寄生电容和電子元件

快捷方式: 差异，相似，杰卡德相似系数，参考。

寄生电容和電子元件之间的区别

寄生电容 vs. 電子元件

寄生电容（parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。寄生電容常常也會造成雜散振盪。 在现实中，所有的电路元件，例如电感元件、二极管和晶体管都具有内部电容，这些电容将使器件的性能与理想情况有所不同。此外，在任意两段导体之间均有非零的电容，这种电容在高频情况中体现得尤为突出，因此在印制电路板设计中必须予以考虑。 （Power MOSFET）的寄生电容可以很大，直接利用微控制器的輸出來控制，可能會令微控制器受損。MOSFET及IGBT驅動器就是用來解決寄生电容的問題，其輸出電流亦較大。 P. 電子元件（electronic component），是電子電路中的基本元素，通常是個別封裝，並具有兩個或以上的引線或金屬接點。電子元件須相互連接以構成一個具有特定功能的電子電路，例如：放大器、無線電接收機、振盪器等，連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨的封裝（電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等），或是各種不同複雜度的群組，例如：集成电路（運算放大器、排阻、邏輯閘等）。.

印刷电路板

印刷电路板，又称印制--电路板，印刷线路板，常用英文缩写PCB（Printed circuit board）或PWB（Printed wire board），是电子元件的支撑体，在這其中有金屬導體作为連接电子元器件的線路。 傳統的電路板，採用印刷蝕刻阻劑的工法，做出電路的線路及圖面，因此被稱為印刷電路板或印刷線路板。由於電子產品不斷微小化跟精細化，目前大多數的電路板都是採用貼附蝕刻阻劑（壓膜或塗佈），經過曝光顯影後，再以蝕刻做出電路板。.

印刷电路板和寄生电容 · 印刷电路板和電子元件 · 查看更多 »

絕緣柵雙極晶體管

絕緣柵雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。.

寄生电容和絕緣柵雙極晶體管 · 絕緣柵雙極晶體管和電子元件 · 查看更多 »

电感元件

電感器（inductor）是一種電路元件，會因為通過的電流的改變而產生電動勢，從而抵抗電流的改變。這屬性稱為電感。 电感元件有许多种形式，依據外觀與功用的不同，而會有不同的稱呼。以漆包線繞製多圈狀，常作为电磁铁使用和变压器等中使用的电感也依外觀称為线圈（coil）。用以對高頻提供較大電阻，通過直流或低頻的，依功用常稱為扼流圈（choke），又稱抗流圈。常配合铁磁性材料，安装在变压器、电动机和发电机中使用的較大电感，也称绕组（Winding）。導線穿越磁性物質，而無線圈狀，常充当高頻滤波作用的小电感，依外觀常称為磁珠（Bead）。 電感器一詞，通常只用來稱呼以自感或其效應為主要工作情況的元件。非以自感為主的，習慣上大多稱呼它的其他名稱，平常不以電感器稱呼，例如：變壓器、馬達裡的電磁線圈繞組等。 在中文裡，電感器一詞在口語上也會被簡稱為電感，但如需嚴謹表達為實體物件的情況，仍宜稱為電感器。.

寄生电容和电感元件 · 电感元件和電子元件 · 查看更多 »

金屬氧化物半導體場效電晶體

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的關注。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。.

寄生电容和金屬氧化物半導體場效電晶體 · 金屬氧化物半導體場效電晶體和電子元件 · 查看更多 »

晶体管

晶体管（transistor），早期音譯為穿細絲體，是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-，可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點（稱為極），(C)集極、(E)射極、(B)基極，其中(B)基極是控制極，另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压，改變輸出端的阻抗 ，從而控制通過輸出端的电流，因此晶體管可以作為電流開關，而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此晶体管可以作為电子放大器。.

寄生电容和晶体管 · 晶体管和電子元件 · 查看更多 »