晶体管和高弗雷·豪斯费尔德
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晶体管和高弗雷·豪斯费尔德之间的区别
晶体管 vs. 高弗雷·豪斯费尔德
晶体管(transistor),早期音譯為穿細絲體,是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年,由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體;肖克利則是發明PN二極體,他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成,至少有三個對外端點(稱為極),(C)集極、(E)射極、(B)基極,其中(B)基極是控制極,另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压,改變輸出端的阻抗 ,從而控制通過輸出端的电流,因此晶體管可以作為電流開關,而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率,因此晶体管可以作為电子放大器。. 弗雷·纽博尔德·豪斯費爾德爵士,CBE,FRS(Sir Godfrey Newbold Hounsfield,),英國電機工程師 ,因為研究X射線斷層成像與相關技術與發明,而與阿蘭·科馬克共同獲得1979年的諾貝爾生理學或醫學獎。.
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晶体管和高弗雷·豪斯费尔德之间的比较
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参考
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