集成电路和電擊穿

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集成电路和電擊穿之间的区别

集成电路 vs. 電擊穿

集成电路（integrated circuit，縮寫：IC；integrierter Schaltkreis）、或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶--片/芯--片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半導體裝置，也包括被动元件等）小型化的方式，並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜（thin-film）積體電路。另有一種（thick-film）（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜積體電路。 從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯，卻早於1990年就過世。. 電擊穿（Electrical breakdown）指的是加在介質上的電壓超過擊穿電壓後，絕緣體的電阻迅速下降，繼而使得一部分絕緣體變為導體的現象。電擊穿可以只在瞬間存在，例如常見靜電放電；也可能持續一段時間，例如在配電電路中發生的電弧現象等。 在有效的擊穿電壓下，電擊穿現象可以發生在固體、流體、氣體或者真空等不同的介質中。但是有些介質則比較特殊，例如介電質，其束縛電荷不會流過介電質，只會從原本位置移動微小距離，從而產生極化。 电擊穿后，P-N結消失，但只要停止通電，P-N結會自動恢復，电擊穿的終點是熱擊穿，熱擊穿則無法恢復，半導體即被損壞。 3KV/mm是空氣的絕緣度 超過3KV以上空氣的絕緣就會被打穿.

电阻

在電磁學裏，電阻是一個物體對於電流通過的阻礙能力，以方程式定義為 其中，R為電阻，V為物體兩端的電壓，I為通過物體的電流。 假設這物體具有均勻截面面積，則其電阻與電阻率、長度成正比，與截面面積成反比。 採用國際單位制，電阻的單位為歐姆（Ω，Ohm）。電阻的倒數為電導，單位為西門子（S）。 假設溫度不變，則很多種物質會遵守歐姆定律，即這些物質所組成的物體，其電阻為常數，不跟電流或電壓有關。稱這些物質為「歐姆物質」；不遵守歐姆定律的物質為「非歐姆物質」。 電路符號常常用R來表示,例: R1、R02、R100等。.

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