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矽化物

指数 矽化物

矽化物是一種含有矽及其他金屬的化合物。.

目录

  1. 7 关系: 六氟乙烷矽化鈉薄膜電晶體液晶顯示器金屬氧化物半導體場效電晶體陳力俊

六氟乙烷

六氟乙烷,是一種鹵代烴(化學式:C2F6),亦是烃类化合物乙烷所对应的全氟化合物,是一種不易燃的氣體,难溶於水,微溶於醇。.

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矽化鈉

矽化鈉(NaSi, Na2Si, Na4Si4)是坚硬的黑色或灰色结晶材料。 矽化鈉与水反应产生气态氢和硅酸钠。这是个放热反应(~175 kJ/mol) 在氢技术,该反应用来产生氢气。.

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薄膜電晶體液晶顯示器

薄膜電晶體液晶顯示器(Thin film transistor liquid crystal display,常簡稱為TFT-LCD)是多數液晶顯示器的一種,它使用薄膜電晶體技術改善影象品質。雖然TFT-LCD被統稱為LCD,不過它是種主動式矩陣LCD,被應用在電視、平面顯示器及投影機上。 簡單說,TFT-LCD面板可視為兩片玻璃基板中間夾著一層液晶,上層的玻璃基板是與彩色濾光片、而下層的玻璃則有電晶體鑲嵌於上。當電流通過電晶體產生電場變化,造成液晶分子偏轉,藉以改變光線的偏極性,再利用偏光片決定畫素的明暗狀態。此外,上層玻璃因與彩色濾光片貼合,形成每個畫素各包含紅藍綠三顏色,這些發出紅藍綠色彩的畫素便構成了面板上的影像畫面。.

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鈹(舊譯作鋍、鑉、鋊)是一種化學元素,符號為Be,原子序為4,屬於鹼土金屬。鈹通常在宇宙射线散裂過程中產生,是宇宙中較為稀有的元素之一。所有自然界中的鈹都與其他元素結合,形成礦物,如綠柱石(海藍寶石、祖母綠)和金綠寶石等。單質鈹呈鋼灰色,輕、硬而易碎。 在鋁、銅、鐵和鎳中加入鈹作為合金材料,可以加強其物理性質。用鈹銅合金製成的工具十分堅硬,在敲擊鋼鐵表面時也不會產生火花。由於鈹的抗彎剛度、熱穩定性、熱導率都很高,密度卻很低(只有水的1.85倍),所以適合做航空航天材料,用於導彈、航天器和衛星之中。X射線等電離輻射能夠穿透低密度和低原子量的鈹,所以在X光儀器和粒子物理學實驗中都常用鈹作為窗口材料。鈹和氧化鈹可以很好地傳導熱量,因此被用於控制器械的溫度。 在處理鈹的時候,必須使用適當的措施控制粉塵,因為吸入含鈹粉塵會引致可致命的慢性過敏性鈹中毒。.

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金屬氧化物半導體場效電晶體

金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型,通常被稱為N型金氧半場效電晶體(NMOSFET)與P型金氧半場效電晶體(PMOSFET)。 以金氧半場效電晶體(MOSFET)的命名來看,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal(金屬)」的第一個字母M,在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料,但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點,許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而,隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小,金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的關注。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層,有可能是其他物質,而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方,依照其操作電壓的不同,這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選,但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程,當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程(SiGe process)。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料,如砷化鎵(GaAs),因為無法在表面長出品質夠好的氧化層,所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時,電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷,而這時就會形成反轉通道(inversion channel)。通道的極性與其汲極(drain)與源極相同,假設汲極和源極是n型,那麼通道也會是n型。通道形成後,金氧半場效電晶體即可讓電流通過,而依據施於閘極的電壓值不同,可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。.

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鋂(Americium,--)是一種放射性超鈾元素,符號為Am,原子序為95。鋂屬於錒系元素,在元素週期表中位於鑭系元素銪之下。鋂是以發現所在的美洲大陸(America)命名的。 位於伯克利加州大學由格倫·西奧多·西博格領導的團隊在1944年首次合成了鋂元素。雖然鋂是第三個超鈾元素,但它卻是繼鋦以後第四個被發現的超鈾元素。這項發現最初被列爲機密,直到1945年才公諸於世。大部分的鋂都是在核反應爐中以中子撞擊鈾或鈈而形成的:一噸乏核燃料含有大約100克鋂。鋂元素主要用在商業電離煙霧探測器和儀表中,或用作中子源。有人提出用242mAm同位素製造核電池和太空船的核推進燃料,但因該同核異構體的稀少和昂貴而尚待實現。 鋂是一種質軟的放射性金屬,外表呈銀白色。鋂的同位素中最常見的有241Am和243Am。在化合物中,特別是溶液中,鋂的氧化態通常是+3。鋂還有+2到+7之間的其他氧化態,可通過測量吸收光譜分辨出來。由於輻射變晶效應,鋂固體和鋂化合物的晶體結構本身含有缺陷。這些缺陷隨時間而增加,因此其物質屬性會進行變化。.

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陳力俊

陳力俊(),臺灣材料科學家、教育家、中央研究院院士,曾任國立清華大學校長。.

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