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法兰兹-卡尔迪西效应

指数 法兰兹-卡尔迪西效应

法兰兹-卡尔迪西效应(Franz-Keldysh effect)是指在强电场(一般在百伏电压)作用下,导致半导体吸收边形状的改变,及引起其折射率相应变化的现象。它是德国物理学家沃尔特·法兰兹和俄国物理学家莱奥尼德·卡尔迪西于1957-1958年间先后独立发现的。而以他们二人的名字命名。 卡尔·波尔最先观察到光的吸收边随电场大小而改变。但自法兰兹和卡尔迪西二人发现高场下光吸收边改变的现象后,则把半导体吸收边随电场变化的现象称为法兰兹-卡尔迪西效应。 法兰兹-卡尔迪西效应和量子阱的斯托卡效应二者都可用作电-吸收调制器。但用法兰兹-卡尔迪西效应制造调制器要求外加的电压高达百伏量级,不适用于商业。.

2 关系: 半导体量子阱

半导体

半导体(Semiconductor)是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的“空穴”,在电场作用下,空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流(一般称为正电流)。 材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”(IIIA、VA族元素)来控制。如果我們在純矽中摻雜(doping)少許的砷或磷(最外層有5個電子),就會多出1個自由電子,這樣就形成N型半導體;如果我們在純矽中摻入少許的硼(最外層有3個電子),就反而少了1個電子,而形成一個電洞(hole),這樣就形成P型半導體(少了1個帶負電荷的原子,可視為多了1個正電荷)。.

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量子阱

量子阱(Quantum well)是指具有离散能量值的势阱。 为了形成量子化,可以把能够在三维空间自由运动的粒子束缚在一个平面区域。当量子阱的厚度达到载流子(电子或空穴)对应物质波的波长相同的数量级时,量子束缚效应就可以发生,造成子能带(energy subband),也就是说载流子只能具有离散的能量值。.

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