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制表符分隔值
制表符分隔值 （Tab-separated values，TSV）格式文件是一种用于储存数据的文本格式文件，其数据以表格结构（例如 数据库 或 电子表格 数据）储存。每一行储存一条记录。 每条记录的各个字段间以制表符作为分隔。 TSV 格式是一种被广泛支持的文件格式，它经常用来在不同的计算机程序之间传递数据，支持格式。 例如，TSV文件可以用来在数据库和电子表格之间传递数据。 TSV 格式是逗号分隔值（CSV）格式的一种变体，CSV 格式以逗号作为字段间的分隔符号，因为逗号本身是一种很常见的文本数据，因此常常会引起一些问题，而制表符在文本数据中相对少见。在 IANA 标准中，数据字段内禁止使用制表符。.
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硅穿孔
硅穿孔（Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做硅通孔）是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種, Via First, Via Last），從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔（via），再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。 TSV技术在三维封装和三维集成电路中具有重要应用，對於跨入3D IC相當具有優勢。2006年4月，韓國三星表示已成功將TSV技術應用在“晶圓級堆疊封裝”（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash堆疊的技術堆疊八個2Gb NAND Flash晶片，以雷射鑽孔打造出TSV製程，高度是0.56mm。2007年4月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品，共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片。到目前為止，晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限，僅有CMOS（CIS）影像感測器、MEMS等少數幾種。.
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