之间动态随机存取存储器和零电容随机存储器相似
动态随机存取存储器和零电容随机存储器有(在联盟百科)2共同点: 静态随机存取存储器,晶体管。
静态随机存取存储器
態隨機存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」,是指這種存储器只要保持通電,裡面儲存的--就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取記憶體(DRAM)裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而,當電力供應停止時,SRAM儲存的数据還是會消失(被称为volatile memory),這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。.
动态随机存取存储器和静态随机存取存储器 · 零电容随机存储器和静态随机存取存储器 ·
晶体管
晶体管(transistor),早期音譯為穿細絲體,是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年,由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體;肖克利則是發明PN二極體,他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成,至少有三個對外端點(稱為極),(C)集極、(E)射極、(B)基極,其中(B)基極是控制極,另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压,改變輸出端的阻抗 ,從而控制通過輸出端的电流,因此晶體管可以作為電流開關,而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率,因此晶体管可以作為电子放大器。.
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动态随机存取存储器和零电容随机存储器之间的比较
动态随机存取存储器有16个关系,而零电容随机存储器有7个。由于它们的共同之处2,杰卡德指数为8.70% = 2 / (16 + 7)。
参考
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