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NVDIMM

指数 NVDIMM

非易失性双列直插式内存模块(non-volatile dual in-line memory module,缩写NVDIMM)是一种用于计算机的随机存取存储器。非揮發性記憶體是即使断电也能保留其内容的内存,这包括意外断电、或正常关机。双列直插式表示该内存使用DIMM封装。NVDIMM在某些情况下可以改善应用程序的性能、数据安全性和系统崩溃恢复时间。这增强了固态硬盘(SSD)的耐用性和可靠性。.

27 关系: 危害性物質限制指令可變電阻式記憶體双电层电容器三星集团後備電池固态硬盘索尼缓存网表美光公司电池相變化記憶體DDR3 SDRAMDDR4 SDRAMDDR5 SDRAMDIMM随机存取存储器非揮發性記憶體高级配置与电源接口闪存重金属英特尔雲端運算JEDECRAID数据中心3D XPoint

危害性物質限制指令

有害物質限用指令(Restriction of Hazardous Substances Directive 2002/95/EC,缩写RoHS)是歐洲聯盟在2003年2月所通過的一項環保指令(但並非法律),定於2006年7月1日起生效,主要針對產品成分及在製造上的工程製程標準.

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可變電阻式記憶體

可變電阻式記憶體(Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體,和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體一起屬於新世代的記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,目前許多公司都正在發展這種技術。 對於即將迎來的物聯網時代需要即時資料儲存需求、低能耗、資料耐久度高、每次寫入或儲存的資料單位小等層面,綜觀上面的需要,NAND快閃記憶體並不是一個合適的選項,不過由於ReRAM的操作電壓較低,消耗的電力亦較少,且ReRAM的寫入資訊速度比同樣是非揮發性記憶體的NAND快閃記憶體快1萬倍,因此在這個即將面臨而來的挑戰,可變電阻式記憶體絕對是一個不可或缺的存在。 最基本的可變電阻式記憶體是由上下兩層金屬電極以及中間一層過渡金屬氧化物(Transition metal oxide, TMO)所組成,主要的操作原理是利用過渡金屬氧化物的阻值,會隨著所加偏壓改變而產生不同的阻值,而如何辦別內部儲存的值,則由內部的阻值高低來做分別。通常會先對剛生產好的可變電阻式記憶體進行初始化,此過程被稱為Forming,必須對元件施加偏壓,當電場超過臨界值時介電層會發生崩潰現象,使介電層從高阻值轉為低阻值。而從Forming之後發生改變阻值的現象,若是從高阻態到低阻態的過程稱之為SET,相反地,從低阻態到高阻態的過程稱之為RESET。.

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双电层电容器

雙電層電容器(EDLC)有時也稱為電雙層電容器,或超级電容器,是拥有高能量密度的电化学电容器,比傳統的电解电容容量高上數百倍至千倍不等。 See also 一个標準電池大小的电解电容电容为几十微法拉,但同样大小的EDLC的則可以达到几法拉,差別可達五个数量级。截至在2010年,最高商业化双电层电容器的能量密度为30 W⋅h/kg (0.1 MJ/kg)。高达85 W⋅h/kg的能量密度已在室温实验室实现,但仍然比锂离子电池低。 2011年,在实验室的雙電層電容器的能量密度提高了一個數量级。EDLC的价格亦正在下降:在2000年成本為5000美元的3 kF电容在2011年只需50美元。 双电层电容器主要用于能源储存,而非通用电路元件,特别适用于精密能源控制和瞬间负载设备。EDLC也有作为能量储存和KERS设备在车辆使用,另外亦有用於其他小型系統,例如需要快速充/放電的家用太阳能系统。.

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三星集团

三星集團(삼성그룹/三星그룹 ;Samsung Group),总部位于韩国首尔的国际跨国公司,亦是韩国最大的财阀。三星集团的经营领域涵盖电子、金融业、保险、生物制药、建设、化工业、医疗、航空零件、軍火製造、服装、酒店、汽车等等。旗下子公司包含:三星电子、三星顯示、三星SDI、、三星电机、三星康宁、三星网络、三星火灾海上保险、三星证券、三星物产、三星航空、三星重工和三星生命等等多达85家子公司(不包含子公司的子公司),其中至少超过3家子公司为美国《财富》杂志评选为世界500强企业之列。 2014年,三星集团拥有多达85家下属子公司(不包含子公司的子公司)及若干其他法人机构,员工总数为48.9万人,总资产高达5295亿美元,营业额高达3050亿美元。 三星集团1996年跻身全球第五大集团,包括多个下属公司及若干其他法人机构,在近70个国家和地区创建了近300个法人及办事处,员工总数19.6万人,共有至少62家子公司,总资产高达1070亿美元,员工平均年薪高达7130万韩元(6.7万美元),三星在韩国出口额的312亿美元中占了18.1%,而在2004年更达到592亿美元,为出口额的20.7%。在2003年在韩国政府税务预算中,三星占了6.3%的税款。 2006年,三星集团是全球第35大经济体,若以国家经济体来排名,三星集团大于阿根廷。而韩国在美国注册的8782项专利中,有至少3611项是三星电子所申请的,所占比率超过40%。从1999年的31亿美元,到2006年的162亿美元,三星的品牌价值成长了五倍之多,2002年,三星电子的市值首度超越日本索尼,4年后,三星电子跻身千亿美元俱乐部;2009年,三星電子市值一度超越英特爾成為全球市值最大半導體製造商。自2001年起至2010年底,10年间三星在半导体的营收成长高达355%,目前排名世界第2,与龙头英特尔相比,市占率仅有4.1%的差距。.

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後備電池

後備電池(Backup battery)是指輔助電源的電池,通常為直流電,當主要電力供應用盡時或停止時,就會暫時用它們來提供電力。 一般採用後備電池的電子產品裝置,通常都是直接從可持續的交流電(AC)或直流電(DC)取電。備份電池只有在電力出現問題或中斷時,才提供電力給電路。否則電池會從同一主要電路上充電。.

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固态硬盘

固態硬碟或固态驱动器(Solid-state drive或Solid-state disk,簡稱SSD)是一种主要以闪存作為永久性存储器的電腦存储设备。 固态硬碟採用SATA-III接口,也有使用PCIe x8或者mSATA、NVMe、M.2、ZIF、IDE、U.2、CF、等接口。由於價格與儲存空間與機械硬碟有巨大差距,固態硬碟無法完全取代機械硬碟。.

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索尼

索尼公司(ソニー株式会社,Sony Corporation)是源自日本的跨國綜合企業,以研製電子產品為主要事業,經營領域橫跨消費性電子產品、專業性電子產品、遊戲、金融、娛樂及養老院等,擁有全世界的品牌知名度。其最早前身為1946年5月創立的「東京通信工業株式會社」,由擁有技術研發背景的井深大與擅長公關、行銷的盛田昭夫共同創辦,目前由遊戲部門出身的平井一夫與其經營團隊共同領導。總部位於東京都港區港南的(Sony City)。 索尼原以「新力」及「新力牌」做為港臺等地的中文譯名,由於臺灣亦有印章公司使用此名稱,因而改為已經於中國大陸通用的「索尼」,並於2009年4月1日統一使用,以更接近原始使用羅馬字拼寫的「SONY」的發音。.

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缓存

速缓存(cache, )--原始意义是指存取速度比一般隨機存取記憶體(RAM)快的一种RAM,通常它不像系统主記憶體那样使用DRAM技术,而使用昂贵但較快速的SRAM技术。.

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网表

在电子设计自动化中,网表(netlist),或称连线表,是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式。由于逻辑门阵列有着连线表一样的排列外观,因此称之为“网表”。 网表通常传递了电路连接方面的信息,例如模块的实例、线网以及相关属性。如果需要包含更多的硬件信息,通常会使用硬件描述语言,例如Verilog、VHDL或其他的专用语言来进行描述、验证和仿真。高抽象层次(如寄存器传输级)的硬件描述可以通过逻辑综合转换为低抽象层次(逻辑门级)的电路连线网表,这一步骤目前可以使用自动化工具完成,这也大大降低了设计人员处理超大规模集成电路的繁琐程度。硬件厂商利用上述网表,可以制造具体的专用集成电路或其他电路。一些相对较小的电路也可以在现场可编程逻辑门阵列上实现。 根据不同的分类,网表可以是物理或逻辑的,也可以是基于实例或基于线网的,抑或是平面的或多层次的,等等。 N.

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美光公司

#重定向 美光科技.

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电池

电池,一般狹義上的定義是將本身儲存的化學能轉成電能的裝置,廣義的定義為將預先儲存起的能量轉化為可供外用電能的裝置。因此,像太陽能電池只有轉化而無儲存功能的裝置不算是電池。其他名稱有電瓶、電芯,而中文池及瓶也有儲存作用之意。 英文中,單一個電池結構叫做「Cell」(單電池),內部有多個Cell並連或串連的結構叫做「Battery Cell」(電池組)。市售一般乾電池其實構造上是「Cell」但英文上習慣稱「Battery」,汽車用鉛酸電池與方形9V電池則是真正的「Battery」。.

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相變化記憶體

變化記憶體(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存储器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的(Chalcogenide glass)製成,目前的主流為GeSbTe系合金。的特性是,經由加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。.

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DDR3 SDRAM

三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般稱為DDR3 SDRAM),是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態隨機存取記憶體)的後繼者(增加至八倍)。.

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DDR4 SDRAM

四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱為DDR4 SDRAM),是一種高頻寬的電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,是自1970年DRAM開始使用以來,現時最新的記憶體規格,旨在全面取代舊有的記憶體規格。 DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬,但由於電壓標準、物理接口等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致,因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣,不會向下相容。現時,超微和英特爾兩大x86處理器廠商推出的大部分處理器產品都支援DDR4-SDRAM。.

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DDR5 SDRAM

五代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(double data rate fifth-generation synchronous dynamic random-access memory,缩写DDR5 SDRAM)是一種正在开发的高頻寬電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品。 据英特尔公司Geof Findley称,JEDEC计划在2016年发布DDR5 SDRAM规范,该种内存将在2020年向最终用户提供。截至2017年2月,JEDEC部分规范信息已经公开。而2017年4月的新闻显示,JEDEC宣布将在当年6月公布更多信息,DDR5设计规范将于次年出炉。 2017年9月22日,Rambus宣布在实验室中实现完整功能的DDR5 DIMM芯片,预期将在2019年开始量产。.

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DIMM

雙列直插式記憶體模組或雙線記憶體模組(Dual In-line Memory Module,簡稱DIMM)是指一系列由動態隨機存取記憶體(DRAM)組成的模組。DIMM通常是數顆至數十顆DRAM晶片焊接安裝於一塊已製作好電路的印刷電路板的形式,用於個人電腦、工作站、伺服器。相比SIMM兩邊針腳相連在一起,DIMM兩邊針腳是獨立的。SIMM的數據總線為32-bit寬度,DIMM則是64-bit寬度。.

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随机存取存储器

随机存取存储器(Random Access Memory,缩写:RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以隨時读写(重新整理時除外,見下文),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程式的临时資料存储媒介。 主記憶體(Main memory)即電腦內部最主要的記憶體,用來載入各式各樣的程式與資料以供CPU直接執行與運用。由於DRAM的性價比很高,且擴展性也不錯,是現今一般電腦主記憶體的最主要部分。2014年生產電腦所用的主記憶體主要是DDR3 SDRAM,而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化,筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4記憶體取代DDR3L。.

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非揮發性記憶體

非揮發性記憶體(non-volatile memory,缩写为NVM)是指當電流關掉後,所儲存的資料不會消失者的電腦記憶體。非揮發性記憶體中,依記憶體內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產品,即ROM和Flash memory。.

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高级配置与电源接口

级配置与电源接口(英文:Advanced Configuration and Power Interface,縮寫:ACPI),是1997年由英特尔、微软、东芝公司共同提出、制定提供操作系统应用程序管理所有电源管理接口,是一种工业标准,包括了软件和硬件方面的规范。2000年8月康柏和凤凰科技加入,推出 ACPI 2.0规格。2004年9月惠普取代康柏,推出 ACPI 3.0规格。2009年6月16日則推出 ACPI 4.0规格。2011年11月23日推出ACPI 5.0规格。由于ACPI技术正被多个操作系统和处理器架构采用,该规格的管理模式需要与时俱进。2013年10月,ACPI的推广者们一致同意将ACPI的属有归到UEFI论坛。今后新的ACPI规格将由UEFI论坛制定。.

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闪存

快闪--(flash memory),是一种--的形式,允许在操作中被多次擦或写的--。這種科技主要用於一般性資料儲存,以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料,如記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除,就會清除掉整顆晶片上的資料。 快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低,也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA、手提電腦、數位隨身聽、數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外,快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加,藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。 快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言,它是不需要消耗電力的。與硬碟相比,快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性:當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM,但是“EEPROM”這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢,相較之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型,闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA,在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种:ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。.

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重金属

重金属有許多種不同的定義。在科學界常見的一種定義是密度大于5的金属,大多数金属都是重金属。重金属的化学性质一般上较为稳定。.

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英特尔

英特爾公司(Intel Corporation,、)是世界上最大的半導體公司,也是第一家推出x86架構處理器的公司,總部位於美國加利福尼亞州聖克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫,以“集成電子”(Integrated Electronics)之名在1968年7月18日共同創辦公司,將高階晶片設計能力與領導業界的製造能力結合在一起。英特爾也有開發主機板晶片組、網路卡、快閃記憶體、繪圖晶片、嵌入式處理器,與對通訊與運算相關的產品等。“Intel Inside”的廣告標語與Pentium系列處理器在1990年代間非常成功的打響英特爾的品牌名號。 英特爾早期在開發SRAM與DRAM的記憶體晶片,在1990年代之前這些記憶體晶片是英特爾的主要業務。在1990年代時,英特爾做了相當大的投資在新的微處理器設計上與培養快速崛起的PC工業。在這段期間英特爾成為PC微處理器的供應領導者,而且市場定位具有相當大的攻勢與有時令人爭議的行銷策略,就像是微軟公司一樣支配著PC工業的發展方向。而Millward Brown Optimor發表的2007年在世界上最強大的品牌排名顯示出英特爾的品牌價值由第15名掉落了10個名次到第25名。 而主要競爭對手有AMD、NVIDIA及Samsung。.

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雲端運算

雲端運算(cloud computing),是一種基于互联网的计算方式,通过这种方式,共享的软硬件资源和信息可以按需求提供给计算机各种终端和其他设备。 雲端運算是继1980年代大型计算机到客户端-服务器的大转变之后的又一种巨变。用户不再需要了解“云”中基础设施的细节,不必具有相应的专业知识,也无需直接进行控制。云计算描述了一种基于互联网的新的IT服务增加、使用和交付模式,通常涉及通过互联网来提供动态易扩展而且经常是虚拟化的资源。 在「軟體即服務(SaaS)」的服務模式當中,使用者能夠存取服務軟體及資料。服務提供者則維護基礎設施及平臺以維持服務正常運作。SaaS常被稱爲「隨選軟體」,並且通常是基於使用時數來收費,有時也會有採用訂閱制的服務。 推廣者認爲,SaaS使得企業能夠藉由外包硬體、軟體維護及支援服務給服務提供者來降低IT營運費用。另外,由於應用程式是集中供應的,更新可以即時的發佈,無需使用者手動更新或是安裝新的軟體。SaaS的缺陷在於使用者的資料是存放在服務提供者的伺服器之上,使得服務提供者有能力對這些資料進行未經授權的存取。 使用者透過瀏覽器、桌面應用程式或是行動應用程式來存取雲端的服務。推廣者認爲雲端運算使得企業能夠更迅速的部署應用程式,並降低管理的複雜度及維護成本,及允許IT資源的迅速重新分配以因應企業需求的快速改變。 雲端運算依賴資源的共享以達成規模經濟,類似基礎設施(如電力網)。服務提供者整合大量的資源供多個用戶使用,用戶可以輕易的請求(租借)更多資源,並隨時調整使用量,將不需要的資源釋放回整個架構,因此用戶不需要因爲短暫尖峰的需求就購買大量的資源,僅需提升租借量,需求降低時便退租。服務提供者得以將目前無人租用的資源重新租給其他用戶,甚至依照整體的需求量調整租金。.

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JEDEC

JEDEC固态技术协会是固态及半导体工业界的一个标准化组织,它由约300家公司成员组成,约3300名技术人员通过50个不同的委员会运作,制定固态电子方面的工业标准。JEDEC曾经是电子工业联盟(EIA)的一部分:联合电子设备工程委员会(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)。1999年,JEDEC独立成为行业协会,抛弃了原来名称中缩写的含义,目前的名称为JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)。.

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RAID

--(RAID, Redundant Array of Independent Disks),舊稱--(Redundant Array of Inexpensive Disks),簡稱磁盘阵列。其基本思想就是把多個相對便宜的硬碟組合起來,成為一個硬碟陣列組,使性能達到甚至超過一個價格昂貴、容量巨大的硬碟。根據選擇的版本不同,RAID比單顆硬碟有以下一個或多個方面的好處:增強資料整合度,增強容錯功能,增加處理量或容量。另外,磁碟陣列對於電腦來說,看起來就像一個單獨的硬碟或邏輯存儲單元。分為RAID-0,RAID-1,RAID-5,RAID-6,RAID-7,RAID-01,RAID-10,RAID-50,RAID-60。 簡單來說,RAID把多個硬碟組合成為一個邏輯磁區,因此,作業系統只會把它當作一個硬碟。RAID常被用在伺服器電腦上,並且常使用完全相同的硬碟作為組合。由於硬碟價格的不斷下降與RAID功能更加有效地與主機板整合,它也成為普通用户的一個選擇,特別是需要大容量儲存空間的工作,如:視訊與音訊製作。 最初的RAID分成不同的等級,每種等級都有其理論上的優缺點,不同的等級在兩個目標間取得平衡,分別是增加資料可靠性以及增加存储器(群)读写效能。這些年來,出現對於RAID觀念不同的應用。.

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数据中心

数据中心,或称为服务器场,指用于安置计算机系统及相关部件的设施,例如电信和储存系统。一般它包含冗余和备用电源,冗余数据通信连接,环境控制(例如空调、灭火器)和各种安全设备。大型数据中心消耗的电約與一个小城镇工业业务规模一样多。"", 2014.

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3D XPoint

3D XPoint(发音three dee cross point)是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非揮發性記憶體(NVM)技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane,而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相變化記憶體的技术,但也有其他可能性被提出。 该种技术的材料和物理细节尚未公布。位元存储基于bulk电阻的变化,结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。 美光的存储解决方案副总裁说:“3D Crosspoint将是DRAM价格的一半左右,但会比NAND闪存贵4到5倍。”相较NAND闪存,英特尔宣称其有10倍的低延迟,3倍写入耐久,4倍每秒写入、3倍每秒读取的性能提升,以及30%的功耗。.

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