缓存和零电容随机存储器

快捷方式: 差异，相似，杰卡德相似系数，参考。

缓存和零电容随机存储器之间的区别

缓存 vs. 零电容随机存储器

速缓存（cache， ）--原始意义是指存取速度比一般隨機存取記憶體（RAM）快的一种RAM，通常它不像系统主記憶體那样使用DRAM技术，而使用昂贵但較快速的SRAM技术。. 零电容随机存储器（Zero-capacitor random access memory，缩写：Z-RAM）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应（Float body effect）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和六晶体管静态随机存取存储器（SRAM，常在缓存中应用）相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。.

动态随机存取存储器

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。 與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。.

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静态随机存取存储器

態隨機存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，裡面儲存的--就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。.

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超威半导体

超微半导体公司（Advanced Micro Devices, Inc.；縮寫：AMD、超微，或譯「超威」），創立於1969年，是一家專注於微处理器及相關技術設計的跨国公司，总部位于美國加州舊金山灣區矽谷內的森尼韦尔市。最初，超微擁有晶圓廠來製造其設計的晶片，自2009年超微將自家晶圓廠拆分為現今的GlobalFoundries（格羅方德）以後，成為無廠半導體公司，僅負責硬體積體電路設計及產品銷售業務。現時，超微的主要產品是中央處理器（包括嵌入式平台）、圖形處理器、主機板晶片組以及電腦記憶體， 超微半導體是目前除了英特爾以外，最大的x86架構微處理器供應商，自收購冶天科技以後，則成為除了輝達以外僅有的獨立圖形處理器供應商，自此成为一家同時擁有中央處理器和圖形處理器技術的半導體公司，也是唯一可与英特爾和輝達匹敵的廠商。在2017年第一季全球個人電腦中央處理器的市場佔有率中，英特爾以79.8％排名第一、AMD以20.2％位居第二。於2017年8月，AMD CPU在德國電商Mindfactory的銷售量首次以54.0%超越intel，並於9月增長至55.0%，於10月(同時也是Coffee Lake推出之月份)，銷售份額仍繼續成長至57.7%，於11月，由於增加部分未計算型號，份額下降至57.4%.

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