掺杂 (半导体)和铒
快捷方式: 差异，相似，杰卡德相似系数，参考。
掺杂 (半导体)和铒之间的区别
掺杂 (半导体) vs. 铒
掺杂（doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。. 铒是一种化学元素，它的化学符号是Er，它的原子序数是68，属于镧系元素，也是稀土元素之一。 1843年，由莫桑德尔（C.G.Mosander）发现。他原来将铒的氧化物命名为氧化铽，因此，早期德文文献中，氧化铽和氧化铒是混同的。直到1860年以后，才得纠正。 第一电离能6.10电子伏特。与钬、镝的化学性质和物理性质几乎完全相同。银灰色金属，质软，不溶于水，溶于酸。盐类和氧化物呈粉红至红色。铒的同位素有：162Er、164Er、166Er、167Er、168Er、170Er。 存在于火成岩中。可由电解熔融氯化铒ErCl3而制得。 氧化物Er2O3为玫瑰红色，用来制造陶器的釉彩。.
之间掺杂 (半导体)和铒相似
掺杂 (半导体)和铒有1共同点（的联盟百科）: 電子伏特。
電子伏特（electron Volt），簡稱電子伏，符号为eV，是能量的單位。代表一個電子（所帶電量為1.6×10-19庫侖）经过1伏特的電位差加速后所獲得的动能。電子伏与SI制的能量单位焦耳（J）的换算关系是.
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- 什么掺杂 (半导体)和铒的共同点。
- 什么是掺杂 (半导体)和铒之间的相似性
掺杂 (半导体)和铒之间的比较
掺杂 (半导体)有13个关系，而铒有28个。由于它们的共同之处1，杰卡德指数为2.44% = 1 / (13 + 28)。
参考
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