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6 关系: 半导体，半导体器件制造，台積電，纳米，10纳米制程，5纳米制程。
半导体
半导体（Semiconductor）是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成N型半導體；如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個電洞（hole），這樣就形成P型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視為多了1個正電荷）。.
半导体器件制造
半导体器件制造是被用于制造芯片，一种日常使用的电气和电子器件中集成电路的处理工艺。它是一系列照相和化学处理步骤，在其中电子电路逐渐形成在使用纯半导体材料制作的晶片上。 硅是今天最常用的半导体材料，其他还有各种复合半导体材料。 从一开始晶圓加工，到芯片封装測試，直到发货，通常需要6到8周，并且是在晶圓廠內完成。 国际半导体技术发展蓝图.
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台積電
#重定向 台灣積體電路製造.
纳米
纳米（符號 nm，nanometre、nanometer，字首 nano 在希臘文中的原意是「侏儒」的意思），是一个長度單位，指1米的十億分之一（10-9m）。 有時候也會見到埃米（符號 Å）這個單位，為10-10m。 1納米（nm）.
10纳米制程
10纳米制程是半导体制造制程的一个水平。截止至2016年，10纳米工艺仍然在商业研究與試產中。英特尔、三星電子、蘋果公司與聯發科等计划在2017年推出的10纳米器件。三星電子的Exynos 9 Octa 8895與高通的Snapdragon 835是首批量產供貨的10nm晶片產品，於2017年第一季問世。 在10纳米中，金属的宽度为40至50纳米。 Intel的10纳米製程其性能超越他廠的同名稱製程，因此至2018年仍在難產中。 10纳米的后继制程是7纳米。.
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5纳米制程
5纳米制程是半导体制造制程的一个水平。截止至2018年，5纳米工艺的器件还没有产生。 尽管英特尔没有制造5纳米器件，但是他们的2009年蓝图已经规划在2020年推出此制程。（但是由于Tick-Tock战略的取消，英特尔已不可能在2020年推出5纳米 全球最大晶圓代工廠台積電（TSMC）公佈2016年第二季度財報之後，向外界透露了一條消息：5奈米製程將於 2020 年進入量產期。 5奈米的後繼製程計劃是3奈米。.
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