例，對於DRAM產業違反反托拉斯法案中，此案將持續積極的調查。我們將繼續追究參予這次價格操縱案中其他國內外的主管。』 海力士很快在2005年4月第三個認罪，後被處罰一億八千五百萬美金罰金。 2005年10月，三星電子因同一個壟斷行為被控有罪，而他們的三億美金罰金，是美國歷史上到目前為止第二多的反托拉斯法罰金金額，並且也有多名主管前往美國入獄服刑。 而台灣廠商南亞科技和華邦電子當時也受到調查，所幸當時市佔率相當低，並未受到此案的波及。 2018年4月律师事务所 Hagens Berman 指控三星、镁光和海力士从 2016 年第一季度到 2017 年第三季度之间通过降低产量和操纵价格使其收入翻了一番多。三星、镁光和海力士控制了全球 96% 的 DRAM 芯片市场。中国在去年宣布调查内存芯片市场的价格垄断，三家公司的行为突然发生了改变。DRAM 的价格在 2017 年上涨了 47% ，为三十年来最大幅度的上涨。.
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DDR SDRAM
双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM）為具有的SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 JEDEC为DDR存储器设立速度规範，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。.
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DDR2 SDRAM
二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR2 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供了相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（双倍数据率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者。 JEDEC为DDR存储器设立了速度规，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。.
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DDR3 SDRAM
三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR3 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者（增加至八倍）。.
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DDR4 SDRAM
四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英文：Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱為DDR4 SDRAM），是一種高頻寬的電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，是自1970年DRAM開始使用以來，現時最新的記憶體規格，旨在全面取代舊有的記憶體規格。 DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬，但由於電壓標準、物理接口等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致，因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣，不會向下相容。現時，超微和英特爾兩大x86處理器廠商推出的大部分處理器產品都支援DDR4-SDRAM。.
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随机存取存储器
随机存取存储器（Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以隨時读写（重新整理時除外，見下文），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式的临时資料存储媒介。 主記憶體（Main memory）即電腦內部最主要的記憶體，用來載入各式各樣的程式與資料以供CPU直接執行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主記憶體的最主要部分。2014年生產電腦所用的主記憶體主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4記憶體取代DDR3L。.
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静态随机存取存储器
態隨機存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，裡面儲存的--就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。.
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電容
在電路學裡，給定電壓，電容器儲存電荷的能力，稱為電容（capacitance），標記為C。採用國際單位制，電容的單位是法拉（farad），標記為F。電路圖中多半以C開頭標示電容，例：C01、C02、C03、C100等。 平行板電容器是一種簡單的電容器，是由互相平行、以空間或介電質隔離的兩片薄板導體構成。假設這兩片導板分別載有負電荷與正電荷，所載有的電荷量分別為-Q\,\!、+Q\,\!，兩片導板之間的電位差為V，則這電容器的電容C為 1法拉等於1庫侖每伏特，即電容為1法拉的電容器，在正常操作範圍內，每增加1伏特的電位差可以多儲存1庫侖的電荷。 電容器所儲存的能量等於充電所做的功。思考前述平行板電容器，搬移微小電荷元素\mathrmq從帶負電薄板到帶正電薄板，每對抗1伏特的電位差，需要做功\mathrmW： 將這方程式積分，可以得到儲存於電容器的能量。從尚未充電的電容器（q.
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電荷
在電磁學裡，電荷（electric charge）是物質的一種物理性質。稱帶有電荷的物質為「帶電物質」。兩個帶電物質之間會互相施加作用力於對方，也會感受到對方施加的作用力，所涉及的作用力遵守庫侖定律。电荷分为两种，「正电荷」与「负电荷」。带有正电荷的物质称为「带正电」；带有负电荷的物质称为「带负电」。假若两个物质都带有正电或都带有负电，则称这两个物质「同电性」，否则称这两个物质「异电性」。两个同电性物质会相互感受到对方施加的排斥力；两个异电性物质会相互感受到对方施加的吸引力。 电荷是许多次原子粒子所拥有的一种基本守恒性质。称带有电荷的粒子为「带电粒子」。电荷决定了带电粒子在电磁方面的物理行为。静止的带电粒子会产生电场，移动中的带电粒子会产生电磁场，带电粒子也会被电磁场所影响。一个带电粒子与电磁场之间的相互作用称为电磁力或电磁交互作用。这是四种基本交互作用中的一种。.
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電腦記憶體
電腦記憶體（Computer memory）是一種利用半導體技術制成的儲存資料的電子裝置。其電子電路中的資料以二進位方式儲存，記憶體的每一個儲存單元稱做記憶元。 電腦記憶體可分为内部存储器(简称内存或主存)和外部存储器，其中内存是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。内存的特点是存取速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。.
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SDRAM
同步動態隨機存取記憶體（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一個同步接口的動態隨機存取記憶體（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管線(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。 管線意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。在一个写入的管線中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入--的时间。在一个读取的流水线中，需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达，而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延迟被称为等待时间(Latency)，在为计算机购买記憶體时是一个很重要的参数。 SDRAM在计算机中被广泛使用，从起初的SDRAM到之后一代的DDR（或称DDR1），然后是DDR2和DDR3进入大众市场，2015年開始DDR4進入消費市场。.
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揮發性記憶體
揮發性記憶體（Volatile memory）是指當電流中斷後，所儲存的資料便會消失的電腦記憶體。不同於非揮發性記憶體 ，后者的電源供應中斷後，記憶體所儲存的資料也不會消失，只要重新供電後，就能夠讀取內存資料。.
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晶体管
晶体管（transistor），早期音譯為穿細絲體，是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點（稱為極），(C)集極、(E)射極、(B)基極，其中(B)基極是控制極，另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压，改變輸出端的阻抗 ，從而控制通過輸出端的电流，因此晶體管可以作為電流開關，而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此晶体管可以作為电子放大器。.
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