恩智浦半导体和横向扩散金属氧化物半导体
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恩智浦半导体和横向扩散金属氧化物半导体之间的区别
恩智浦半导体 vs. 横向扩散金属氧化物半导体
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），前身为飞利浦半导体，由荷蘭企業飞利浦在1953年创立。2006年8月31日，该公司首席执行官万豪敦（Frans van Houten）在柏林向客户和員工宣布公司的新名称。 恩智浦半导体目前可以提供半导体、系统和软件解决方案；使用在汽车、手机、智能识别应用、电视、机上盒以及其他电子设备上。. 横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，缩写：LDMOS）经常被用于微波/射频电路，制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器，原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件（如GaAs-zh-cn:场效应管; zh-tw:場效電晶體;-）相比，LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司（TSMC）、格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）、（VIS）、英飞凌、RFMD、飞思卡尔（Freescale）等。 Category:金属氧化物半导体.
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恩智浦半导体和横向扩散金属氧化物半导体之间的比较
恩智浦半导体有16个关系，而横向扩散金属氧化物半导体有10个。由于它们的共同之处1，杰卡德指数为3.85% = 1 / (16 + 10)。
参考
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