化学气相沉积和氧化鋅

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化学气相沉积和氧化鋅之间的区别

化学气相沉积 vs. 氧化鋅

化學氣相沉積（chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。 微制程大都使用CVD技术来沉积不同形式的材料，包括单晶、多晶、非晶及磊晶材料。这些材料有硅、碳纤维、碳奈米纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的等材料。CVD制程也常用来生成合成钻石。. 氧化鋅是锌的氧化物，难溶於水，可溶于酸和强鹼。它是白色固体，故又稱鋅白。它能通过燃燒鋅或焙烧闪锌矿（硫化锌）取得。在自然中，氧化鋅是礦物紅鋅礦的主要成分。虽然人造氧化鋅有兩種製造方法：由純鋅氧化或烘燒鋅礦石而成。氧化锌作为添加剂在多种材料和产品有应用，包括塑料、陶瓷、玻璃、水泥、润滑剂、油漆、软膏、粘合剂、填隙材料、颜料、食品（ 补锌剂）、电池、铁氧体材料、阻燃材料和医用急救绷带等。 氧化锌是一种宽带隙半导体材料，室温下带隙约3.3eV，激子束缚能高达60meV，有望取代GaN成为做紫外光LD和LED的材料。在光电子领域有重要应用。.

原子层沉积

原子层沉积（英文：Atomic layer deposition）是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积（化学气相沉积）有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积的主要反应物有两种化学物质，通常被称作前驱物。.

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有机金属化学气相沉积法

有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM"，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為金屬化合物 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。而後面三個字母 "CVD" 或是 "VPE"，指的是所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成長，這種成長方式歸類於 "沉積"(Deposition)；而"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式，這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。.

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