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18 关系: 乙酸铵，亚硒酸，分钟，硝酸，硫化锌，硫酸锌，硒，硒化镉，硒化氢，硒化汞，碲化锌，立方晶系，能隙，閃鋅礦，電子伏特，本征半导体，无机化合物，摄氏温标。
乙酸铵
乙酸銨是一个有机盐，分子式為CH3COONH4，白色粉末，可通过乙酸和氨反应得到。可以用作分析试剂、肉类防腐剂，或者制药等。 Category:铵盐 Category:乙酸盐.
亚硒酸
亚硒酸（化学式：H2SeO3，或写作(HO)2SeO），是硒的含氧酸的一种，其中硒的氧化态为+4。它是白色正交晶系晶体，极易溶于水，由二氧化硒溶于少量水缓慢蒸發结晶并用氢氧化钾干燥得到。晶体中稍许畸变的SeO3基团，靠较强的氢键相互连接。 亚硒酸是二元中强酸，中和程度不同时会分别得到亚硒酸氢盐（含HSeO3−）和亚硒酸盐（含SeO32−）： 浓度超过4mol/L的亚硒酸会发生二聚生成H2Se2O5，并脱去一分子水。它与亚硫酸不同，溶液不游离出二氧化硒，固态亚硒酸加热至150°C分解为二氧化硒。 亚硒酸是一个中强的氧化剂，动力学上不活泼。酸性溶液中，它可以氧化二氧化硫、硫化氢、硫脲、碘化钾、硫代硫酸钠、氨、肼、羟胺等还原性物质，半反应为： 碱性溶液中： 它在有机合成中用于制取1,2-二羰基化合物（如乙二醛）。 在更强的氧化剂（如臭氧、氯气、高锰酸根离子）作用下，亚硒酸也可以被氧化为硒酸。亚硒酸有很高毒性，中毒症状可能延迟数小时，包括昏迷、恶心、低血压，严重时可能致死。.
分钟
分又稱作分钟，是时间的量度单位，符號為min。minute，原意是“微小”的意思。 1 分钟.
硝酸
硝酸（分子式：）是一种强酸，其水溶液俗称硝镪水。纯硝酸为无色液体，沸点83℃，在-42℃时凝结为无色晶体，与水混溶，有强氧化性和腐蚀性。其不同浓度水溶液性质有别，市售浓硝酸为共沸物，溶质质量分数为69.2%，一大气压下沸点为121.6℃，密度为1.42g·cm-3，约16mol·L-1，溶质重量百分比足够大（市售浓度最高为98%以上）的，称为发烟硝酸，硝酸是一种重要的化工原料。 硝酸的酸酐是五氧化二氮（）。.
硫化锌
硫化锌（化学式：ZnS）是锌的硫化物，为白色至黄色粉末或晶体，难溶于水，主要以闪锌矿和纤锌矿的形式存在。 Wells A.F. (1984) Structural Inorganic Chemistry 5th edition Oxford Science Publications ISBN 0-19-855370-6 这两种结构都为宽禁带半导体材料，在光电子器件中有广泛应用。闪锌矿结构为立方晶系，在300K时的禁带宽度为3.54eV；纤锌矿结构为六方晶系，禁带宽度为3.91eV。纯的闪锌矿型会在1020°C时转变为纤锌矿型，但杂质的存在会使温度降低。 硫原子在闪锌矿中为立方紧密堆积，在纤锌矿中为六方紧密堆积；两种情况下，锌原子都占一半的四面体空隙。.
硫酸锌
硫酸锌（化学式：ZnSO4）是最重要的锌盐之一，为无色斜方晶体或白色粉末，其七水合物（ZnSO4·7H2O）俗称皓矾，是一种天然矿物。.
硒
是化学元素，化学符号是Se，原子序数是34，是非金属。 硒對生物來說是必需，但同時也有毒性。硒的性质与硫及碲相似；在有光时，导电性能较黑暗时好，故可用来做光电池。.
硒化镉
化镉是一种无机化合物，化学式为CdSe。它在高温下可以挥发，所以可以借此来提纯硒化镉。.
硒化氢
化氫是化學式為H2Se的無機化合物。在標準條件下，硒化氫是一種無色，易燃氣體。硒化合物中毒性最強，暴露限值為0.05ppm。這種化合物具有刺激像腐爛辣根氣味，較高濃度下有臭雞蛋的氣味。.
硒化汞
化汞 （HgSe）是汞和硒的化合物。它是一种灰黑色的类金属固体，晶体结构为立方晶体。其晶格常数为0.608nm。 汞与硒还能形成其他化合物：HgSe2和HgSe8。因此，严格地说HgSe应该被称作硒化汞(Ⅱ)。 硒化汞通常出现在灰硒汞矿中。.
碲化锌
化锌是一种无机化合物，化学式为ZnTe。它是一种半导体材料，能隙2.23–2.25eV。.
立方晶系
立方晶系，也叫等轴晶系，它有4个三重对称轴以及3个互相垂直的4次对称轴或者3个相互垂直的二重对称轴。其中的3个互相垂直的4次对称轴或者3个相互垂直的二重对称轴是晶体结晶轴。轴角α.
能隙
能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁带--宽度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或是絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個zh-cn:本征半导体;zh-hk:本徵半導體;zh-tw:本質半導體;-而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階E_0的機率。又假設E_0>>E_F，E_F是所謂的費米能階，電子佔據E_0的機率可以利用波茲曼近似簡化為： 在上式中，E_g是能隙的寬度、k是波茲曼常數，而T則是溫度。 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如-zh-cn:异质结双极性晶体管;zh-tw:異質接面雙載子電晶體;-（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、zh-hans:激光二极管;zh-hk:激光二極管;zh-tw:雷射二極體;-，或是太陽能電池上已經成為主流。.
閃鋅礦
闪锌矿是种由鋅和鐵结合的硫化物。晶形常为四面体状。純閃鋅礦近於無色，但随着成分中铁含量的增加由淺黃、黃褐、棕甚至黑色，因此難鑑定。具有完全的菱形十二面體解理。 闪锌矿常与方铅矿密切共生在热液矿床中。主要的礦場位在西班牙北部的坎塔布連山脈、墨西哥的索諾拉州、中國南京栖霞等地方，是分布最廣的鋅礦之一。 闪锌矿是炼锌的主要原料，也是一部分铟、镓等稀散元素的来源。 Category:硫化物礦物 Category:含锌矿物.
電子伏特
電子伏特（electron Volt），簡稱電子伏，符号为eV，是能量的單位。代表一個電子（所帶電量為1.6×10-19庫侖）经过1伏特的電位差加速后所獲得的动能。電子伏与SI制的能量单位焦耳（J）的换算关系是.
本征半导体
本徵半導體（Intrinsic semiconductor）亦稱作無雜質半導體、本質半導體，是指未摻入雜質的半導體。半導體製作過程中的一個重要步驟就是摻入雜質（doping）。 相對於無雜質半導體，含有雜質的半導體叫做雜質半導體（extrinsic semiconductor）。.
无机化合物
无机化合物即无机物，一般指不含碳元素的化合物，如水、食鹽、硫酸等。但一些簡單的含有碳元素化合物如一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳酸鹽、氰化物和碳化物等，由於它們的組成和性質與其他无机化合物相似，因此也作為无机化合物來研究。絕大多數的无机化合物可以歸入氧化物、酸、鹼、鹽四大類。.
摄氏温标
摄氏温标是世界上普遍使用的温标，符号为°C，属于公制单位。 摄氏温标的规定是：在标准大气压，纯水的凝固点（即固液共存的温度）為0°C，水的沸點為100°C，中間劃分為100等份，每等份為1°C。.
