晶片尺寸封裝和裸晶

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晶片尺寸封裝和裸晶之间的区别

晶片尺寸封裝 vs. 裸晶

晶片尺寸構裝（Chip Scale Package, CSP）是一種半導體構裝技術。 最早CSP只是晶片尺寸封裝的縮寫。根據IPC的標準J-STD-012, "Implementation of Flip Chip and Chip Scale Technology"，以符合晶片規模，封装必須有一個面積不超過1.2倍，更大的模具和它必須一個單晶片，直接表面貼裝封裝。 由於可攜式電子產品的外形尺寸日趨縮小，富士通和日立電線跟Murakami首次提出了這一概念。然而，第一個概念演示來自三菱電機。 晶片尺寸構裝是在TSOP、球柵陣列（ball grid array,BGA）的基础上，可蝕刻或直接印在矽片，導致在一個包，非常接近矽片的大小：這種包裝被稱為晶圓級芯片規模封裝（WL-CSP）或晶圓級封裝（WLP）。. 裸晶（die，複數形可以是dice、dies或die），也称裸晶片、裸芯片或裸片，是以半導體材料製作而成未經封裝的一小塊積體電路本體，該積體電路的既定功能就是在這一小片半導體上實現。 通常情況下，積體電路是以大批方式，經光刻等多項步驟，製作在大片的半導體晶圓上，然後再分割成若干方形小片，這一小片就稱為晶片，每個晶片就是一個積體電路的複製品。晶圓所用的半導體材料通常是電子級的矽（EGS）或其他半導體如砷化鎵的單晶。獨立的電晶體等半導體器件內的晶片其實也是使用同樣的製法。 一般積體電路會封裝在陶瓷或塑膠等包裝內，並引出接腳。由於電路的小型化需求，有時某些積體電路晶片會不作封裝，直接交給下游用戶使用，此時會稱該裸片是裸晶。.

半导体

半导体（Semiconductor）是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成N型半導體；如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個電洞（hole），這樣就形成P型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視為多了1個正電荷）。.

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集成电路

集成电路（integrated circuit，縮寫：IC；integrierter Schaltkreis）、或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶--片/芯--片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半導體裝置，也包括被动元件等）小型化的方式，並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜（thin-film）積體電路。另有一種（thick-film）（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜積體電路。 從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯，卻早於1990年就過世。.

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