DDR4 SDRAM和集电极开路

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DDR4 SDRAM和集电极开路之间的区别

DDR4 SDRAM vs. 集电极开路

四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英文：Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱為DDR4 SDRAM），是一種高頻寬的電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，是自1970年DRAM開始使用以來，現時最新的記憶體規格，旨在全面取代舊有的記憶體規格。 DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬，但由於電壓標準、物理接口等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致，因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣，不會向下相容。現時，超微和英特爾兩大x86處理器廠商推出的大部分處理器產品都支援DDR4-SDRAM。. 開集極電路（Open Collector，俗称“集电极开路门”或“OC门”），是一种集成电路的输出装置。OC门实际上只是一个NPN型三极管，并不输出某一特定电压值或电流值。OC门根据三极管基极所接的集成电路来决定（三极管发射极接地），通过三极管集电极，使其开路而输出。而输出设备若为场效应晶体管（MOSFET），则称之为漏极开路（Open Drain，俗称“OD门”），工作原理相仿。通过OC门这一装置，能够让逻辑门输出端的直接并联使用。两个OC门的并联，可以实现逻辑与的关系，称为“线与”，但在输出端口应加一个上拉电阻与电源相连。.

集成电路

集成电路（integrated circuit，縮寫：IC；integrierter Schaltkreis）、或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶--片/芯--片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半導體裝置，也包括被动元件等）小型化的方式，並時常制造在半导体晶圓表面上。 前述將電路製造在半导体晶片表面上的積體電路又稱薄膜（thin-film）積體電路。另有一種（thick-film）（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到基板或线路板所构成的小型化电路。 本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜積體電路。 從1949年到1957年，維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默 (Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型，但現代積體電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的積體電路的罗伯特·诺伊斯，卻早於1990年就過世。.

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