动态随机存取存储器和高頻寬記憶體

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动态随机存取存储器和高頻寬記憶體之间的区别

动态随机存取存储器 vs. 高頻寬記憶體

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。 與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。. 頻寬記憶體（英文：High Bandwidth Memory，縮寫HBM）是超微半導體和SK Hynix發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）等。首個使用HBM的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。2013年10月HBM成為了JEDEC通過的工業標準，, JEDEC, October 2013第二代HBM —— HBM2，也於2016年1月成為工業標準，NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了HBM2。.