三星電子和动态随机存取存储器

快捷方式: 差异，相似，杰卡德相似系数，参考。

三星電子和动态随机存取存储器之间的区别

三星電子 vs. 动态随机存取存储器

三星電子（，Samsung Electronics），三星集團子公司，韩国最大的消費電子產品及電子元件製造商，亦是全球最大的信息技术公司。2017年，三星电子在全球品牌排行榜中名列第六位，连续第六年进入世界品牌前十强。在美国《财富》杂志2015年、2016年评选的財富世界500強排行榜中第13名。2016年，根据品牌咨询机构 Reputation Institute 調查，為美国最受尊敬科技企业第2名。 截至2016年3月，三星电子共有156家子公司，其中包括在韩国17家、美国33家、欧洲41家、中东与非洲地区13家、亚洲（除韩国和中国大陆外）22家以及中国大陆30家。 2015年，三星电子旗下17种产品的市占率位居全球第一，居全球企业之首。. 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。 與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。.

半导体

半导体（Semiconductor）是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。 半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有5個電子），就會多出1個自由電子，這樣就形成N型半導體；如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有3個電子），就反而少了1個電子，而形成一個電洞（hole），這樣就形成P型半導體（少了1個帶負電荷的原子，可視為多了1個正電荷）。.

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DDR SDRAM

双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM）為具有的SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 JEDEC为DDR存储器设立速度规範，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。.

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DDR2 SDRAM

二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR2 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供了相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（双倍数据率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者。 JEDEC为DDR存储器设立了速度规，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。.

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DDR3 SDRAM

三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR3 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者（增加至八倍）。.

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随机存取存储器

随机存取存储器（Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以隨時读写（重新整理時除外，見下文），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式的临时資料存储媒介。 主記憶體（Main memory）即電腦內部最主要的記憶體，用來載入各式各樣的程式與資料以供CPU直接執行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主記憶體的最主要部分。2014年生產電腦所用的主記憶體主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4記憶體取代DDR3L。.

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