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SOI和零电容随机存储器

快捷方式: 差异相似杰卡德相似系数参考

SOI和零电容随机存储器之间的区别

SOI vs. 零电容随机存储器

SOI全名為Silicon On Insulator,是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思,原理就是在矽電晶體之間,加入絕緣體物質,可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈,並減少電流成為省電的IC,在製程上還可以省略部分光罩以節省成本,因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外,在SOI晶圓(SOI wafer)本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現,因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整,達到射頻元件(Radio frequency component、RF component)特性的提升。原本應通過交換器的電子,有些會鑽入矽中造成浪費;SOI可防止電子流失,與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%,並減低耗電30%。除此之外,還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點,可以說是很多超頻玩家所感興趣的,那就是它的工作溫度可高達300°C,減少過熱的問題。 SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發,最早用於Macintosh電腦(MAC)的PowerPC G4處理器,除了IBM外,還有Motorola、德州儀器(TI)、NEC等公司投入SOI技術的開發工作,但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術,因為其認為SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度,並且SOI上接合點也會減少,也就是一般製程中「」的缺點所煩惱。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術,成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司,例如AMD和NVIDIA,而Intel並未加入該組織。. 零电容随机存储器(Zero-capacitor random access memory,缩写:Z-RAM)是一种新型的动态随机存取存储器,是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应(Float body effect)研发的。该技术已经被超微半导体(AMD)许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和六晶体管静态随机存取存储器(SRAM,常在缓存中应用)相似的存取速度,但是只使用了单一晶体管,因此能够提供更高的封装密度。.

之间SOI和零电容随机存储器相似

SOI和零电容随机存储器有(在联盟百科)2共同点: 超威半导体晶体管

超威半导体

超微半导体公司(Advanced Micro Devices, Inc.;縮寫:AMD、超微,或譯「超威」),創立於1969年,是一家專注於微处理器及相關技術設計的跨国公司,总部位于美國加州舊金山灣區矽谷內的森尼韦尔市。最初,超微擁有晶圓廠來製造其設計的晶片,自2009年超微將自家晶圓廠拆分為現今的GlobalFoundries(格羅方德)以後,成為無廠半導體公司,僅負責硬體積體電路設計及產品銷售業務。現時,超微的主要產品是中央處理器(包括嵌入式平台)、圖形處理器、主機板晶片組以及電腦記憶體, 超微半導體是目前除了英特爾以外,最大的x86架構微處理器供應商,自收購冶天科技以後,則成為除了輝達以外僅有的獨立圖形處理器供應商,自此成为一家同時擁有中央處理器和圖形處理器技術的半導體公司,也是唯一可与英特爾和輝達匹敵的廠商。在2017年第一季全球個人電腦中央處理器的市場佔有率中,英特爾以79.8%排名第一、AMD以20.2%位居第二。於2017年8月,AMD CPU在德國電商Mindfactory的銷售量首次以54.0%超越intel,並於9月增長至55.0%,於10月(同時也是Coffee Lake推出之月份),銷售份額仍繼續成長至57.7%,於11月,由於增加部分未計算型號,份額下降至57.4%.

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晶体管

晶体管(transistor),早期音譯為穿細絲體,是一种-zh-cn:固体; zh-tw:固態;--zh-cn:半导体器件; zh-tw:半導體元件;-,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。在1947年,由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體;肖克利則是發明PN二極體,他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。 電晶體由半導體材料組成,至少有三個對外端點(稱為極),(C)集極、(E)射極、(B)基極,其中(B)基極是控制極,另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。晶体管基于输入的電流或电压,改變輸出端的阻抗 ,從而控制通過輸出端的电流,因此晶體管可以作為電流開關,而因為晶体管輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率,因此晶体管可以作為电子放大器。.

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上面的列表回答下列问题

SOI和零电容随机存储器之间的比较

SOI有37个关系,而零电容随机存储器有7个。由于它们的共同之处2,杰卡德指数为4.55% = 2 / (37 + 7)。

参考

本文介绍SOI和零电容随机存储器之间的关系。要访问该信息提取每篇文章,请访问:

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