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互補式金屬氧化物半導體和反相器

快捷方式: 差异相似杰卡德相似系数参考

互補式金屬氧化物半導體和反相器之间的区别

互補式金屬氧化物半導體 vs. 反相器

互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,縮寫作 CMOS;簡稱互補式金氧半),是一種積體電路的設計製程,可以在矽質晶圓模板上製出NMOS(n-type MOSFET)和PMOS(p-type MOSFET)的基本元件,由於NMOS與PMOS在物理特性上為互補性,因此被稱為CMOS。此一般的製程上,可用來製作電腦電器的靜態隨機存取記憶體、微控制器、微處理器與其他數位邏輯電路系統、以及除此之外比較特別的技術特性,使它可以用於光學儀器上,例如互補式金氧半图像传感裝置在一些高級數位相機中變得很常見。 互補式金屬氧化物半導體具有--有在電晶體需要切換啟動與關閉時才需消耗能量的優點,因此非常節省電力且發熱量少,且製程上也是最基礎而最常用的半導體元件。早期的唯讀記憶體主要就是以这种電路制作的,由於當時電腦系統的BIOS程序和参数信息都保存在ROM和SRAM中,以致在很多情况下,當人们提到「CMOS」時,实际上指的是電腦系統之中的BIOS單元,而一般的「CMOS设置」就是意指在设定BIOS的內容。. 反相器(Inverter)也称非门(NOT gate),是数字逻辑中实现逻辑非的逻辑门,功能见右侧真值表。 这种功能代表了数字电路中理想开关表现的假定,但是在实际的反相器设计中,元--件有其需要特别关注的电气特性。实际上,CMOS反相器的非理想过渡区表现使其能在模拟电路中用作A类功率放大器(如作为运算放大器的输出级Intersil数据表:和)。.

之间互補式金屬氧化物半導體和反相器相似

互補式金屬氧化物半導體和反相器有(在联盟百科)3共同点: 電晶體-電晶體邏輯集成电路数字电路

電晶體-電晶體邏輯

電晶體-電晶體邏輯(Transistor-Transistor Logic,缩写为TTL),是市面上较为常見且应用广泛的一种邏輯閘数字集成电路,由电阻器和電晶體而组成。TTL最早是由德州儀器所開發出來的,現雖有多家廠商製作,但編號命名還是以德州儀器所公佈的資料為主。其中最常見的為74系列。 与TTL分庭抗禮的是CMOS,旧时两者相比较TTL主要是速度快,CMOS則是速度慢,但省電、成本比TTL低。隨着CMOS技術的進步,其反應速度已經超越TTL。而且CMOS內部不具有製作麻煩的電阻,所以TTL可說几乎沒有發展。目前TTL主要应用于教育或是較簡單的數位電路。.

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集成电路

集成电路(integrated circuit,縮寫:IC;integrierter Schaltkreis)、或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶--片/芯--片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半導體裝置,也包括被动元件等)小型化的方式,並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜(thin-film)積體電路。另有一種(thick-film)(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动元件,集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片(monolithic)集成电路,即薄膜積體電路。 從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型,但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯,卻早於1990年就過世。.

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数字电路

数字电路或数字集成电路是由许多的逻辑门组成的复杂电路。与模拟电路相比,它主要进行数字信号的处理(即信号以0与1两个状态表示),因此抗干扰能力较强。数字集成电路有各种门电路、触发器以及由它们构成的各种组合逻辑电路和时序逻辑电路。一个数字系统一般由控制部件和运算部件组成,在时脈的驱动下,控制部件控制运算部件完成所要执行的动作。通过類比數位轉換器、數位類比轉換器,数字电路可以和模拟电路互相连接。.

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互補式金屬氧化物半導體和反相器之间的比较

互補式金屬氧化物半導體有35个关系,而反相器有24个。由于它们的共同之处3,杰卡德指数为5.08% = 3 / (35 + 24)。

参考

本文介绍互補式金屬氧化物半導體和反相器之间的关系。要访问该信息提取每篇文章,请访问:

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