快閃記憶體檔案系統和闪存

快捷方式: 差异，相似，杰卡德相似系数，参考。

快閃記憶體檔案系統和闪存之间的区别

快閃記憶體檔案系統 vs. 闪存

快閃記憶體檔案系統（Flash file system），是一種為了在快閃記憶體裝置上存儲資料而設計的檔案系統，如JFFS2與YAFFS等。隨著行動裝置的日漸增加，快閃記憶體的存儲能力增加以及價格下降，這類型的檔案系統變得越來越普遍。 電腦上通行的大部份檔案系統，都是針對碟盤存儲裝置設計的，應用到快閃記憶體上並不適合。一般的檔案系統，可以透過快閃記憶體轉換層（Flash Translation Layer，FTL）寫入快閃記憶體，但是它的缺點是寫入的效率較差。因此，設計快閃記憶體檔案系統仍然是有必要的。. 快闪--（flash memory），是一种--的形式，允许在操作中被多次擦或写的--。這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料，如記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶片上的資料。 快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、手提電腦、數位隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。 快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言，它是不需要消耗電力的。與硬碟相比，快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性：當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM，但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢，相較之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。.

隨機存取

在計算機科學中，隨機存取（有時亦稱直接存取）代表同一時間存取一組序列中的一個隨意元件。反之則稱循序存取，即是需要更多時間去存取一個遠端元件。介分兩者的傳統圖解就似比較一軸古代畫卷（循序︰所有在元件之前的物料必須事先捲開）及一本圖書（隨機︰可以隨時翻至任何一頁）。而更近現代的例子就如比較卡式磁帶（循序︰我們必須快速跳過早前的歌曲才可聆聽後期的歌曲）及一張CD（隨機︰我們可以隨意跳至我們想要之處）。不過，RAM一詞卻被用以作為電腦中的半導體晶片記憶體電路。 於數據結構中，隨機存取暗指可由一堆數字之中，能夠持續存取N值的能力，而且除了數組（及相關結構，例如動態陣列）以外，絕少數據結構能夠作出類似程序。另外，隨機存取對不少算法，如快速排序及二元搜尋而言不可或缺。其他數據結構，如合併排序，則憑隨機存取作出有效率的輸入、刪除抑或搜尋功能。 Category:電腦數據.

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耗損平均技術

耗損平均技術（Wear Leveling）是快閃記憶體（NAND flash）上的一種抹平技術。快閃記憶體的區塊有抺寫次數的限制，針對同一個單一區塊，進行重複抺除、寫入，將會造成讀取速度變慢，甚至損壞而無法使用。耗損平均技術目的在於平均使用快閃記憶體中的每個儲存區塊，以避免某些“特定”儲存區塊因過度使用而形成壞區塊。 磨损均衡算法通过将写入分配到闪存介质上的多个扇区，控制闪存介质扇区的不均匀“磨损”。磨损均衡算法集成在闪存盘控制器的韌體内，通过建立闪存介质的逻辑扇区和物理扇区之间的文件分区表，使文件系统一目了然。原则上，磨损均衡算法能使闪存介质上的所有扇区几乎同时达到其耐久限制，从而延长闪存介质的使用寿命。通过使用老化机制，可警告用户何时达到耐久限制，从而提前进行内容备份，防止数据丢失。 耗損平均技術的性能及壽命依賴演算法及控制器的優劣，性能常會在經常多次寫入及剩餘容量很少時下降，有時可以藉由犧牲壽命來增加性能、或以掉速為代價來確保可靠度。.

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MTD

記憶體技術設備（Memory Technology Device，縮寫為 MTD），是Linux系統中设备文件系统的一個類別，主要用於快閃記憶體的應用，是一種快閃記憶體轉換層（Flash Translation Layer，FTL）。創造MTD子系統的主要目的是提供一個介於快閃記憶體硬體驅動程式與高階應用程式之間的抽象層。 因為具備以下特性，所以 MTD 裝置和硬碟相較之下，處理起來要複雜許多：.

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