横向扩散金属氧化物半导体和調變
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横向扩散金属氧化物半导体和調變之间的区别
横向扩散金属氧化物半导体 vs. 調變
横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,缩写:LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs-zh-cn:场效应管; zh-tw:場效電晶體;-)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。 Category:金属氧化物半导体. 调制(英語:modulation)是一种将一個或多個週期性的載波混入想傳送之信号的技術,常用于无线电波的传播与通信、利用电话线的数据通信等各方面。依调制信号的不同,可区分为數位调制及類比调制,這些不同的调制,是以不同的方法,將信号和载波合成的技术。调制的逆过程叫做「解调」,用以解出原始的信号。.
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横向扩散金属氧化物半导体和調變之间的比较
横向扩散金属氧化物半导体有10个关系,而調變有20个。由于它们的共同之处0,杰卡德指数为0.00% = 0 / (10 + 20)。
参考
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