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砷化鎵

指数 砷化鎵

砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料,用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。.

81 关系: 半导体半导体器件半导体材料博達科技掏空案单晶射頻中原大學二極體二氧化硅异质结双极性晶体管微波化合反应化合物化合物半导体化学式化學元素分子束外延击穿电压光合作用克雷公司勇气号火星探测器四面体形分子构型CMOS矽酸鹽火星砷化铝砷化氫硝酸硫酸硼族元素硅谷图形公司磷化銦鎵磷化鎵移动电话空穴立方晶系红外线美国国家航空航天局热力学温度絕緣體电子学电子迁移率盐酸直线形分子构型發光效率銻化鎵衛星裂解...超级计算机还原能隙背景輻射蘇聯閃鋅礦蒸氣致癌物質金属雷达電子時報雜訊集成电路Zhores Alferov抛光柴可拉斯基法毒物氢氟酸氧化物氮化鎵氮族元素激光机遇号有机金属化学有机金属化学气相沉积法應力晶体晶圓晶格常數 扩展索引 (31 更多) »

半导体

半导体(Semiconductor)是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的“空穴”,在电场作用下,空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流(一般称为正电流)。 材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”(IIIA、VA族元素)来控制。如果我們在純矽中摻雜(doping)少許的砷或磷(最外層有5個電子),就會多出1個自由電子,這樣就形成N型半導體;如果我們在純矽中摻入少許的硼(最外層有3個電子),就反而少了1個電子,而形成一個電洞(hole),這樣就形成P型半導體(少了1個帶負電荷的原子,可視為多了1個正電荷)。.

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半导体器件

--(semiconductor device)是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的--。半導體的導電性介於良導電體與絕緣體之間,这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓,並經過各式特定的滲雜,產生P型或N型半導體,作成整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等元件或設備。 常見的半導體元件有二極體、電晶體等。.

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半导体材料

半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。.

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博達科技掏空案

博達科技掏空案(簡稱「博達案」),為台灣博達科技董事長葉素菲所主使之掏空案件。.

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单晶

单晶是指其内部微粒有规律地排列在一个空间格子内的晶体。其晶体结构是连续的,或者可以说,在宏观尺度范围内单晶不包含晶界。 与单晶相对的,是众多晶粒(Crystallite)组成的多晶(Polycrystal)。 单晶材料是一种应用日益广泛的新材料,由单独的一个晶体组成,其衍射花样为规则的点阵。相对普通的多晶体材料性能特殊,一般采用提拉法制备。 單晶根據晶體生長法製作分為:.

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射頻

射頻(Radio frequency,縮寫為RF),又稱無線電頻率、無線射頻、高周波,為在3 kHz至300 GHz這個範圍內的震盪頻率,這個頻率相當於無線電波的頻率,以及攜帶著無線電信號的交流電的頻率 。RF通常被用來指電子震盪,而不被用在機械震盪上,然而機械射頻系統仍然是存在的(如與)。 雖然射頻在定義上是用來指一種頻率,但在日常使用中,常被用來當成無線電的同義詞,以利描述無線通訊系統,如射頻識別。 在國際電信聯盟定義的無線電頻率劃分當中:.

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中原大學

中原大學,是一所1955年創立於桃園市中壢區的私立大學,為基督徒張靜愚、鈕永建等人首倡設立,並得到中壢地方士紳吳鴻森、徐崇德等人之贊助支持之基督教大學,初名中壢農工學院,後正式設校更名為中原理工學院。其後改制為中原大學。 創校之初設有物理、化學、化學工程、土木工程4個學系。1972年由韓偉博士設立全國唯一的「醫學工程學系」(2006年更名為生物醫學工程學系),致力於推動臨床醫學與工程科技的結合,曾為部定該校的發展重點。1980年8月改名中原大學,現已成為擁有理、工、電機資訊、法、商、設計、人文與教育等7學院、27學系、25研究所之私立大學。 由於創校歷史悠久,帶動周圍地區的商業發展,故校區周邊形成了頗具規模的中原夜市(中壢區實踐路、日新路一帶)。中原大學的校門因為外型為M型而常被學生稱為麥當勞門或是麵包門,校門已於2012年完成遷移。 中原大學106年全校註冊率為93.42%,學士班註冊率為97.74%,學士班註冊率連續兩年為私立大學第一名。.

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二極體

#重定向 二極管.

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二氧化硅

二氧化硅(化学式:Si)是一种酸性氧化物,对应水化物为硅酸(Si)。它从古代以来就已经被人们知道了。 二氧化硅在自然界中最常见的是石英,以及在各种生物体中。在世界的许多地方,二氧化硅是砂的主要成分。二氧化硅是最复杂和最丰富的材料家族之一,既是多种矿物质,又是被合成生产的。 值得注意的实例包括熔融石英,水晶,热解法二氧化硅,硅胶和气凝胶。 应用范围从结构材料到微电子学到食品工业中使用的成分。 二氧化硅是硅最重要的化合物,约占地壳质量的12%。自然界中二氧化硅的存在形态有结晶形和无定形两大类,统称硅石。.

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异质结双极性晶体管

异质结双极性晶体管(heterojunction bipolar transistor,縮寫:HBT)是双极性晶体管的一种,它的发射区和基区使用了不同的半导体材料,这样,发射结(即发射区和基区之间的PN结)就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率,可以在高达数百GHz的信号下工作。它在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。对异质结双极型晶体管的研究始于1951年。.

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微波

微波(Microwave,Mikrowellen)是指波长介于红外线和無線電波之间的电磁波。微波的頻率范围大约在 300MHz至300GHz之間。所對應的波長為1公尺至1mm之间。微波频率比无线电波频率高,通常也称为“超高频电磁波”。微波作为一种电磁波也具有波粒二象性。微波的基本性质通常呈现为穿透、反射、吸收三个特性。对于玻璃、塑料和瓷器,微波几乎是穿越而不被吸收。对于水和食物等就会吸收微波而使自身发热。而对金属类东西,则会反射微波。 微波在雷达科技、ADS射线武器、微波炉、等离子发生器、无线网络系统(如手机网络、蓝牙、卫星电视及無線區域網路技术等)、传感器系统上均有广泛的应用。 在技术领域协定使用的四个频率分别为800MHz、2.45GHz、5.8GHz和13GHz。微波炉使用2.45GHz,此频率亦被作为ISM頻段(工業、科學及醫學用波段),使用在航空通讯领域。.

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化合反应

化合反应是一类化学反应的总称(通常是指无机反应),是指两个或多个反应物经过化学反应生成一种产物。例如,氢气和氧气燃烧生成水就是化合反应。通常化合反应都是放热反应。.

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化合物

化合物(Chemical compound)是由兩種以上的元素以固定的質量比通过化學鍵结合在一起的化學物質。化合物可以由化學反應分解為更簡單的化學物質。像甲烷(CH4)、葡萄糖(C6H12O6)、硫酸鉛(PbSO4)及二氧化碳(CO2)都是化合物。 化合物是純物質分类下的一类,与元素和混合物相对。尽管有些情况下化合物的实际情况会与上述定义背离,如组成元素随制备方法而改变,内部结构并不均一,不同核素的分布并不固定等等,但一般仍认为它们属于化合物的范畴。另外,化合物中各元素的摩尔比并不一定是整数,某一元素也可呈不同的价态,例如非整比化合物和混合价态化合物。 化學元素的單質即使由幾個原子形成雙原子分子或多原子分子(如H2, S8),也不是化合物。 除特别不活泼的稀有气体氦和氖外,其他所有稳定元素都已制成了化合物。稀有气体化合物的制备曾费了一些周折。第一個稀有气体化合物六氟合铂酸氙是在1962年才製備而得。.

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化合物半导体

化合物半导体或複合半導體(compound semiconductor)是一类由化合物构成的半导体材料。化合物半导体中的化合物通常由两种或更多元素的原子构成。常见的化合物半导体由13至15族元素(三五半导体)构成。可能形成的化合物组合较多,这是因为可以有二元化合物(例如砷化镓)和(例如)甚至(例如AlInGaP合金)。.

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化学式

化學式(chemische Formel/chemical formula),是一種用來表示化學物質(也可能為元素或化合物)組成的式子。 一般情況下,由元素符號、數字或其他符號組成;這些符號單一行列,被限制在一個排版,並會出現上標和下標。 下為常用符號:.

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化學元素

化學元素指自然界中一百多种基本的金属和非金属物质,同一種化學元素是由相同的原子組成,也就是其原子中的每一核子具有同样数量的質子,用一般的化学方法不能使之分解,并且能构成一切物质。一些常見元素的例子有氫、氮和碳。 原子序數大於82的元素(即鉛之後的元素)沒有穩定的同位素,會進行放射衰變。另外,第43和第61種元素(即锝和鉕)沒有穩定的同位素,會進行衰變。可是,即使是原子序數大於94,沒有穩定原子核的元素,有些仍可能存在在自然界中,如鈾、釷、钚等天然放射性核素。 所有化學物質都包含元素,即任何物質都包含元素,隨著人工的核反應,會發現更多的新元素。 1923年,国际原子量委员会作出决定:化学元素是根据原子核电荷的多少对原子进行分类的一种方法,把核电荷数相同的一类原子称为一种元素。 2012年,總共有118種元素被發現,其中地球上有94種。.

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分子束外延

分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)是使单晶材料生长的一种方法,由贝尔实验室的J.

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击穿电压

絕緣體的擊穿電壓(breakdown voltage)是令一部分絕緣體變成電導體的最小電壓。二極體的擊穿電壓是指二極體反向導電的最小反向電壓。.

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光合作用

光合作用是植物、藻類等生產者和某些細菌,利用光能把二氧化碳、水或硫化氢變成碳水化合物。可分为產氧光合作用和不產氧光合作用。 植物之所以称为食物链的生产者,是因为它们能够透过光合作用利用无机物生产有机物并且贮存能量,其能量轉換效率約為6%。通过食用,食物链的消费者可以吸收到植物所贮存的能量,效率为10%左右。對大多數生物來説,這個過程是賴以生存的關鍵。而地球上的碳氧循环,光合作用是其中最重要的一环。.

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克雷公司

-- 克雷(Cray Inc.)是美國的超級電腦製造商和銷售商,總部位於華盛頓州西雅圖。公司的前身是1972年由計算機設計師希穆爾·克雷(:en:Seymour Cray)創立的克雷研究(Cray Research, Inc,縮寫:CRI)。1989年希穆爾·克雷將克雷研究拆分出克雷電腦公司(Cray Computer Corporation,縮寫:CCC),後來該公司在克雷研究被-zh-cn:硅谷图形公司;zh-hk:矽谷圖形公司;zh-tw:視算科技;-併購後的一年後,亦即1995年破產。目前的克雷公司成立於2000年,在Tera Computer Company從-zh-cn:硅谷图形公司;zh-hk:矽谷圖形公司;zh-tw:視算科技;-手上買下前克雷研究的資產業務後成立。在目前的克雷公司成立前,總部也已遷移數次。.

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勇气号火星探测器

勇气号火星探测器,--(Spirit, MER-A),是美国国家航空航天局火星探测漫游者计划的第一部火星漫游车。火星探测漫游者计划旨在将勇气号和机遇号两部双胞胎火星车送往火星,对火星这颗红色行星进行详细考察。.

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四面体形分子构型

四面体形分子构型是指一分子中的中心原子和四個原子鍵結,四個原子形成四面體4個頂點的分子构型。若和中心原子鍵結的4個原子都是同一種原子(例如甲烷CH4),則其鍵角為cos−1(−1/3) ≈ 109.5°。週期表中有許多元素的化合物都是四面体形分子构型,理想分子有Td的對稱點群,但大部份四面体形构型分子的對稱性較低。四面体分子可能會具有手性。.

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CMOS

#重定向 互補式金屬氧化物半導體.

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矽酸鹽

化學上,矽酸鹽指由矽和氧組成的化合物(SixOy),有時亦包括一或多種金屬和或氫。它亦用以表示由二氧化矽或矽酸產生的鹽。 在普通情況下,最穩定的矽化合物是二氧化矽(SiO2)——俗稱石英,和類似的化合物。二氧化矽經常有微量的矽酸(H4SiO4)處於平衡狀態。化學家認為石英是不可溶解的,但在長時間尺度下,它是可以流動的。此外,在鹼性條件下,會出現H2SiO42−。大部分矽酸鹽都是不可溶解的。 矽酸鹽礦物的特徵是它們的正四面體結構,有時這些正四面體以錬狀、雙鍊狀、片狀、三維架狀方式連結起來。按正四面體聚合的程度,矽酸鹽再細分為:島狀矽酸鹽類、環狀矽酸鹽類等。 在地質學和天文學上,矽酸鹽指一種由矽和氧組成的岩石(通常為SiO2或SiO4),有時亦包括一或多種金屬和或氫。此類岩石包括花崗岩及輝長岩等。地球及其他類地行星的大部分地殼均以矽酸鹽組成。.

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火星

火星(Mars, 天文符號♂),是離太陽第四近的行星,為太陽系中四顆類地行星之一。西方稱火星為瑪爾斯,是羅馬神話中的戰神;古漢語中則因为它荧荧如火,位置、亮度時常變動讓人無法捉摸而稱之為熒惑。火星在太陽系的八大行星中,第二小的行星,其質量、體積仅比水星略大。火星的直徑約為地球的一半,自轉軸傾角、自轉週期則與地球相當,但繞太陽公轉周期是地球的兩倍。在地球上,火星肉眼可見,亮度可達-2.91,只比金星、月球和太陽暗,但在大部分時間裡比木星暗。 火星大气以二氧化碳为主,既稀薄又寒冷。火星在視覺上呈現為橘紅色是由其地表所廣泛分佈的氧化鐵造成的。火星地表沙丘、砾石遍布且没有稳定的液态水,火星南半球是古老、充满陨石坑的高地,北半球则是较年轻的平原。 火星有兩個天然衛星:火衛一和火衛二,形狀不規則,可能是捕獲的小行星。火星目前有四艘在軌運行的探測船,分別是火星奧德賽號、火星快車號和火星偵察軌道器以及2014年9月22日抵达的MAVEN轨道器,地表還有很多火星車和著陸器,包括兩台火星車:機會號和好奇號,和已經結束任務的精神號和鳳凰號。根據觀測的證據,火星以前可能覆蓋大面積的水。亦觀察到最近十年內類似地下水湧出的現象。 火星全球勘測者則觀察到南極冠有部份退縮。火星快車號和火星偵察軌道器的雷達資料顯示兩極和中緯度地表下存在大量的水冰Water ice in crater at Martian north pole http://www.esa.int/SPECIALS/Mars_Express/SEMGKA808BE_0.html。2008年7月31日,鳳凰號直接於表土之下證實水冰的存在。2013年9月26日,火星探測車好奇號發現火星土壤含有豐富水分,大約為1.5至3重量百分比,顯示火星有足夠的水資源供給未來移民使用。2015年9月證實火星有間歇流動的液態水(液態鹽水)。.

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砷,化学元素符号为As,原子序数为33。砷分布在多种矿物中,通常与硫和其它金属元素共存,也有纯的元素晶体。艾尔伯图斯·麦格努斯在1250年首次对砷进行了记载。砷是一种非金属元素。单质以灰砷、黑砷和黄砷这三种同素异形体的形式存在,但只有灰砷在工业上具有重要的用途。 砷可用于合金的制造,比如生产铜的强化合金或是添加到制造车用铅酸蓄电池的合金中。制造半导体电子器件时用砷作为掺杂剂合成n形半导体材料,掺杂了硅的光电子化合物砷化镓是在使用中最常见的半导体。砷和它的化合物,特别是三氧化二砷(砒霜)用于合成农药(用于处理木材产品)、除草剂和杀虫剂。但这些方面的应用正在逐渐消失。 虽然有少数几种细菌是能够将砷化合物作为呼吸代谢物的,但是对于多细胞生物而言砷是有毒物质。受砷污染的地下水是影响全世界几百万人的环境问题。.

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砷化铝

砷化鋁是一种半導體材料,它的晶格常數跟砷化鎵類似。砷化鋁的晶系為等軸晶系,熔點是1740 °C,密度是3.76 g/cm³,而且它很容易潮解。.

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砷化氫

砷化氫或胂,是最簡單的砷化合物,化學式為AsH3,可燃、能自燃。它是砷和氫的高毒性分子衍生物。尽管它毒性很强,在半導體工业中仍广泛使用,也可用於合成各種有机砷化合物。 標準狀態下,AsH3是一种無色,密度高於空氣,可溶於水(200 mL/L)及多種有機溶劑的气体。它本身無臭,但空氣中有大約0.5ppm的胂存在時,它便可被空气氧化產生輕微類似大蒜的氣味。常温下胂很穩定,分解成氫和砷的速度非常慢,但溫度高于230°C时,它便迅速分解。还有幾個因素也會影響胂分解的速度,其中包括:濕度、光的存在以及催化劑(鋁)的存在。 AsH3分子呈键角H-As-H為91.8°的三角錐體,且三條As-H鍵长度相等,為1.519 Å。胂还可以指分子式为AsH3-xRx的有機砷化合物,其中 R 可以是芳基或烷基。例如:三苯胂(As(C6H5)3)是胂的一种。.

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硝酸

硝酸(分子式:)是一种强酸,其水溶液俗称硝镪水。纯硝酸为无色液体,沸点83℃,在-42℃时凝结为无色晶体,与水混溶,有强氧化性和腐蚀性。其不同浓度水溶液性质有别,市售浓硝酸为共沸物,溶质质量分数为69.2%,一大气压下沸点为121.6℃,密度为1.42g·cm-3,约16mol·L-1,溶质重量百分比足够大(市售浓度最高为98%以上)的,称为发烟硝酸,硝酸是一种重要的化工原料。 硝酸的酸酐是五氧化二氮()。.

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硫酸

硫酸(化学分子式為)是一种具有高腐蚀性的强矿物酸,一般為透明至微黄色,在任何浓度下都能与水混溶并且放热。有时,在工业製造过程中,硫酸也可能被染成暗褐色以提高人们对它的警惕性。 作為二元酸的硫酸在不同浓度下有不同的特性,而其对不同物质,如金属、生物组织、甚至岩石等的腐蚀性,都归根于它的强酸性,以及它在高浓度下的强烈脱水性(化学性质)、吸水性(物理性质)与氧化性。硫酸能对皮肉造成极大的伤害,因为它除了会透过酸性水解反应分解蛋白质及脂肪造成化学烧伤外,还会与碳水化合物发生脱水反应并造成二级火焰性灼伤;若不慎入眼,更会破坏视网膜造成永久失明。故在使用时,应做足安全措施。另外,硫酸的吸水性可以用来干燥非碱性气体 。 正因為硫酸有不同的特性,它也有不同的应用,如家用强酸通渠剂、铅酸蓄电池的电解质、肥料、炼油厂材料及化学合成剂等。 硫酸被广泛生產,最常用的工业方法為接触法。.

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硼族元素

族元素是元素周期表的第13族元素(IIIA 族),位于锌族元素和碳族元素之间,包括的元素有:.

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硅(Silicon,台湾、香港及澳門称為--,舊訛稱為釸,中國大陸稱為--)是一种类金属元素,化学符号為Si,原子序數為14,属于元素周期表上的IVA族。 硅原子有4个外圍电子,与同族的碳相比,硅的化学性质相對稳定,活性較低。硅是极为常见的一种元素,然而它极少以單質的形式存在於自然界,而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅等化合物形式广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。在宇宙储量排名中,矽位於第八名。在地壳中,它是第二丰富的元素,佔地壳总质量25.7%,仅次于第一位的氧(49.4%)。.

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硅谷图形公司

硅谷图形公司(英语:Silicon Graphics, Inc.,简称:SGI,),在台灣早年譯為--、視算電腦,是一家美國電腦公司,1982年开始生产图形显示终端。是由吉姆·克拉克和创建。初期,公司基于吉姆·克拉克在几何流水线领域的工作生产加速3D图形显示的专门硬件和软件。SGI最初于1981年11月在美国加州创立,并在1990年1月作为Delaware corporation重建。2006年3月8日,SGI申请破产保护。2009年4月1日,服务器与存储技术公司Rackable Systems宣布计划以大约2500万美元现金收购SGI剩余资产,同时还将承担其部分债务。 2016年8月11日,慧與科技(HPE, Hewlett Packard Enterprise)宣布以每股美金7.75, 合共2億7仟5百萬美金, 收購SGI所有股權, 當中包括其所持現金與承担其所有債項。.

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磷化銦鎵

磷化銦鎵(Indium gallium phosphide,簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦(GaInP),是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快,常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體(HEMT)及异质结双极性晶体管(HBT)結構中,但也用在太空應用的高速率太陽能電池,若加入鋁(合金)可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.5In0.5P是一種有特別重要性的合金,其晶格幾乎和砷化鎵相同,因此配合(AlxGa1-x)0.5In0.5,可以產生晶格對應的量子阱,可以作為紅色的激光二極管,例如紅色光,波長650nm的共振腔發光二極體,或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑膠光纖的垂直腔面發射雷射器。 Ga0.5In0.5P其能量接面是太陽能電池中砷化鎵接面的二倍到三倍。近年發現磷化銦鎵及砷化鎵疊層的太陽能電池在AM0條件(太陽光在大氣層外的平均照度,.

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磷化鎵

磷化鎵(GaP)是鎵的磷化物,是無機化合物,也是半導體材料,其間接能隙為2.26eV(300K)。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色,但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子,其顏色會變深。磷化鎵無味,不會溶於水。 若要變成N型半導體,需要掺杂硫或是碲,若要製作P型半導體,需要掺杂鋅。 磷化鎵常用在光學系統中,其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30,波長550 nm (green)時為3.45,波長840 nm(IR)時為3.19。.

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移动电话

行動電話,又稱「手提式電話機」或「手提電話」,簡稱「手--機」,是可以在較廣範圍内使用的可攜式電話,與固定電話(座機)相對。1990年代中期以前價格昂貴,只有極少部分經濟實力較佳的人才買得起,而且體積龐大,因此又有大哥大的俗稱。1990年代後期大幅降價,如今已成為現代人日常不可或缺的電子用品之一。 目前在全球範圍内使用最廣是的第三代行動通訊技術。在台湾和中國大陸以GSM和LTE最為普及。第二代移动通信技术以GSM為主,它是數位制式的,除了可以進行語音通信以外,還可以收發短信、MMS、無線應用協議等。目前整個行業正在向第三代和第四代行動通訊技術遷移。 手機外觀上一般都應該包括至少一個液晶顯示器和一套按鍵,現時採用觸控式螢幕的手機減少了按鍵。現代的手機除了典型的電話功能外,還包含了個人數位助理、遊戲機、MP3、照相機、錄音機、GPS和連接網際網路等更多功能,它們都概括性地統稱作智慧型手機。.

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空穴

空穴又称--(Electron hole),在固体物理学中指共價鍵上流失一个电子,最後在共價鍵上留下空位的現象。 一個呈電中性的原子,其正電的質子和負電的電子的數量是相等的。現在由於少了一個負電的電子,所以那裡就會呈現出一個正電性的空位——電洞。當有外面一個電子進來掉進了電洞,就會發出電磁波——光子。 電洞不是正電子,電子與正電子相遇湮滅時,所發出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質量所完全轉化出來的電磁波(通常會轉出一對光子)。而電子掉入電洞所發出來的光子,其能量通常只有幾個電子伏特。 半导体由于禁带较窄,电子只需不多的能量就能从价带激发到导带,从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴,同时在原位置产生一个新的空穴,因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。 在半导体的制备中,要在4价的本征半导体(纯硅、锗等的晶体)的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质(如硼、镓、铟、铝等),则可产生大量空穴,获得P型半导体,又称空穴型半导体。空穴是P型半导体中的多數载流子。 E E Category:准粒子.

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立方晶系

立方晶系,也叫等轴晶系,它有4个三重对称轴以及3个互相垂直的4次对称轴或者3个相互垂直的二重对称轴。其中的3个互相垂直的4次对称轴或者3个相互垂直的二重对称轴是晶体结晶轴。轴角α.

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红外线

红外线(Infrared,简称IR)是波长介乎微波与可见光之间的电磁波,其波長在760奈米(nm)至1毫米(mm)之間,是波長比紅光長的非可見光,對應頻率約是在430 THz到300 GHz的範圍內。室溫下物體所發出的熱輻射多都在此波段。 红外线是在1800年由天文學家威廉·赫歇爾發現,他發現有一種頻率低于紅色光的輻射,雖然用肉眼看不見,但仍能使被照射物體表面的溫度上昇。太陽的能量中約有超過一半的能量是以红外线的方式進入地球,地球吸收及發射紅外線輻射的平衡對其氣候有關鍵性的影響。 當分子改變其旋轉或振動的運動方式時,就會吸收或發射紅外線。由紅外線的能量可以找出分子的振動模態及其偶極矩的變化,因此在研究分子對稱性及其能態時,紅外線是理想的頻率範圍。紅外線光譜學研究在紅外線範圍內的光子吸收及發射。 红外线可用在軍事、工業、科學及醫學的應用中。紅外線夜視裝置利用即時的近紅外線影像,可以在不被查覺的情形下在夜間觀察人或是動物。紅外線天文學利用有感測器的望遠鏡穿透太空的星塵(例如分子雲),檢測像是行星等星體,以及檢測早期宇宙留下的紅移星體。紅外線熱顯像相機可以檢測隔絕系統的熱損失,觀查皮膚中血液流動的變化,以及電子設備的過熱。红外线穿透云雾的能力比可见光强,像紅外線導引常用在飛彈的導航、熱成像儀及夜視鏡可以用在不同的應用上、红外天文学及遠紅外線天文學可在天文學中應用红外线的技術。.

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美国国家航空航天局

美國國家航空暨太空總署(National Aeronautics and Space Administration,縮寫为NASA)是美国联邦政府的一个独立机构,负责制定、实施美国的民用太空计划、與开展航空科學暨太空科學的研究。1958年7月29日,美国总统艾森豪威尔签署了《美国公共法案85-568》,创立了國家NASA航空和太空管理局,取代了其前身美國國家航空諮詢委員會(NACA)。於1958年10月開始運作。自此,美國國家航空暨太空總署負責了美國的太空探索,例如登月的阿波羅計劃,太空實驗室,以及隨後的航天飞机。自2006年2月,美国国家航空航天局的愿景是“開拓未來的太空探索,科學發現及航空研究”。美国国家航空航天局的使命是“理解并保护我们依賴生存的行星;探索宇宙,找到地球外的生命;启示我们的下一代去探索宇宙”。在太空计划之外,美国国家航空航天局还进行长期的民用以及军用航空航天研究。美国国家航空航天局被广泛认为是世界范围内太空机构中執牛耳者。美國國家航空暨太空總署透過地球觀測系統提升對地球的了解,透過太陽科學研究計劃精進太陽科學。美國國家航空暨太空總署注重於利用先進的機械任務探索太陽系中的的所有天體並利用天文觀測台及相關計劃研究天體物理學中的主題,例如大爆炸理論。美國國家航空暨太空總署與許多美國國內及國際的組織分享其研究數據。.

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热力学温度

热力学温度是温度的绝对测量量,是热力学的主要参数之一。 热力学温度由热力学第二定律定义,理论最低温度为零点。在称为绝对零度该点上,物质的粒子构成具有最小运动。在量子力学的描述中,绝对零度下的物质处于其基态,该状态下其能量最低。热力学温度因此也常被称为绝对温度。 国际单位制指定热力学温标为热力学温度的计量标度,并选择水的三相点273.16K作为基点。历史上一直在使用其他标准。使用华氏度作为单位间隔的朗肯温标,在美国的某些工程领域仍然用作英制工程单位的一部分。ITS-90给出了一个以非常高的精确度估计热力学温度的实用方法。 大体上,体静止时的温度是一种计量物质的粒子构成如分子,原子,亚原子粒子的平动、振动和转动的能量的方法。所有的这些运动的动能和粒子的势能,有时还包括某些其他类型的等效粒子能量构成物体的总内能。在物体不受外力或外力对其不做功的条件下,内能可以被不严格地称作热能。内能可以以多种方式存储于一种物质内,每种构成一个“自由度”。每个自由度有相同的能量平均值k_B T/2(k_B为玻尔兹曼常数),除非其处于量子体系。内部自由度(转动,振动等)适用于室温下的量子体系,平动自由度适用于经典体系,除了在极低的温度(开尔文的分数)下。大多数情况下,热力学温度由粒子的平均平动动能确定。 Category:温度 Category:态函数 Category:国际单位制基本量.

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絕緣體

绝缘体(Insulator),又称电介质或绝缘子,是一种阻碍电荷流动的材料。在绝缘体中,价带电子被紧密的束缚在其原子周围。这种材料在电气设备中用作绝缘体,或称起绝缘作用。其作用是支撑或分离各个电导体,不让电流流过。 玻璃、纸或聚四氟乙烯等材料都是非常好的电绝缘体。更多的一些材料可能具有很小的电导,但仍然足以作为电缆的绝缘,例如橡胶类高分子和绝大多数塑料。这些材料可以在低压下(几百甚至上千伏特)用作安全的绝缘体。.

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电子学

电子学(Electronics),作用于包括有源电子元器件(例如真空管、二极管、三极管、集成电路)和与之相关的无源器件电路的互连技术。有源器件的非线性特性和控制电子流动的能力能够放大微弱信号,并且电子学广泛应用于信息处理、通信和信号处理。电子器件的开关特性使处理数字信号成为可能。电路板、电子封装等互连技术和其他各种形式的通信基础元件完善了电路功能,并使连接在一起的元件成为一个正常工作的系统。 电子学有别于電機(Electrical)和機電(Electro-mechanical)科学与技术,电气和电机科学与技术是处理电能的产生、分布、开关、储存和转换,通过电线、电动机、发电机、电池、开关、中继器、变压器、电阻和其他无源器件从其他形式的能量转换为电能。 1897年,約瑟夫·湯姆森發現電子的存在,这是電子學的起源。早期的電子學使用真空管來控制電子的流動,但其存在成本高及體積大等缺點。现如今,大多數电子设备都使用半导体器件来控制电子。真空管至今仍有一些特殊应用,例如、阴极射线管、专业音频设备和像多腔磁控管等微波设备。 半导体器件的研究和相关技术是固体物理学的一个分支,但是电子电路的设计和搭建来解决实际问题却是电子工程的范围。本文专注于电子学的工程方面。.

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电子迁移率

电子迁移率(electron mobility)是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子,在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率(hole mobility)。人们常用载流子迁移率(carrier mobility)来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。.

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盐酸

酸,學名氢氯酸(hydrochloric acid),是氯化氢(化学式:HCl)的水溶液,属于一元无机强酸,工业用途广泛。盐酸为无色透明液体,有强烈的刺鼻味,具有较高的腐蚀性。浓盐酸(质量百分濃度约为37%)具有极强的挥发性,因此盛有浓盐酸的容器打开后氯化氢气体会挥发,与空气中的水蒸气结合产生盐酸小液滴,使瓶口上方出现酸雾。盐酸是胃酸的主要成分,它能够促进食物消化、抵御微生物感染。 16世纪,利巴菲乌斯正式记载了纯净盐酸的制备方法:将浓硫酸与食盐混合加热。之后格劳勃、普利斯特里、戴维等化学家也在他们的研究中使用了盐酸。 工业革命期间,盐酸开始大量生产。化学工业中,盐酸有许多重要应用,对产品的质量起决定性作用。盐酸可用于酸洗钢材,也是大规模制备许多无机、有机化合物所需的化学试剂,例如聚氯乙烯的前体氯乙烯。盐酸还有许多小规模的用途,比如用于家务清洁、生产明胶及其他食品添加剂、除水垢试剂、皮革加工。全球每年生产约两千万吨的盐酸。.

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直线形分子构型

化学中,直线形分子构型描述了三个或更多个原子排列在一直线上,键角为180º的现象。通常认为,直线形的有机分子(例如乙炔)中的中心碳原子采用sp杂化。许多常见分子是直线形的,例如CO2、HCN和二氟化氙。直线形的阴离子由N3−和SCN−。直线形的阳离子有NO2+。.

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發光效率

#重定向 發光效能.

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銻化鎵

銻化鎵為半導體材料之一,其中分子裡包含了銻和鎵,屬於III-V族,其能隙為 0.726ev,晶格常數是0.61 nm。銻化鎵通常可以用來做、紅外發光二極體、電晶體、雷射二極體等用具。.

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衛星

衛星,是環繞一顆行星按閉合軌道做周期性運行的天體。如地球的衛星是月球。不過,如果兩個天體的質量相當,它們所形成的系統一般稱為雙行星系統,而不是一顆行星和一顆天然衛星。通常,兩個天体的质量中心都處於行星之內。因此,有天文學家認為冥王星與冥衛一應該歸類為雙行星,但2005年發現兩顆新的冥衛,使問題複雜起來了。.

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裂解

裂解(Pyrolysis,或称热解、热裂、热裂解、高温裂解)指有机物质於无氧气存在下的分解反应。它涉及的化学成分和物理相位的同时变化,并且是不可逆的反應。 裂解与干馏及烷烃的裂化反应有相似之处,同属于;但由於細部的差異與專門用途的不同,因此有不同的稱呼,如干馏、,和裂化反应。如果裂解的温度再升高,则会发生,所有的反应物都会转变为碳。 裂解与燃烧和水解等其他工艺不同之处在于它通常不涉及与氧,水或任何其它试剂的反应 ,但是在实作上,不一定會在完全无氧的环境下進行熱裂解反應,因为任何裂解系统中都存在一些空氣(含有氧),因此會发生少量的氧化反應。此外,若着火时(如火災)氧气供应较少,便會發生類似裂解的反应,这也是目前研究裂解反应机理和性质的重要原因。.

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超级计算机

超级计算机(Supercomputer),指能够执行一般个人电脑无法处理的大资料量与高速运算的计算机,规格与性能比个人计算机强大许多。现有的超级计算机运算速度大都可以达到每秒一兆(万亿,非百万)次以上。「超级计算」(supercomputing)這名詞第一次出現,是在1929年《纽约世界报》关于IBM为哥伦比亚大学建造大型報表机(tabulator)的报导。 1960年代,超级计算机由麥可·徐(Michael Tsui)在Control Data Corporation裡设计出来并领先市场直到1970年代克雷创立自己的公司──克雷研究。凭着他的新设计,他控制了整个超级计算机市场,并占据颠峰位置长达五年(1985年-1990年)。到了1980年代,正值小型计算机市场萌芽阶段,大量小型对手加入竞争。在1990年代中期,很多对手受不了市场的冲击而消声匿迹。今天,超级计算机成了一种由像IBM及惠普等大型计算机公司所特意设计的计算机。虽然这些公司通过不断并购其他公司而增强了自己的经验,克雷研究依然是超级计算机领域的巨头之一。.

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还原

还原是一种化工单元过程。在化学反应中,还原反应是氧化反应的逆过程,即是得到电子的过程,因为有一方失去电子,就会有另一方得到电子。因此,还原反应经常和氧化反应合在一起,被称为氧化还原反应。但在化工领域,目的只是在于所要得到的产品,氧化过程是要得到氧化产物,并不关心氧化剂的变化,还原也是只关心还原产物,不在乎还原剂,所以两种过程不能放到一起。 一般工业常用的还原剂有氢气、一氧化碳、铁屑、锌粉等易于被氧化而氧化后生成无害产物的物质。 还原过程在工业中的应用有:.

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能隙

能隙(band gap或energy gap)也譯作能帶隙(energy band gap)、禁带--宽度(width of forbidden band),在固態物理學中泛指半導體或是絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個zh-cn:本征半导体;zh-hk:本徵半導體;zh-tw:本質半導體;-而言,其導電性與能隙的大小有關,只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發,跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階E_0的機率。又假設E_0>>E_F,E_F是所謂的費米能階,電子佔據E_0的機率可以利用波茲曼近似簡化為: 在上式中,E_g是能隙的寬度、k是波茲曼常數,而T則是溫度。 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整,特別是在化合物半導體中,例如控制砷化鎵鋁(AlGaAs)或砷化鎵銦(InGaAs)各種元素間的比例,或是利用如分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy, MBE)成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件,如-zh-cn:异质结双极性晶体管;zh-tw:異質接面雙載子電晶體;-(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)、zh-hans:激光二极管;zh-hk:激光二極管;zh-tw:雷射二極體;-,或是太陽能電池上已經成為主流。.

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背景輻射

背景--輻射(),又稱本底--輻射,是在環境中持續存在,可以是源自人為排放或自然存在的輻射,主要的來源有:.

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蘇聯

#重定向 苏联.

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閃鋅礦

闪锌矿是种由鋅和鐵结合的硫化物。晶形常为四面体状。純閃鋅礦近於無色,但随着成分中铁含量的增加由淺黃、黃褐、棕甚至黑色,因此難鑑定。具有完全的菱形十二面體解理。 闪锌矿常与方铅矿密切共生在热液矿床中。主要的礦場位在西班牙北部的坎塔布連山脈、墨西哥的索諾拉州、中國南京栖霞等地方,是分布最廣的鋅礦之一。 闪锌矿是炼锌的主要原料,也是一部分铟、镓等稀散元素的来源。 Category:硫化物礦物 Category:含锌矿物.

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蒸氣

蒸氣是指处于液态或固态的物质的周围所包含的相同物质的气态组分。与纯的气态物质不同的是,蒸氣必然伴随着相同物质的另一状态(固态或液态);如果固态或液态的物质完全转化为蒸氣,则此时的蒸氣就不再称为蒸氣而是定义为纯的气态物质。蒸氣来源与沸点以下的液态物质的蒸发或者固态物质的昇華。由于有蒸氣的存在,很多物质都存在蒸氣壓。.

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锗(Germanium,舊譯作鈤)是一种化学元素,它的化学符号是「Ge」,原子序数是32。它是一種灰白色类金属,有光澤,質硬,屬於碳族,化學性質與同族的錫與硅相近。在自然中,鍺共有5種同位素,原子質量數在70至76之間。它能形成許多不同的有機金屬化合物,例如四乙基鍺及異丁基鍺烷等。 即使地球表面上鍺的豐度地殼蘊含量相對较高,但由於礦石中很少含有高濃度的鍺,所以它在化學史上發現得比較晚。門捷列夫在1869年根據元素周期表的位置,預測到鍺的存在與其各項屬性,並把它稱作擬硅。克莱门斯·温克勒於1886年在一種叫硫銀鍺礦的稀有礦物中,除了找到硫和銀之外,還發現了一種新元素。儘管這種新元素的外觀跟砷和銻有點像,但是新元素在化合物中的化合比符合門捷列夫對硅下元素的預測。温克勒以他的國家——德國的拉丁語名來為這種元素命名。 鍺是一種重要的半導體材料,用於製造晶體管及各種電子裝置。主要的終端應用為光纖系統與紅外線光學(infrared optics),也用於聚合反應的催化劑,制造電子器件與太陽能電力等。現在,開採鍺用的主要礦石是閃鋅礦(鋅的主要礦石),也可以在銀、鉛和銅礦中,用商業方式提取鍺。一些鍺化合物,如四氯化鍺(GeCl4)和甲鍺烷,会刺激眼睛、皮膚、肺部與喉嚨。.

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致癌物質

致癌物質(Carcinogen)是指任何會直接導致生物體產生癌症的物質、輻射或放射性同位素,這些物質於生態環境中會造成動物細胞基因組內的脫氧核糖核酸(是控制個體生命的遺傳和生理的重要化學物質)受到損害、突變,從而使細胞內的生化反應不能夠正常工作,例如訊息傳遞及代謝失常等。.

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金属

金属是一种具有光泽(对可见光强烈反射)、富有延展性、容易导电、传热等性质的物质。金属的上述特质都跟金属晶体内含有自由电子有关。由於金屬的電子傾向脫離,因此具有良好的導電性,且金属元素在化合物中通常帶正价電,但當溫度越高時,因為受到了原子核的熱震盪阻礙,電阻將會變大。金屬分子之間的連結是金屬鍵,因此隨意更換位置都可再重新建立連結,這也是金屬伸展性良好的原因之一。 在自然界中,絶大多數金屬以化合態存在,少數金屬例如金、銀、鉑、鉍可以游離態存在。金屬礦物多數是氧化物及硫化物。其他存在形式有氯化物、硫酸鹽、碳酸鹽及矽酸鹽。 屬於金屬的物質有金、銀、銅、鐵、鋁、錫、錳、鋅等。在一大氣壓及25攝氏度的常温下,只有汞不是固體(液態),其他金属都是固體。大部分的純金屬是銀色,只有少數不是,例如金為黄色,銅為暗紅色。 在一些個別的領域中,金屬的定義會有些不同。例如因為恆星的主要成份是氫和氦,天文學中,就把所有其他密度較高的元素都統稱為「金屬」。因此天文學和物理宇宙學中的金屬量是指其他元素的總含量。此外,有許多一般不會分類為金屬的元素或化合物,在高壓下會有類似金屬的特質,稱為「金屬性的同素異形體」。.

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镓(Gallium,舊譯作鉫、錁)是一种化学元素,它的化学符号是Ga,原子序数是31,是一种貧金屬。 在自然界中常以微量分散于铝矾土矿、闪锌矿等矿石中。.

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雷达

雷达(RADAR),是英文「Radio Detection and Ranging」(無線電偵測和定距)的縮寫及音譯。將電磁能量以定向方式發射至空間之中,藉由接收空間內存在物體所反射之電波,可以計算出該物體之方向,高度及速度,并且可以探测物体的形状。.

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電子時報

《電子時報》(DIGITIMES)是一家發行於台灣的報紙,其新聞--著重於半導體、電腦、通訊等電子產業。總社位於台北市松山區民生東路「科技服務大樓」。 「大椽股份有限公司」(DIGITIMES lnc.)先是在1997年(民國86年)10月,由宏碁共同創辦人之一的旭揚創投董事長邰中和與宏碁董事長施振榮、神通電腦董事長苗豐強、台灣半導體教父張忠謀、旺宏電子董事長胡定華等人合資新台幣一億九千萬元創立,前資訊工業策進會資訊市場情報中心主任黃欽勇擔任首任社長。 於1998年(民國87年)4月17日正式發行《電子時報》實體刊物,同時結合網路資料庫、產業研究中心等服務項目,以即時、客觀、專業、深入的形象,提供廠商完整的情報收集及行銷服務。.

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雜訊

Unreferenced/auto 自动产生。 --> 雜訊(Noise)在电子学中指,訊號在傳輸過程中會受到一些外在能量所產生訊號(如杂散电磁场)的干擾,這些能量即雜訊。雜訊通常會造成信號的失真。其來源除了來自系統外部,亦有可能由接收系統本身產生。雜訊的強度通常都是與訊號頻寬成正比,所以當訊號頻寬越寬,雜訊的干擾也會越大。所以在評估雜訊強度或是系統抵抗雜訊能力的數據,是以訊號強度對雜訊強度的比例為依據,此即訊雜比。.

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集成电路

集成电路(integrated circuit,縮寫:IC;integrierter Schaltkreis)、或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶--片/芯--片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半導體裝置,也包括被动元件等)小型化的方式,並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜(thin-film)積體電路。另有一種(thick-film)(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动元件,集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片(monolithic)集成电路,即薄膜積體電路。 從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型,但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯,卻早於1990年就過世。.

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Zhores Alferov

#重定向 若列斯·伊万诺维奇·阿尔费罗夫.

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抛光

抛光是使用物理机械或化学药品降低物体表面粗糙度的工艺。抛光技术主要在精密机械和光学工业中使用。抛光后的工件表面光滑具有良好的反射效果。工件抛光后会减少厚度并容易划伤,必须使用细丝绒布,麂皮,天鹅毛和专用清洗剂清洁表面。.

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柴可拉斯基法

柴可拉斯基法(简称柴氏法 Czochralski process),又称直拉法,是一种用来获取半导体(如硅、锗和砷化镓等)、金属(如钯、铂、银、金等)、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基(Jan Czochralski),他在1916年研究金属的结晶速率时,发明了这种方法。後來,演變為鋼鐵工廠的標準製程之一。 直拉法最重要的应用是晶、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体,例如砷化镓,也可以利用直拉法进行生长,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以获得更低的晶体缺陷密度。.

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毒物

毒物是对生物造成不适反应的物質的总称。 毒物对生物体造成的影响因种类不同各异,不适反应的类型以及程度也各不相同。另外对于有的生物来说具有毒性而对于别的生物来说无毒的“选择毒性”在自然界中也存在。比如,抗生素对某些微生物具有毒性,但对于其他生物基本无害。此外生物所必需的各种微量化合物,如维生素,矿物质等超过一定量后也会出现毒性。例如钙是骨骼形成所必需的,但是摄取过多钙会损伤肾脏。 日常生活中称为「毒物」的除了急性或者慢性毒性的物質以外、还有致癌或者导致畸变的物質,極端的例子有如沙利度胺是一种强力的致畸性物質但是其毒性极弱。在毒理学的基本观点上所有的物質多少都具有毒性。大量摄取砂糖、食盐也会对身体有危害、但是这一般不称作毒物。一般认为的毒物应该是具有急性毒性或者剧毒性的物质。 对生物体中毒施加以其它药物,使其影響得到抑制或化解称为解毒。 很多种生物为防止外敵或者捕获猎物都带有毒性。来自生物体的毒物称为毒素。另外人工制成的毒物也有很多。既有非本意生产出的化合物中带有毒性的例子,也有如化学武器等带有强力毒性的化合物被人为制造出来的情况。.

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氢氟酸

氢氟酸是氟化氢的水溶液,具有强烈的腐蚀性,纯氟化氢有时也称作无水氢氟酸。因为氢原子和氟原子间结合的能力相对较强,使得氢氟酸在水中不能完全电离,所以理论上低浓度的氢氟酸是一种弱酸,但是氢氟酸却能够溶解很多其他酸都不能溶解的二氧化硅玻璃。 反应方程式如下: 以上反应分两步进行: SiF4易溶于水,与HF继续反应: 正因如此,它必须储存在塑料容器中(放在聚四氟乙烯容器中最好)。如果要长期储存,不仅需要密封容器,而且容器应尽可能真空,因为氢氟酸能够溶解绝大多数无机氧化物。.

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氧化物

氧化物,是负价氧和另外一个化學元素組成的二元化合物,例如氧化鐵(Fe2O3)或氧化鋁(Al2O3),通常經由氧化反應產生。氧化物在地球的地殻極度普遍,而在宇宙的固體中也是如此。 氧离子(O2−)是氢氧根(OH−)离子的共轭碱,存在某些氧化物离子晶体中。自由的氧离子具强碱性(pKb ~ -22),在水溶液中是不稳定的。 氧化物中的氧元素应该呈负氧化态。如果含氧二元化合物中的氧为正氧化态,例如二氟化二氧(O2F2)和二氟化氧(OF2),则它们一般称为氟化物,而非氧化物。.

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氮化鎵

氮化鎵(GaN、Gallium nitride)是氮和鎵的化合物,是一種III族和V族的直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體,可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405 nm)雷射。 如同其他III族元素的氮化物,氮化镓对电离辐射的敏感性较低,这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益,因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓 (GaAs) 晶体管,氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行,因此它们是理想的微波频率的功率放大器。.

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氮族元素

氮族元素是元素周期表的的ⅤA族元素(IUPAC新规定:15族),位于碳族元素和氧族元素之间,包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、镆(Mc)六种元素。 这一族元素在化合物中可以呈现-3,+3,+5等多种化合价,他们的原子最外层都有5个电子。最高正价都是+5价。.

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激光

雷射(LASER),中國大陸譯成激--光,在港澳台又音譯为镭--射或雷--射,是“通过受激辐射产生的光放大”(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)的缩写,指通过刺激原子导致电子跃迁释放辐射能量而产生的具有同調性的增强光子束,其特点包括发散度极小,亮度(功率)可以达到很高等。產生激光需要“激發來源”,“增益介質”,“共振结构”這三個要素。.

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机遇号

机遇号(Opportunity),亦稱為--或火星探测漫游者-B(MER-B),是一個於2004年進行火星探測任務的地表漫遊車;它是NASA目前火星探測漫遊車任務的兩輛中的其中一輛。它在2003年從地球發射,並於2004年1月25日地表UTC時間05:05(大約當地時間13:15)降落在子午線高原 ,差不多也是在姐妹號精神號降落在另一個地方的三周後。 機會號已經連續有效運作了超過原本設計(90個日子)30倍的任務時間;由於太陽能發電板被清潔乾淨,它因此能夠繼續執行大量對火星岩石的地質分析和地表描繪。 任務的重點包括了完成90個火星日的任務,發現了火星上的第一個隕石隔熱罩岩(在子午線高原),以及超過兩年的時間研究維多利亞撞擊坑。機會號驚險的在2007年的沙塵暴中存活了下來,現在正朝向奋斗撞击坑前進。 位于帕萨迪纳的噴射推進實驗室(JPL),是加州理工学院的一个下属部门,现负责管理火星探测漫游者计划。.

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有机金属化学

有机金属化学是有机化学和無機化學交疊的一門分支課程,研究含有金屬(包括類金屬)和碳原子鍵結的有机金属化合物,其化學反應、合成等各種問題。 其中的化學反應,包含了許多催化性質的反應以及跟金屬配位有關的化學反應,甚至有些是運用在於醫藥上,如用于治疗糖尿病的含釩的配合物。.

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有机金属化学气相沉积法

有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition),是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。其他類似的名稱如:MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等,其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM",指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為金屬化合物 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。而後面三個字母 "CVD" 或是 "VPE",指的是所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言,"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成長,這種成長方式歸類於 "沉積"(Deposition);而"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式,這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。.

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應力

在連續介質力學裏,應力定義為單位面積所承受的作用力。以公式標記為 其中,\sigma \,表示應力;\Delta F_j\,表示在j\,方向的施力;\Delta A_i \,表示在i\,方向的受力面積。 假設受力表面與施力方向正交,則稱此應力分量為正向應力(normal stress),如圖1所示的\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,,都是正向應力;假設受力表面與施力方向互相平行,則稱此應力分量為剪應力(shear stress),如圖1所示的\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,、\sigma_\,,都是剪應力。 「內應力」指組成單一構造的不同材質之間,因材質差異而導致變形方式的不同,繼而產生的各種應力。 採用國際單位制,应力的单位是帕斯卡(Pa),等於1牛頓/平方公尺。應力的單位與壓強的單位相同。兩種物理量都是單位面積的作用力的度量。通常,在工程學裏,使用的單位是megapascals(MPa)或gigapascals(GPa)。採用英制單位,應力的單位是磅力/平方英寸(psi)或千磅力/平方英寸(ksi)。.

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晶体

晶体是原子、离子或分子按照一定的周期性,在结晶过程中,在空间排列形成具有一定规则的几何外形的固体。 晶体的分布非常广泛,自然界的固体物质中,绝大多数是晶体。气体、液体和非晶物质在一定的合适条件下也可以转变成晶体。 晶体内部原子或分子排列的三维空间周期性结构,是晶体最基本的、最本质的特征,并使晶体具有下面的通性:.

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晶圓

晶圆(Wafer)是指制作硅半导体集成电路所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体,一般晶圆產量多為单晶硅圆片。 晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研發更大规格(14英吋、15英吋、16英吋、20英吋以上等)。晶圆越大,同一圆片上可生产的集成电路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本;但对材料技术和生产技术的要求更高,例如均勻度等等的問題。一般認為硅晶圆的直径越大,代表著这座晶圆厂有更好的技術,在生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。.

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晶格常數

晶格常数(),或称晶格参数(),是指晶格中晶胞的物理尺寸。三维空间中的晶格一般有 3 个晶格常数,分别用 a, b 和 c 来表示。但在立方晶体结构这一特殊情形下,这 3 个常数都相等,故仅用 a 来表示。类似的情形还有六方晶系结构,其中 a 和 b 这两个常数相等,因此我们只用 a 和 c。一族晶格常数也可合称为晶格参数 (lattice parameter)。但实际上,完整的晶格参数应当由 3 个晶格常数和 3 个夹角来描述。 例如,对于常见的金刚石,其晶格常数为 a.

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