火星探测漫游者和電子抹除式可複寫唯讀記憶體

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火星探测漫游者和電子抹除式可複寫唯讀記憶體之间的区别

火星探测漫游者 vs. 電子抹除式可複寫唯讀記憶體

火星探测漫游者（Mars Exploration Rover, MER）是美国国家航空航天局的2003年火星探测计划。这项计划的主要目的是将勇气号（Spirit, MER-A）和机遇号（Opportunity, MER-B）两辆火星车送往火星，对火星这颗红色行星进行实地考察。火星探测漫游者任务开始于2003年。 任务目标是在岩石和土壤中搜寻水活动的线索。本项目是NASA火星探索项目的一部分，还包括了已经成功的1976年海盗号着陆器和1997年的火星探路者探测器。本项目原预算8.2亿美元 ，由于火星车工作时间远超过原计划的90天火星日，任务再度延伸5次，第五次任务扩展于2007年10月批准，结束于2009年。前4次延伸任务预算1.04亿美元，第五次延伸任务预算2千万美元。2007年7月的第四次扩充任务中，火星尘暴威胁到火星车太阳能电池接受日照的能力，工程师们认为2个火星车可能就此永久失效，但尘暴消散后火星车又恢复了功能。2架火星车获得了大量科学信息，为此，2个小行星被命名为：37452勇气和39382机遇。本任务的航天器由喷气推进实验室设计、建造和操作。. EEPROM，或写作E2PROM，全稱電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），是一種可以通過電子方式多次複寫的半導體存儲設備。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數據。 EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入時，芯片通過Vpp（一般+25V, 較新者可能使用 12V 或 5V）獲得編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦除指定地址的內容。為保證寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫入時間也已有縮短。 由於EEPROM的優秀性能，以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦除的BIOS晶片以及快閃記憶體芯片，並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片，甚至取代部份的硬碟功能（見固态硬盘）。它與高速RAM成為當前（21世紀00年代）最常用且發展最快的兩種儲存技術。.

闪存

快闪--（flash memory），是一种--的形式，允许在操作中被多次擦或写的--。這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料，如記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶片上的資料。 快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、手提電腦、數位隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。 快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言，它是不需要消耗電力的。與硬碟相比，快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性：當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM，但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢，相較之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。.

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