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鐵電隨機存取記憶體和集成电路

快捷方式: 差异相似杰卡德相似系数参考

鐵電隨機存取記憶體和集成电路之间的区别

鐵電隨機存取記憶體 vs. 集成电路

鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM,縮寫為FeRAM或FRAM),類似於SDRAM,是一種随机存取存储器技術。但因為它使用了一層有铁电性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。麻省理工大學達德利·艾倫·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的碩士論文中,首次提出了這個概念。 Category:電腦記憶體 Category:固態電腦儲存媒體 Category:存儲媒體. 集成电路(integrated circuit,縮寫:IC;integrierter Schaltkreis)、或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶--片/芯--片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半導體裝置,也包括被动元件等)小型化的方式,並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜(thin-film)積體電路。另有一種(thick-film)(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动元件,集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片(monolithic)集成电路,即薄膜積體電路。 從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型,但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯,卻早於1990年就過世。.

之间鐵電隨機存取記憶體和集成电路相似

鐵電隨機存取記憶體和集成电路有1共同点(的联盟百科): 随机存取存储器

随机存取存储器

随机存取存储器(Random Access Memory,缩写:RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以隨時读写(重新整理時除外,見下文),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程式的临时資料存储媒介。 主記憶體(Main memory)即電腦內部最主要的記憶體,用來載入各式各樣的程式與資料以供CPU直接執行與運用。由於DRAM的性價比很高,且擴展性也不錯,是現今一般電腦主記憶體的最主要部分。2014年生產電腦所用的主記憶體主要是DDR3 SDRAM,而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化,筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4記憶體取代DDR3L。.

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鐵電隨機存取記憶體和集成电路之间的比较

鐵電隨機存取記憶體有5个关系,而集成电路有85个。由于它们的共同之处1,杰卡德指数为1.11% = 1 / (5 + 85)。

参考

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